【目的】光量センサ出力と画像取得用のセンサ出力の応答速度のずれによる補正誤差を低減する。
【構成】パターン検査装置１００は、光源１０３と、被検査試料にレーザ光を照明する照明光学系１７０と、レーザ光の光量を測定する光量センサ１４４と、パターンの光学画像を撮像するＴＤＩセンサ１０５と、ＴＤＩセンサ１０５の出力タイミングが早い場合に、出力タイミングとの時間差分の期間、ＴＤＩセンサ１０５の出力データを一時的に記憶する記憶装置１４０と、光量センサ１４４の出力タイミングが早い場合に、出力タイミングとの時間差分の期間、光量センサ１４４の出力データを一時的に記憶する記憶装置１４２と、光学画像の階調値を時間差分ずらした時刻に出力された光量値を用いて補正する補正回路１４８と、比較対照となる参照画像を入力し、階調値が補正された光学画像と参照画像とを画素単位で比較する比較回路１０８と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体製造工程において、エピタキシャル膜の高品質を維持しながら生産性を向上させ、原料ガスの利用効率を向上させることが可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、ウェーハが導入され、成膜処理が行われる複数の反応室と、複数の反応室内に原料ガスをそれぞれ供給する複数の原料ガス供給ラインと原料ガス供給ラインにおける原料ガスの流量を制御する流量制御機構とを有する原料ガス供給機構と、複数の反応室内にキャリアガスをそれぞれ供給する複数のキャリアガス供給ラインを有するキャリアガス供給機構と、複数の原料ガス供給ラインの内、同時刻において少なくとも一つが開放状態となるように複数の原料ガス供給ラインをそれぞれ断続的に開閉し、原料ガスを供給する反応室を順次切り替える原料ガス切り替え機構と、を備える。 （もっと読む）

【課題】最終的に半導体基板に転写されるパターンの寸法誤差をより低減可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板に形成される予定の所望のパターンのパターン領域を複数の小領域に分割する工程（Ｓ１０２）と、小領域毎に、パターン寸法誤差がより小さくなる、転写用の照明光の形状と、転写する際に用いるマスク上に形成される、所望のパターンのうち当該小領域分を示す部分パターンが補正されたマスクパターンのパターン形状との組み合わせを取得する工程（Ｓ１０４〜Ｓ１０９）と、小領域毎に、組み合わせの形状の照明光でマスクパターンを半導体基板に転写することによって、分割された全ての小領域の部分パターンを順に多重露光する工程（Ｓ１２０，Ｓ１２２）と、多重露光された半導体基板上に前記所望のパターンを形成する工程（Ｓ１２６）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板ズレの解析を容易にする荷電粒子ビーム描画装置の基板ズレ評価方法を提供する。
【解決手段】実施の形態の荷電粒子ビーム描画装置の基板ズレ評価方法は、３軸加速度計を備える評価用基板を準備し、評価用基板を互いに直交する水平なＸ方向およびＹ方向に移動自在なステージに載置し、ステージを移動させる。そして、評価用基板に印加される加速度を３軸加速度計を用いて測定し、ステージのＸ方向の位置およびＹ方向の位置をレーザ干渉計を用いて測定し、位置の測定結果からステージに印加される加速度を算出する。さらに、評価用基板に印加される加速度とステージに印加される加速度を解析して、ステージと基板との相対位置のズレである基板ズレを評価する。 （もっと読む）

【目的】レジストを残す部分をパターンとするパターン形成を行なう場合でも寸法誤差を低減させる描画装置を提供すると共に、その装置を用いた描画方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、電子ビーム２００を照射する電子銃２０１と、電子ビーム２００を遮断する領域の両側に透過する領域を有する第１の成形アパーチャ部材２０３と、第１の成形アパーチャ部材２０３を透過した電子ビーム２００を偏向する成形偏向部２０５と、偏向された電子ビーム２００を遮断する領域の両側に透過する領域を有する第２の成形アパーチャ部材２０６と、第２の成形アパーチャ部材２０６を透過した電子ビーム２００が照射される試料１０１を載置するＸＹステージ１０５と、を備えたことを特徴する。本発明によれば、レジストを残す部分をパターンとする場合でも寸法誤差を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】データ転送速度を効率的に並列化し、描画のスループットを向上させる装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、送信側ユニット内に配置され、複数の処理データを略均等なデータ量になるように複数のグループに振り分ける振り分け処理部４０と、各グループに振り分けられた少なくとも１つの処理データが描画処理順序に対して降順に送信されるように複数のグループの処理データを並列に送信する複数の送信部５０，５２と、受信側ユニット内に配置され、他とは異なるグループの処理データが記憶されるように、並列に送信されてきた複数のグループの処理データを記憶する複数のメモリ７０，７１と、グループにかかわり無く描画処理順に複数の処理データを複数のメモリから読み出し、出力するデータ順番制御部９０と、描画処理順に出力された各処理データに基づいて、試料に荷電粒子ビームでパターンを描画する描画部１５０と、を備える。 （もっと読む）

【目的】より簡易に寸法変動補正を行うことが可能な装置を提供する。
【構成】描画装置１００は、パターンを構成する図形毎の座標とｘ，ｙ方向サイズと補正方向とが定義された図形データが示す補正方向についての当該図形の線幅寸法を演算する幅寸法演算部６２と、図形が配置されるメッシュ領域のパターン密度を演算するパターン密度算出部６０と、線幅寸法とパターン密度をパラメータとして用いて幅寸法を補正するドーズ補正係数を演算するドーズ補正係数算出部６４と、図形を描画するための第１の照射量に補正係数を乗じた第２の照射量を演算する照射量補正部７０と、第２の照射量で試料に図形を描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特定領域内の描画データを簡易に効率よく抽出することが可能な荷電粒子ビーム描画装置及び描画データの抽出方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビームを用いて試料にパターンを描画するための描画データを記憶する記憶部１ｉと、複数の階層から構成される描画データのうち抽出が要求されるデータ抽出領域Ｄ内の描画データについて、連続する２つの階層間でデータ抽出領域Ｄ内の描画データを抽出するに適したデータ構造を備える抽出対応データを生成するデータ生成部１０と、抽出対応データを基に抽出が要求されるデータ抽出領域Ｄ内の描画データを抽出するデータ抽出部１ｌとを備える。 （もっと読む）

【課題】装置の動作時においてダウンタイムを短縮できる電子銃、電子ビーム描画装置および電子銃の脱ガス処理方法を提供する。
【解決手段】電子銃２０は、電子を放出する電子源４と、電子源４との間で加速電圧が印加されるアノード６と、電子源４とアノード６との間に配置され、電子源４から放出された電子を収束させるウェネルト５と、ウェネルト５に向けて熱電子を放出する電子放出部１２とを有する。電子放出部１２から放出される熱電子をウェネルト５に衝突させて、ウェネルト５の温度を上昇させる方法に従い、効率の良い電子銃２０の脱ガス処理を実現する。電子ビーム描画装置８０は電子銃２０を用いて構成し、脱ガス処理に伴う装置のダウンタイムを低減する。 （もっと読む）

【目的】半導体製造工程で生じる寸法変動をより正確に補正する方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、露光用マスクのパターン作成領域から仮想分割されたメッシュ状の複数のマス目領域のマス目領域毎に含まれるパターンの面積と、かかるパターンの外周の辺の長さの総和とを用いてＣＤ寸法誤差を補正する補正量を算出する工程（Ｓ１０２〜Ｓ１０８）と、補正量が補正された寸法のパターンをレジスト膜が塗布された基板に露光する工程（Ｓ２０２）と、露光後に、レジスト膜を現像する工程（Ｓ２０４）と、現像後のレジストパターンを用いて、前記基板を加工する工程（Ｓ２０６〜Ｓ２１０）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）