【目的】同じパターンレイアウト間で変動しないデータのチェックを容易にできるフォーマットのショットデータ作成方法を提供する。
【構成】ショットデータの作成方法は、３段偏向させて所望の位置にパターンを描画するためのショットデータの作成方法であって、ショットデータは、所定のビット数で構成される複数のワードで共に定義された、第１の偏向器によって偏向される座標データを含む第１のデータ領域と、第２の偏向器によって偏向される座標データを含む第２のデータ領域と、第３の偏向器によって偏向される座標データを含む第３のデータ領域と、備え、第１から第３のデータ領域において、共に、同じレイアウト同士であれば変動しない不変データが定義されるワードと、同じレイアウト同士であっても変動する場合がある可変データが定義されるワードと、を区別したフォーマットでショットデータを作成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】排気口の周辺に生成物が付着し難い成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置は、反応ガスが供給されて成膜処理が行われる反応室と、反応室を構成するベースプレート１０１と、ベースプレート１０１の上に設置されてベースプレート１０１の全面を被覆するベースプレートカバー１０３とを有する。ベースプレート１０１には、反応室から余剰の反応ガスを排出する排気口６が設けられており、ベースプレートカバー１０３には、排気口６に勘合する形状と大きさを備えた貫通孔１０７が設けられている。反応ガスの下流側における貫通孔１０７の端面１０９は、排気口６の端面１１０より突出している。ベースプレートカバー１０３は、ベースプレート１０１と対向する面に突起部１０８を有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】成膜処理の過程で形成される薄膜の処理方法を提供する。
【解決手段】反応室に配置されたサセプタ８の座ぐり部８ａに基板７を載置し、反応室に反応ガスを導入して基板７の上にＳｉＣ膜３０１を形成する（第１の工程）。反応室にエッチングガスを導入し、基板７が取り除かれたサセプタ８を回転させながら、サセプタ８の上方からエッチングガスを流下させて、サセプタ８の座ぐり部８ａからその周縁部８ｂに至る段差部８ｃに形成された反応ガスに起因するＳｉＣ膜３０１を除去する（第２の工程）。反応室にエッチングガスを導入し、サセプタ８の上に形成された反応ガスに起因するＳｉＣ膜３０１を除去する（第３の工程）。第１の工程と第２の工程を繰り返した後に第３の工程を行う。 （もっと読む）

【目的】マスクに形成されたパターン自体の位置精度の均質性を検査可能な検査装置を提供する。
【構成】検査装置１００は、離散的な領域を撮像した際に取得されたそれぞれの光学画像中の図形の寸法と、対応する参照画像中の図形の寸法との間での第１の位置ずれ量を用いて、被検査領域全体における第１の位置ずれ量マップを作成するマップ作成回路１３１と、検査領域全体を撮像した際に取得されたそれぞれの光学画像中の図形の寸法と、それぞれ対応する参照画像中の図形の寸法との間での第２の位置ずれ量を用いて、被検査領域全体における第２の位置ずれ量マップを作成するマップ作成回路１３２と、第２の位置ずれ量マップを、第１の位置ずれ量マップと第２の位置ずれ量マップとの第１の差分マップで補正した第３の位置ずれ量マップに定義される各値のうち、許容値を超える値の有無を判定する判定回路１５６と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で確実にステージ上におけるマスクの微小スリップを検出可能とするとともに、検出されたスリップ量に基づいて荷電粒子ビームの補正を行うことができる荷電粒子ビーム描画装置及びマスクの微小スリップ検出方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビームＢの偏向を制御して、かつ自在にステージを制御して任意の原画パターンをマスク上に描画するための描画動作を制御するための制御計算機３１を備える電子ビーム描画装置１であって、電子ビームＢによってパターンが描画されるマスクＭと、マスクＭを３点支持部材６４にて支持するマスク保持機構６２と、マスク保持機構６２及びマスクＭを水平方向に加速移動させるステージ６１と、電子ビームで描画される表面に対するマスク裏面とマスク保持機構６２との間に設置され、マスクＭの微小スリップの有無を検出する原子間力顕微鏡６５とを備える。 （もっと読む）

【課題】地震振動による描画効率及び描画精度の低下を抑止する。
【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置１は、試料Ｗに描画する描画パターンに基づいて荷電粒子ビームによる描画を行う描画部２と、地震の震度に関する震度情報を受信する震度受信部３４と、その震度受信部３４により地震の震度情報が受信された場合、描画部２による描画中の描画パターンの描画精度と、震度受信部３４により受信された震度情報の震度とに応じて、描画部２による描画を中止する描画制御部３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】反応ガスが滞留する空間を低減した成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、反応ガス４が供給されて成膜処理が行われるチャンバ１と、チャンバ１の内部に設けられた中空筒状のライナ２と、ライナ２の上方に設けられて反応ガスが透過するシャワープレート１５とを有する。シャワープレート１５がライナ２の上部開口部５２を塞ぐ位置から上方に移動することにより、チャンバ１の壁に設けられた基板搬出入口４７を介してチャンバ１の外部とライナ２の内部とが連通する。また、成膜装置１００は、ライナ２の内部に設けられ、成膜処理が行われる基板７を支持して鉛直方向に移動させる基板支持部５０と、基板搬出入口４７を通じて反応室に出入するロボットハンド４８とを有する。基板支持部５０とロボットハンド４８との間で基板７の受け渡しが行われる。 （もっと読む）

【課題】試料表面とマーク表面との高低差に依存するビーム照射位置のずれを抑え、パターンの描画精度を向上させる。
【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置１は、ステージ１１上の試料Ｗに対して荷電粒子ビームによる描画を行う描画部２と、ステージ１１上に位置して高さが異なる複数のマークＭ１〜Ｍ４と、マークＭ１〜Ｍ４に対するビームの照射によりマーク表面でのビームの照射位置を検出する照射位置検出器１２と、その照射位置検出器１２により検出された照射位置に応じてマーク表面でのビームのドリフト量を算出するドリフト量算出部３５と、そのドリフト量算出部３５により算出された少なくとも二つのマーク表面でのドリフト量を用いて試料表面でのドリフト量を求めるドリフト量処理部３６と、そのドリフト量処理部３６により求められた試料表面でのドリフト量を用いてビームの照射位置を補正する描画制御部３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】ライナの割れを抑制しつつ、基板を効率よくかつ細かい温度制御で加熱することのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、チャンバ１と、チャンバ１の内壁１ａと空間Ａを仕切るライナ２と、基板７を下方から加熱する主ヒータ９と、ライナ２と内壁１ａの間に配置されて、基板７を上方から加熱する補助ヒータ１８とを有する。主ヒータ９と補助ヒータ１８は、いずれも抵抗加熱型のヒータである。補助ヒータ１８は、第１の補助ヒータ１８ａと、第２の補助ヒータ１８ｂと、第３の補助ヒータ１８ｃとを有する。第１の補助ヒータ１８ａは、主ヒータ９と共同して基板７を加熱する。第２の補助ヒータ１８ｂと第３の補助ヒータ１８ｃは、第１の補助ヒータ１８ａより低い出力でライナ２を加熱する。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内の温度測定中のバッテリ切れをなくすとともに、実際の描画処理と同様の状況下での測定を可能とし、かつ各チャンバ内の温度調整を精度良く行うことが可能な温度調整用マスク及び荷電粒子ビーム描画装置の温度調整方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置１を構成するチャンバ内の温度を測定する温度測定装置１１と、温度測定装置１１を収納する筐体１２と、筐体１２の互いに対向する辺に配置される複数のバッテリ１３，１４と、温度測定装置１１が測定した温度測定データを送出するデータ送出部１６とを備える。 （もっと読む）