【課題】基板の周方向における温度分布を均一にすることのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、反応ガス４が供給されて成膜処理が行われるチャンバ１と、チャンバ１に配置されて基板７が載置されるサセプタ８と、サセプタ８を下方から加熱するヒータ９とを有する。サセプタ８は、リング状の第１のサセプタ部８ａと、第１のサセプタ部８ａに接して設けられ、第１のサセプタ部８ａの開口部分を遮蔽する第２のサセプタ部８ｂとを有し、第２のサセプタ部８ｂの加熱部に対向する面は水平面から傾斜している。また、第１のサセプタ部８ａは、第２のサセプタ部８ｂの厚みに対応した周方向に異なる形状を有する。 （もっと読む）

【課題】基板とそれを載置する冶具との間の貼り付きを防止する成膜方法および成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜室であるチャンバ１０３内に配置された冶具であるサセプタ１０２上に基板１０１を載置し、サセプタ１０２を上部で支持する円筒部１０４ａを備えた回転部１０４を回転させながら、ガス制御部１４０の制御によって、チャンバ１０３内へ原料ガス１３７を供給する。併せて、円筒部１０４ａにパージガス１５１を供給し、パージガス１５１が基板１０１とサセプタ１０２の間から抜け出るようにすることによって、基板１０１の少なくとも一部がサセプタ１０２から浮いた状態で回転するようにし、基板１０１の上に所定の膜を形成する。 （もっと読む）

【目的】マルチビーム形成アパーチャによって散乱した荷電粒子によるブランキング偏向器アレイへの帯電とコンタミ成長を抑制する装置を提供することを目的とする。
【構成】描画装置１００は、荷電粒子ビームを放出する電子銃２０１と、マルチビームを形成するマルチビーム形成アパーチャ部材２０３と、マルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う複数のブランカーが配置されたブランキングプレート２０４と、マルチビーム形成アパーチャ部材２０３とブランキングプレート２０４との間に配置された、電磁レンズ２１２，２１４と、電磁レンズ２１２，２１４の間であってマルチビームの集束点位置に配置され、集束点から外れた荷電粒子の通過を制限する制限アパーチャ部材２１６と、複数のブランカーによってビームｏｆｆの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽する制限アパーチャ部材２０６と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】より小さな寸法のパターンの寸法変動を他の寸法変動要因と共に補正可能な装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、図形パターン毎の補正方向のパターン寸法に依存した荷電粒子の前方散乱に起因する寸法変動を補正する前方散乱補正照射係数を用いて、近接効果に起因する寸法変動を補正する近接効果補正照射係数を演算するＤｐ（ｘ）算出部５０と、近接効果補正照射係数と前方散乱補正照射係数とを用いて照射量を演算するＤ（ｘ）算出部５６と、照射量に基づいて、荷電粒子ビームを用いて、試料に当該図形パターンを描画する描画部１５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】影響半径が数μｍ以下の現象に起因するパターンの寸法変動を他の寸法変動要因と共に補正可能な装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、面積密度と分布関数の畳み込み演算を行って得られた畳み込み量を用いて、畳み込み量の勾配を求める勾配算出部４４と、畳み込み量と勾配とを用いて、影響半径がミクロンオーダー以下の現象に起因する寸法変動を補正する小影響半径現象補正照射係数を演算する小影響半径現象補正照射係数算出部４６と、小影響半径現象補正照射係数に依存した関数を用いて、近接効果に起因する寸法変動を補正する近接効果補正照射係数を演算する近接効果補正照射係数算出部５０と、近接効果補正照射係数と小影響半径現象補正照射係数とを用いて照射量を演算する照射量算出部５６と、照射量に基づいて、荷電粒子ビームを用いて、試料に当該図形パターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】搬送室とチャンバの温度差にかかわらず、基板をサセプタ上の所定位置に載置することのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】ロボットハンドで基板をチャンバの内部へ搬送し（Ｓ１０１）、基板支持部へ受け渡す（Ｓ１０２）。基板支持部を下降させて、サセプタの上に基板を載置する（Ｓ１０３）。基板を回転させながら温度測定を行う（Ｓ１０４）。放射温度計による測定結果と、エンコーダによる検出結果とを用いて、温度データと位置データを作成する（Ｓ１０５）。これらから基板の位置ずれ量を求めて（Ｓ１０６）、この位置ずれ量が許容値以下であるか否かを判定する（Ｓ１０７）。位置ずれ量が許容値より大きい場合には、搬送室内でロボットハンドの位置調整を行った後（Ｓ１０８）、次に成膜予定の基板をチャンバの内部へ搬送し、基板支持部を介してサセプタの上に載置する（Ｓ１０９）。 （もっと読む）

【課題】大気圧変動に伴う筐体の非対称変形によって荷電光学鏡筒が傾くことを抑制し、高精度な描画が可能な荷電ビーム描画装置の設計方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、内部に試料を載置するＸＹステージを有する筐体及び、電子ビームを試料に照射する電子光学鏡筒を有する電子ビーム描画装置の設計方法であって、筐体の天板の大気圧変化による変形を解析しＳ１０１、この解析に基づいて、筐体の天板の傾きが最も少ない位置を検出しＳ１０２、検出された位置に電子光学鏡筒を配置するＳ１０３。 （もっと読む）

【課題】ドリフトによる電子ビーム照射位置の変動を抑制して、所望のパターンを描画することのできる電子ビーム描画方法および電子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビームの主偏向領域の中心付近における位置ずれ量を求める。次いで、複数の位置ずれ量から補正値を求める。そして、この補正値から荷電粒子ビームの照射位置を補正する。主偏向領域の中心付近は、主偏向領域の中心を含む副偏向領域とすることができる。この場合、位置ずれ量は、副偏向領域における任意の１点についてのものとすることもできるし、副偏向領域における任意の複数の点の位置ずれ量の平均とすることもできる。 （もっと読む）

【目的】識別符号領域の疑似パターンを用いて描画前処理を実行することで、描画時間予測性に優れる、または、描画精度の高い荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【構成】主領域に描画するパターンが定義される主描画データを荷電粒子ビーム描画装置に入力する工程と、識別符号領域に描画するパターンの疑似パターンが定義される疑似識別符号描画データを生成する工程と、主描画データと疑似識別符号描画データを用いて、ショット密度またはパターン面積密度を算出する描画前処理工程と、識別符号領域に描画するパターンが定義される識別符号描画データを生成する工程と、主描画データを第１のショットデータに変換する工程と、第１のショットデータを用いて主領域の描画を行う工程と、識別符号描画データを第２のショットデータに変換する工程と、第２のショットデータを用いて識別符号領域の描画を行う工程と、を有する荷電粒子ビーム描画方法。 （もっと読む）

【目的】高精度なフォトマスクを実現するフォトマスクの製造方法を提供する。
【構成】荷電粒子ビーム描画装置に、化学増幅型レジストが塗布されたフォトマスクブランクスを搬入し、化学増幅型レジストに荷電粒子ビームを照射してフォトマスクブランクス上の複数の領域にパターンを順次描画し、フォトマスクブランクスを荷電粒子ビーム描画装置から搬出し、複数の領域毎に、描画開始からポストエクスポージャーベークの開始までの経過時間を算出し、複数の領域毎に算出される経過時間に基づき、複数の領域毎のポストエクスポージャーベークのプロセス条件を決定し、プロセス条件を複数の区画毎に変更可能なポストエクスポージャーベーク装置を用い、複数の領域毎に決定されたプロセス条件でポストエクスポージャーベークを行い、化学増幅型レジストを現像することを特徴とするフォトマスクの製造方法。 （もっと読む）