サンプルを検査する装置は、サンプルの表面のエリアに光学放射を向けるように適応された放射ソースと、複数の像センサとを備えている。各像センサは、上記エリアから異なる各々の角度範囲へ散乱された放射を受け取って、上記エリアの各像を形成するように構成される。像プロセッサは、各像の少なくとも１つを処理して表面上の欠陥を検出するように適応される。
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特徴部を評価する方法であって、前記特徴部の画像を受け取るステップと、前記画像において前記特徴部のエッジ上で、複数の突端の、それぞれの座標を決定するステップからなる前記方法。非円の非線状形状を有する図形は、複数の突端に適合され、その複数の突端と図研との間の、それぞれの距離が決定される。特徴部のための粗さパラメータは、それぞれの距離に応じて計算される。上記方法は、電子走査型顕微鏡（ＳＥＭ）により結像されるように、集積回路の限界寸法（CD）の分析において、更に、特に、これらの特徴部と構成要素の測定において応用を見出す。
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本発明は、方法および測定システムを提供する。当該方法は：測定画像情報を含む測定モデルを提供するステップと；上記測定画像情報を利用することにより測定領域を突き止めるステップと；測定結果情報を提供する為に少なくとも一つの測定を実施するステップと；を含む。
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本発明は、液体金属イオン源を制御する為のシステム及び方法を提供し、液体金属イオン源は、先端、第１電極、第２電極を備え、上記方法は、（ｉ）第１電圧レベルの範囲内で第１電極を維持し、第２電圧レベルの範囲内で第２電極を維持し、液体金属イオン源のアクティブモード動作中、液体金属イオン源の先端に形成される金属イオンを抽出するステップ、（ｉｉ）第３電圧レベルの範囲内で第１電極を維持し、第４電圧レベルの範囲内で第２電極を維持し、液体金属イオン源のアイドルモード動作中、先端からの金属イオンの抽出をかなり減少させるステップを含む。第３電圧レベルの範囲と、代替え的あるいは追加的に、第４電圧レベルの範囲は、ゼロ電圧レベルを含まない。第１電圧レベルの範囲は、第３電圧レベルの範囲とは異なる。
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マルチ検出器（１４、４０）による電子検出システムおよび方法であって、該方法は、カラムを介して一次電子ビームを向けて被検査オブジェクト（ウェーハ）と相互作用させるステップと、実質的な静電界を導入することによって、該被検査オブジェクト（ウェーハ）から反射または散乱された電子を複数の内面検出器（１４、４０）に向けるステップであって、該向けられた電子の少なくとも一部が該被検査オブジェクト（ウェーハ）に対して小さな角度で反射または散乱されるステップと、少なくとも１つの内面検出器から検出信号を受け取るステップと、を含む。 （もっと読む）

第１横断区分と第２横断区分との間に置かれた中間区分により画成されるサブミクロン断面を有する被測定構造素子の断面特徴を決定するためのシステム及び方法。この方法は、基準構造素子の第１部分と、上記被測定構造素子の少なくとも第１横断区分とを第１の傾斜状態で走査して、上記基準構造素子と上記第１横断区分との間の第１関係を決定する第１ステップで開始する。この第１ステップの後に、基準構造素子の第２部分と、上記被測定構造素子の少なくとも第２横断区分とを第２の傾斜状態で走査して、上記基準構造素子と上記第２横断区分との間の第２関係を決定する第２ステップが続く。この方法は、上記第１関係及び第２関係に応答して上記被測定構造素子の断面特徴を決定する第３ステップで終了となる。 （もっと読む）

ウェハ検査のための方法及び装置。この装置は、少なくとも部分的に導電性の第１層と、該第１層の上に形成された第２の誘電体層とを有するサンプルであって、第２層に接触開口を形成した後のものであるサンプルをテストすることができる。この装置は、（ｉ）荷電粒子の高電流ビームを指向して、サンプルのエリアにわたり分布した複数の場所における非常に多数の接触開口に同時に照射させるよう適応された電子ビーム源と、（ii）複数の場所における非常に多数の接触開口の照射に応答して第１層に流れる試料電流を測定するよう適応される電流測定装置と、（iii）測定に応答して少なくとも欠陥ホールの指示を与えるように適応されたコントローラと、を備えている。 （もっと読む）

プロセス監視のための方法は、エッチングプロセスによる第２の層におけるコンタクト開口の生成に続いて、少なくとも部分的に導電性の第１の層と、該第１の層の上に形成された該第２の層とを有するサンプルを受け取るステップを含んでおり、該コンタクト開口は異なるそれぞれの横方向寸法を有する複数のテスト開口を含む。帯電粒子ビームは該テスト開口を照射するために向けられる。該ビームに応答して、該第１の層を流れる試料電流と、該サンプルの表面から放出された電子の全歩留まりの少なくとも一方が測定されることによって、エッチングインジケータ信号を生成する。該エッチングインジケータ信号は、該エッチングプロセスの特徴を評定するために該テスト開口の該横方向寸法の関数として分析される。 （もっと読む）