【課題】強度を確保できる形状の面状発熱体を有するヒータおよびそれを用いた成膜装置を提供する。
【解決手段】ヒータの発熱体１は、断面がコの字形状となるリボン状の発熱体部材２を基本構造とし強度を確保できる形状を有する。発熱体１は、発熱体部材２が長手方向に曲げられた構造を有して環状または円盤状をなし、面状発熱体を構成する。発熱体１を有するヒータは、成膜装置に適用され、発熱体１の上部面Ｓがウェハの裏面と対向するようにウェハの下方に配置される。発熱体１では撓みの発生が低減され、変形の発生を抑えることができる。成膜装置では、発熱体１を有するヒータによって、所望条件でのウェハの加熱を実現するとともに、ウェハ裏面からの均一な加熱を可能とする。 （もっと読む）

【課題】被検査試料に形成されたパターンの位置ずれマップを高精度に作成する装置を提供する。
【解決手段】位置ずれマップ作成装置２００は、被検査試料から取得された光学画像と参照画像との間での位置ずれ量に基づいた位置ずれマップ（１）に対し、ワイドパスフィルタ処理をおこなって位置ずれマップＢを作成するＷＰフィルタ処理部５６と、ローパスフィルタ処理をおこなって位置ずれ量マップＣを作成するＬＰフィルタ処理部５８と、座標計測装置で計測された複数の位置計測用パターンの各パターンの位置の位置ずれ量に基づく位置ずれマップ（２）に対し、ＬＰフィルタ処理をおこなって位置ずれマップＣを作成するＬＰフィルタ処理部６４と、位置ずれマップＡと位置ずれマップＢの差分に位置ずれマップＣを加算することによって合成して位置ずれマップＤを作成する合成部６６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビームの移動に起因する位置誤差の発生をできるだけ抑えてより正確な測定用パターンの描画を行うことで、精度良くセトリング条件の算出を行うことが可能な荷電粒子ビーム描画装置の評価方法及び荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】測定用パターン１１を描画する制御データを記憶部３１ｉに格納するステップと、制御データに基づき荷電粒子ビームＢを使用して測定用パターン１１を描画するとともに、新たに測定用パターン１１の描画が行われる位置まで今後測定用パターン１１の描画が行われる予定の領域ごとにデータ分解能と同程度の微小ショットを打ちつつ荷電粒子ビームＢを移動させるステップと、全ての測定用パターン描画後露光するステップと、露光後の測定用パターン１１を基に、その位置誤差を確認するステップと、確認された位置誤差に基づいて最適なセトリング条件を算出するステップとを備える。 （もっと読む）

【目的】光学系の歪み等によるマルチビームの照射位置のずれによるパターン形状或いは寸法の変動を抑制する描画装置を提供する。
【構成】描画装置１００は、複数の穴を有し、複数の穴を電子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成するアパーチャ部材２０３と、アパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行うブランキングプレート２０４と、複数の穴のうち互いに異なる穴を通過した複数のビーム同士が試料上で並ぶように描画処理を制御する描画処理制御部１８と、試料上で並ぶ各ビームのショット間隔が場所によって異なる場合に、最大ショット間隔が所定の量子化寸法で或いは所定の量子化寸法から所定の範囲内で規定された制御グリッド間隔以下になるように、ショット間隔を調整するショット間隔調整部１９と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】光学系の歪み等によるマルチビームの照射位置のずれによるパターン寸法の変動を抑制する描画装置を提供する。
【構成】描画装置１００は、ＸＹステージ１０５と、電子銃２０１と、複数の穴を有し、電子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成するアパーチャ部材２０３と、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行うブランキングプレート２０４と、各ビームの試料上のそれぞれの照射位置に、各ビームをまとめて偏向する偏向器２０８と、互いに異なる穴を通過した複数のビーム同士を試料上において所定の制御グリッド間隔で描画処理を進めるように制御する描画処理制御部１８と、描画されるビーム同士の間隔が前記制御グリッド間隔からずれる場合に、ずれ量に応じて、ずれに関与するビームの照射量を可変に制御する照射量制御部１６と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェーハの温度分布を制御し、より膜厚均一性を向上させることが可能な気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、ウェーハが導入される反応室と、反応室にプロセスガスを供給するガス供給機構と、ウェーハを載置する支持部と、ウェーハを下方より加熱するためのヒータと、ウェーハを回転させるための回転制御部と、反応室よりガスを排出する排気口を含むガス排出機構と、ヒータの下部に設けられ、ヒータからの熱を前記ウェーハの裏面に反射するための反射板と、反射板を上下移動させるための上下駆動部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＤＡＣアンプの異常が検出された際、当該異常の検出を試料上にて行うことが可能な荷電粒子ビーム描画装置及びＤＡＣアンプの評価方法を提供する。
【解決手段】ブランキングアンプ３３と、偏向器４７，５０，５１に電圧を印加するＤＡＣアンプ３４，３５，３６と、偏向制御部３２と、制御計算機３１と、ＤＡＣアンプ３４，３５，３６の評価を行うＤＡＣアンプテスター７と、を備え、ＤＡＣアンプテスター７は、制御計算機３１から試料Ｍに関するインデックス情報を受信するカウンタ７ｊと、偏向制御部３２から荷電粒子ビームＢによる試料Ｍへの照射位置に関する位置情報を受信する表示ユニット７ｇと、ＤＡＣアンプ３４，３５，３６からの異常信号を受信した際に、インデックス情報と位置情報、及び、ブランキングアンプ３３からのショット信号を基に、試料Ｍ上における異常発生箇所を特定するコントロールユニットＣとを備える。 （もっと読む）

【課題】反応室内に堆積した反応生成物をエッチングにより除去する際、エッチング終点を正確に検出し、反応室内のダメージを抑え、歩留り、生産性を向上させることが可能な気相成長方法及び気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応室内にウェーハを導入して、支持部上に載置し、支持部の下方に設けられたヒータにより加熱し、ウェーハが所定温度となるようにヒータの出力を制御し、ウェーハを回転させ、ウェーハ上にプロセスガスを供給することにより、ウェーハ上に成膜し、反応室よりウェーハを搬出し、反応室内にエッチングガスを供給して、反応室内に堆積した反応生成物をエッチングにより除去し、ヒータの出力が所定量に制御されるときの支持部上の温度である第１の温度の変動、又は第１の温度が所定温度となるように制御されるヒータの出力の変動に基づき、エッチング終点を検出する。 （もっと読む）

【課題】ＤＡＣアンプテスターを使用してブランキングタイミングの調整を行うことで、セトリング時間の短縮を図り全描画処理に掛かる時間を短縮しスループットの向上を図るとともに、誰でも簡易、確実にＤＡＣアンプの調整を行うことができ、ＤＡＣアンプ調整時間の短縮までも図ることが可能な荷電粒子ビーム描画装置及びブランキングタイミングの調整方法を提供する。
【解決手段】ブランキングアンプ３３と、ＤＡＣアンプ３４と、偏向制御部３２と、制御計算機３１と、ＤＡＣアンプ３４から出力されるアナログ電圧信号を加算する加算回路を備えるＤＡＣアンプ診断回路３８と、ＤＡＣアンプ３４の評価を行うＤＡＣアンプテスター７と、を備え、ＤＡＣアンプテスター７は、ブランキングアンプ３３からのブランキング信号とＤＡＣアンプ診断回路３８からの加算回路出力信号を基にセトリング時間内におけるブランキングタイミングの調整を行う。 （もっと読む）

【課題】成膜時の温度制御が可能となり、ウェーハ上に成膜された膜厚のバラツキを極めて少なくし、生産性を高めた半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】サセプタ１１は、ウェーハｗの径より小さく、表面に凸部１２ｂ（温度制御板となる）を有するインナーサセプタ１２と、中心部に開口部を有し、インナーサセプタを開口部が遮蔽されるように載置するための第１の段部と、この第１の段部の上段に設けられ、ウェーハを載置するための第２の段部を有するアウターサセプタ１３を備える。 （もっと読む）