【目的】荷電粒子ビームの偏向位置でのドリフト量を、短時間で評価する荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【構成】ステージ上に固定される複数の基準マークに荷電粒子ビームを照射し、基準マーク各々の基準位置情報を取得する基準位置情報取得工程と、ステージに載置される試料に荷電粒子ビームを照射し、試料にパターンを描画する第１の描画工程と、ステージを静止した状態で荷電粒子ビームを偏向させることにより、基準マークに順次荷電粒子ビームを照射し、基準マーク各々の評価位置情報を取得する評価位置情報取得工程と、評価位置情報と基準位置情報とを比較する比較工程と、比較工程の結果から荷電粒子ビームの偏向状態でのビーム位置のドリフト量を算出するドリフト量算出工程と、試料に荷電粒子ビームを照射し、試料にパターンを描画する第２の描画工程と、を有する荷電粒子ビーム描画方法。 （もっと読む）

【目的】パターン分割領域まで分割領域を設定しない場合でも、誤ったサイズでショット分割されず、かつ微小図形の発生を抑制する描画装置を提供する。
【構成】描画装置１００は、チップデータ内の各図形パターンデータを入力し、図形パターン毎に、ショット図形に分割された際の、分割後の各ショット図形のサイズおよび図形パターン内での配列位置が識別可能なショット分割イメージ情報を生成するショット分割処理部１２と、メッシュ領域毎に、当該メッシュ領域内に配置される分割後の各ショット図形を割り当てる割当処理部１４と、メッシュ領域毎に、割り当てられたショット図形数から当該メッシュ領域内を描画する際のショット数を演算するショット数演算部１６と、各メッシュ領域のショット数に基づいて、当該チップを描画するための描画時間を予測する描画時間予測部２４と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】温度測定マスクを装置から取り出さずに温度データを回収可能な荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置（１０１）は、真空ユニット（１４）と、真空ユニット内を真空化及び大気化する機能を有する真空化チャンバ（２１）と、真空ユニットからマスク基板が搬入され、マスク基板上に荷電粒子ビームによる描画を行う描画チャンバ（２４）とを備え、真空化チャンバ及び描画チャンバの各々は、マスク基板が、温度センサを有する温度測定マスクである場合に、温度測定マスクから送信された温度データ信号をチャンバ外部に取り出すための信号取り出し部（７２）を備え、荷電粒子ビーム描画装置はさらに、温度測定マスクが描画チャンバ内に設置されている際に、温度データ信号を信号取り出し部を通じて取得し、温度データ信号に基づいて、描画チャンバ用の温度調整装置の動作を制御する制御器（７４）を備える。 （もっと読む）

【課題】マップデータを高速かつ高精度に表示することが可能なマスク製造用装置を提供する。
【解決手段】マスク製造用装置は、メッシュ値を有する複数のメッシュからなるマップデータを取得するマップデータ取得部（２２１）と、マップデータを表示するための表示画面を有する表示部（２０４）と、表示画面のピクセルサイズよりも大きい擬似ピクセルサイズを設定する設定部（２２２）と、表示画面上のピクセルを擬似ピクセルにグループ化するグループ化部（２２３）と、表示画面上におけるメッシュのメッシュサイズが、擬似ピクセルサイズのα倍（αは正の定数）よりも小さい場合に、各擬似ピクセル内のメッシュのメッシュ値の平均値を算出する平均値算出部（２２４）と、擬似ピクセル内の各ピクセルを、平均値に対応する表示色で表示することにより、表示画面上にマップデータを表示する表示処理部（２２５）とを備える。 （もっと読む）

【課題】ホワイトスポットを除去して検査精度を向上させることのできる検査装置および検査方法を提供する。
【解決手段】複数の撮像素子が直線状に配列されたラインセンサによって取得された３ライン分の画像データを蓄積し（Ｓ２_１）、この内の中央ラインの各画素について、対象となる画素と、この周囲に隣接する８つの画素との階調値の差を求め、得られた８つの差の全てが第１の閾値を超える場合に対象となる画素を疑似欠陥と判定する（Ｓ２_２）。８つの画素について階調値の平均を算出し、得られた値を対象となる画素の階調値と置き換える（Ｓ２_３）。また、疑似欠陥の判定が行われたストライプと同じストライプについてラインセンサで光学画像を再度取得し、得られた画像データを前回得られた画像データと置き換えることもできる。 （もっと読む）

【課題】電子銃室内におけるパーティクルを効率良く、かつ確実に除去することによって放電の可能性を低減させることができる電子銃、荷電粒子ビーム描画装置及びパーティクルの除去方法を提供する。
【解決手段】電子を放出する電子源１１ｃと、電子源１１ｃから放出される電子を収束するウエネルト１１ｄと、を含むカソード１１ａと、電子源１１ｃとの間で加速電圧が印加されるアノード１１ｂと、カソード１１ａとアノード１１ｂとを納める電子銃室１１ｅに接続され、電子銃室１１ｅ内を真空状態に作出する真空排気系１１ｌと、真空排気系１１ｌと対向する位置に設けられ、電子銃室１１ｅ内に気体を導入する気体導入口１１ｍと、を備え、ウエネルト１１ｄには、ウエネルト１１ｄに付着するパーティクルＰを除去する際にウエネルト１１ｄに電圧を印加するパーティクル除去用電源機構２６が接続されている。 （もっと読む）

【課題】超微細な補助パターンを備えたＥＵＶマスクとその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０１上に高透過率・低反射層と低透過率・高反射層とを交互に積層して、ＥＵＶ光を反射する反射層１０２を形成する。次に、反射層１０２の上に、ＥＵＶ光を吸収する吸収層１０５を形成する。次いで、吸収層１０５を、転写対象面に転写される主パターン１０７の形状に加工した後、主パターン１０７の近傍に、転写対象面に転写されない補助パターン１０８を形成する。補助パターン１０８を形成する工程では、反射層１０２に電子ビーム２０４を照射して、高透過率・低反射層と低透過率・高反射層の固溶体を形成する。 （もっと読む）

【目的】最終ストライプのデータ処理領域内に割り当てられるセルの数が、他のストライプ領域でのデータ処理領域に比べて突出して多くなることを抑制する。
【構成】描画装置１００は、最終段のストライプ領域の幅がストライプ領域幅よりも狭くなる場合には、最終段のストライプ領域と最終段のストライプ領域から１つ前のストライプ領域とを合成して１つのストライプ領域になるように分割するストライプ分割部１２と、分割されたストライプ領域毎に、ビームのショット数が同等になるように当該ストライプ領域を複数の処理領域に分割するＤＰＢ分割部１４と、ストライプ領域毎に、複数の処理領域について並列的に内部のパターン密度を演算する密度演算部２０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】描画データ中の図形の重なりの異常を効率よく検査する荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】複数の図形が配置された描画領域に関する情報を備える描画データを記憶する描画データ記憶部と、描画領域を第１のメッシュで分割する描画領域分割部と、第１のメッシュで区切られる第１の区画内の図形の面積値を求める第１の演算部と、第１の区画内の面積値を所定の閾値と比較する比較部と、複数の隣接する第１の区画内の面積値を加算することにより、第１のメッシュよりもメッシュサイズの大きい第２のメッシュで区切られる第２の区画内の図形の面積値を求める第２の演算部と、第２の区画内の面積値を用いて、近接効果補正用データを生成する近接効果補正部と、描画データを読み出し、ショットデータに変換するショット変換部と、ショットデータに、近接効果補正用データから算出される照射量データを割り当てる割り当て部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】アパーチャへの汚染物質の付着を抑制することのできる荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム描画装置は、電子銃６から放出された電子ビーム５４を所定形状にする第１のアパーチャ１７と、第１のアパーチャ１７を透過した電子ビームを所望の形状と寸法のショットにする第２のアパーチャ１８とを有する。実描画が行われていないときに、第２のアパーチャ１８の開口部の周囲であって第２のアパーチャ１８によって遮蔽される複数の位置に電子ビームを偏向し、各位置に所定の照射量の電子ビームが照射されるようにする偏向制御部３０を備える。偏向制御部３０は、ステージ駆動回路４から情報を取得して実描画が行われているか否かを判断し、位置回路５からの情報を基に電子ビーム５４の偏向位置を決定する。 （もっと読む）