【課題】真空ポンプの電力消費を抑えるとともに、安定した圧力調整が可能な気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】気相成長装置において、ウェーハが導入される反応室と、反応室にプロセスガスを供給するためのガス供給部と、ウェーハを載置する支持部と、ウェーハを回転させるための回転駆動部と、ウェーハを所定の温度に加熱するためのヒータと、反応室と接続され、排気ガスの流量を制御するバルブと、バルブの下流側に設けられ、排気ガスを排出するポンプと、反応室の圧力である第１の圧力を検出する第１の圧力計と、バルブとポンプ間の圧力である第２の圧力を検出する第２の圧力計と、第１の圧力に基づき、バルブを制御する第１の圧力制御部と、第１の圧力と前記第２の圧力に基づき、ポンプの稼働量を制御する第２の圧力制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】描画中に放電箇所を特定することのできる電子ビーム描画装置および電子ビーム描画装置の診断方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム描画装置は、電子ビームを放出する電子銃１００と、電子銃１００に電子の加速電圧を印加する高圧電源１０８と、電子銃１００の内部の圧力変動と、高圧電源１０８の電圧変動とをそれぞれ演算し、圧力変動が所定の圧力変動値以上である時刻と、電圧変動が所定の電圧変動値以上である時刻とをデータ出力する演算部１１１と、演算部１１１から出力されたデータを受け取り、圧力変動が生じた時刻と電圧変動が生じた時刻とが一致している場合にログＡとしてこの時刻を記録し、電圧変動が生じた時刻に対応する圧力変動のデータがない場合にログＢとしてこの時刻を記録する記録部１１２とを有する。電子銃１００の内部の圧力は真空計１１０によって測定する。 （もっと読む）

【課題】基板を加熱するヒータの劣化を抑えてヒータ寿命を低下させることのない気相成長装置および気相成長方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェハ１０１を載置するサセプタ１０２を、回転部１０４の円筒部１０４ａの上部で支持する。円筒部１０４ａの内部のＰ_２領域内には、シリコンウェハ１０１を下方側から加熱するヒータとして、インヒータ１２０とアウトヒータ１２１を配置する。そして、Ｐ_２領域にはガス導入管１１１からパージガスを供給するとともに、シリコンウェハ１０１をサセプタ１０２上の所定位置から持ち上げ、回転部１０４の上方に配置するときには、パージガスの流量を増大させるようにする。 （もっと読む）

【課題】基板の昇温時間と冷却時間を短縮することのできる気相成長装置および気相成長方法を提供する。
【解決手段】気相成長装置１００は、基板７の温度を測定する放射温度計２４ａ、２４ｂと、基板７の周辺にガス噴出部１９が設けられたガス流路１８と、ガス流路１８に熱伝導率の異なるガスを供給するガス供給部と、放射温度計２４ａ、２４ｂによる測定結果に応じて、ガス供給部からガス流路１８に供給するガスの種類と供給の有無を制御する制御部２６とを有する。ガス供給部は、アルゴンガスおよび窒素ガスの少なくとも一方を貯蔵するガス貯蔵部２８と、水素ガスおよびヘリウムガスの少なくとも一方を貯蔵するガス貯蔵部２９とを有する。 （もっと読む）

【課題】データ処理の待ちによる描画時間の延長を抑止する。
【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置１は、試料Ｗにパターンを描画するための描画データにより定義される描画領域を複数のストライプ領域に分割し、ストライプ領域毎にストライプ領域をデータ量の第１の規定値に応じて複数の分散処理領域に分割又は一つの分散処理領域とみなし、分散処理領域毎に描画データを並列に処理する描画データ処理部３２と、その描画データ処理部３２により生成された分散処理領域毎のデータに基づいて、ストライプ領域又は分散処理領域毎に試料Ｗに対して荷電粒子ビームによる描画を行う描画部２とを備える。描画データ処理部３２は、複数のストライプ領域の中で描き始めのストライプ領域又は描き終わりのストライプ領域を、データ量が第１の規定値より小さい第２の規定値以下である複数の分散処理領域に細分化する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造用マスクの評価を簡便且つ正確に行うことができ、また、精度劣化の原因を効率的に把握できる、パターン描画方法、パターン描画装置およびマスク製造方法を提供する。
【解決手段】環境要素となる、温度、磁場、気圧、振動、入力電圧、ビームドリフトおよびビーム電流密度の内少なくとも１つを測定しながら試料上にビームを照射して、パターンを描画する。このパターンには、主パターンと、主パターンの領域外に描画される第１の副パターンおよび第２の副パターンとがあり、第１の副パターンを描画する第１の描画工程の後に、主パターンを描画する第２の描画工程を行う。主パターンの描画工程では、環境要素の変化量によって主パターンの描画を停止し、第１の副パターンの近傍の所定位置に第２の副パターンを描画した後、主パターンの描画に戻る工程を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル膜の形成に際し、半導体基板を支持するサセプタへの、原料ガスに起因する膜の付着を低減し、サセプタのエッチング処理の時間の低減する気相成長方法を提供する。
【解決手段】半導体基板であるシリコンウェハ１０１を支持するサセプタ１０２の表面の少なくとも一部をＳｉＯ_２やＳｉ_３Ｎ_４などの金属の酸化膜や窒化膜で被覆する。そして、サセプタ１０２上でシリコンウェハ１０１を加熱しながら、シリコンウェハ１０１上に原料ガスを供給し、サセプタ１０２上への原料ガスに起因する膜の付着を抑制して、シリコンウェハ１０１上にエピタキシャル膜を成長させるようにする。 （もっと読む）

【課題】帰還抵抗に対して予め当該帰還抵抗が設けられているＤＡＣアンプに対して設定される最大値の電圧を印加しその発熱状態を標準状態とすることで、出力電圧の変化が生じても電子ビームに対する影響を最小限に抑え高精度な描画処理を行うことができる荷電粒子ビーム描画装置及びＤＡＣアンプの安定化方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビームＢを用いて移動可能なステージ上に載置される試料にパターンを描画する描画部２と、荷電粒子ビームＢの光路に沿って配置される偏向器に電圧を印加するＤＡＣアンプ３４，３５と、ＤＡＣアンプ３４，３５に対する制御を行うＤＡＣアンプ制御部３１ｊを備える制御計算機３１と、から構成される制御部３と、を備え、ＤＡＣアンプ制御部３１ｊは、ＤＡＣアンプ３４，３５に印加する電圧を当該ＤＡＣアンプ３４，３５に対して設定される最大値で継続して印加する。 （もっと読む）

【課題】成膜の際のウェーハとサセプタの貼り付きの有無を検出し、歩留り、スループットの向上が可能な気相成長方法及び気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応室内にウェーハを導入して、支持部上に載置し、支持部の下部に設けられたヒータにより、ウェーハを加熱し、ウェーハを回転させ、ウェーハ上にプロセスガスを供給することにより、ウェーハ上に成膜し、ウェーハの周縁部における少なくとも円周方向の温度分布を検出し、検出された温度分布に基づき、ウェーハと支持部との貼り付きの有無を判断する。 （もっと読む）

【課題】短い処理時間でショット密度または描画パターン面積密度を算出する荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】同一のチップ領域が複数配置されるレイアウトを有する描画データが入力され、記憶する第１の描画データ記憶部と、複数配置される同一のチップ領域のうち、１個のチップ領域についてショット密度または描画パターン面積密度を算出し、他のチップ領域については算出した１個のチップ領域のショット密度または描画パターン面積密度を再利用する描画データ前処理部と、描画データ前処理部で処理された描画データが入力され、記憶する第２の描画データ記憶部と、描画パターンを荷電粒子ビームのショットを単位として構成されるショットデータに変換するショットデータ生成部と、ショットデータを用いて試料上に順次荷電粒子ビームを照射することで描画を行う描画部とを、有する。 （もっと読む）