【課題】レチクルの変形を最小限に抑えることができるレチクル支持機構を提供し、レチクルの検査装置を提供する。
【解決手段】レチクル１０４を支持するレチクル支持機構１を、レチクル支持台１０２とレチクル支持台１０２上に載置された中間部材１０３とを有して構成し、レチクル支持台１０２が中間部材１０３を介してレチクル１０４支持するように構成する。レチクル支持台１０２は、レチクル１０４の隣接する２隅を使用して２点でレチクル１０４を支持し、中間部材１０３を１点で支持する。中間部材１０３は、レチクル１０４の上述の２隅とは異なる２つの隅を使用してレチクル１０４を支持する。このレチクル支持機構１を使用して検査装置１００を構成する。 （もっと読む）

【課題】ドリフトによる電子ビーム照射位置の変動を抑制して、所望のパターンを描画することのできる電子ビーム描画方法および電子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビームの主偏向領域の中心付近における位置ずれ量を求める。次いで、複数の位置ずれ量から補正値を求める。そして、この補正値から荷電粒子ビームの照射位置を補正する。主偏向領域の中心付近は、主偏向領域の中心を含む副偏向領域とすることができる。この場合、位置ずれ量は、副偏向領域における任意の１点についてのものとすることもできるし、副偏向領域における任意の複数の点の位置ずれ量の平均とすることもできる。 （もっと読む）

【課題】描画対象のうち輪郭領域よりもその位置精度を高く求められない内部領域へのショットは、輪郭領域へのショットにおけるセトリング時間よりも短いセトリング時間をもって行うことで、描画処理におけるスループットの向上を図ることのできる荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】制御計算機３１は、描画対象となる図形パターンＰを複数の領域へと分割する分割部３１ｂと、これらの領域を高い位置精度が求められる輪郭領域Ｐｓと、低い位置精度で足りる輪郭領域Ｐｓよりも内部に位置する内部領域Ｐｉとに分ける判断部３１ｃと、内部領域Ｐｉに対してフラグを付加するフラグ付加部３１ｄと、内部領域Ｐｉへのショットを行うに際して必要とされるセトリング時間を輪郭領域Ｐｓへのショットを行うに際して必要とされるセトリング時間よりも短くなるように演算する演算部３１ｅとを備える。 （もっと読む）

【課題】気相成長反応が行われる空間からの反応ガスの流出を制御して、基板上で安定した成膜処理をする成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、反応ガス４が供給されて成膜処理が行われるチャンバ１と、チャンバ１の内部に設けられた中空筒状のライナ２と、ライナ２の上方に設けられて反応ガス４が透過するシャワープレート１５と、ライナ２とチャンバ１の内壁１ａとの間の空間Ｂにパージガス５２を導入するパージガス供給口５０と、ライナ２の上部と下部の周囲に配設されて空間Ｂの上端部と下端部を塞ぐシール５１とを有する。成膜装置１００は、空間Ｂをパージガス５２でパージし、基板７上での気相成長反応が行われる空間Ａ内の反応ガス４が空間Ｂへ流入することを抑制するとともに、空間Ｂに導入された所定量のパージガス５２が空間Ａへ流入するように制御する。 （もっと読む）

【課題】副偏向領域内において、描画パターンが重複することにより、荷電粒子ビームのショットが重複して照射される場合に、副偏向領域における温度上昇を確実に抑制することが可能な荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】偏向制御部３２は、所定の副偏向領域の位置決めを行う主偏向制御部３２ａと、所定のショット位置の制御を行う副偏向制御部３２ｂと、副偏向領域におけるショット面積を加算し、描画面積を求める面積カウンタ３２ｃと、所定の副偏向領域の描画処理が行われる際に、描画面積が設定値を超えるか否かを判断し、描画面積が設定値を超える場合に、描画処理を中断させ、所定の副偏向領域の位置決めを再度主偏向制御部３２ａに行わせ、描画処理を再開させる判定部３２ｄとを備える。 （もっと読む）

【目的】インテグレータレンズによって形成される複数の集光点に起因した光学素子の劣化を回避可能な検査装置を提供することを目的とする。
【構成】パターン検査装置１００は、レーザ光を発生する光源１０３と、レーザ光を入射し、入射されたレーザ光を分割して光源群を形成するインテグレータレンズ２０６と、インテグレータレンズの入射面の手前に配置され、インテグレータレンズに入射するレーザ光を散乱させる散乱板２０４と、インテグレータレンズを通過したレーザ光を照明光として用いて、複数の図形パターンが形成された被検査試料におけるパターンの欠陥を検査する検査部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板への引っかき傷を抑制すると共にパーティクルの発生を抑制することが可能な描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、描画対象基板の外周部全体を上方からカバーする基板カバーを基板に着脱する基板カバー着脱部７０と、基板カバーが基板に装着された状態で、荷電粒子ビームを用いて基板上へパターンを描画する描画部１５０と、所定の計測位置において、描画部によって描画される前と描画された後に、基板カバーが基板に装着された状態で基板カバーの位置を計測する計測部６４と、基板カバーが装着された基板の位置について、計測された描画後の基板カバーの位置と計測された描画前の基板カバーの位置との間での位置ずれ量を補正する搬送ロボット１４２と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スループットの向上を図ることのできる荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】制御計算機１９は、描画パタンを精度を要求される領域とそうでない領域に弁別し、入力部２０から基準値以上の描画精度を要求されるパターンの面積がパターン全体の面積に占める割合を取得し、この割合が所定値以上であるか否かによって描画条件を決定する。割合が所定値未満である場合、基準値未満の描画精度を要求されるパターンを、基準値以上の描画精度を要求されるパターンより高い電流密度で描画する。割合が所定値以上である場合、全てのパターンを同じ電流密度で描画する。電流密度の変化は、電子ビーム５４を透過させる開口部を備えた電流密度調整用アパーチャ１０１を鉛直方向に移動させることで行う。 （もっと読む）

【課題】ヨーク自身の特性上の飽和による限界を超えた磁場を発生させることが可能な電磁レンズを搭載したビーム装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビーム装置は、荷電粒子ビームを放出する電子銃２０１と、コイルと、コイルを内側に配置するヨークと、発生させる磁力線がヨーク自体を通過することによって、発生させる磁力線の方向がコイルによる磁力線の方向と逆方向に閉ループを構成するように配置された永久磁石とを有し、前記荷電粒子ビームを屈折させる対物レンズ２０７と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】半導体製造工程で生じる寸法変動をより正確に補正する方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、露光用マスクのパターン作成領域から仮想分割されたメッシュ状の複数のマス目領域のマス目領域毎に含まれるパターンの面積と、かかるパターンの外周の辺の長さの総和とを用いてＣＤ寸法誤差を補正する補正量を算出する工程（Ｓ１０２〜Ｓ１０８）と、補正量が補正された寸法のパターンをレジスト膜が塗布された基板に露光する工程（Ｓ２０２）と、露光後に、レジスト膜を現像する工程（Ｓ２０４）と、現像後のレジストパターンを用いて、前記基板を加工する工程（Ｓ２０６〜Ｓ２１０）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）