本発明は、ナノワイヤ構造およびかかる構造を含む相互接続型ナノワイヤネットワーク、ならびにその作製方法に関する。ナノワイヤ構造は、ナノワイヤコア、炭素主体層を備え、さらなる実施形態では炭素主体構造を、例えば、ナノワイヤコア上に形成され、該ネットワーク内のナノワイヤ構造を相互接続するグラフェンからなるナノグラファイト板を備える。該ネットワークは、膜または粒子に形成され得る多孔質構造である。ナノワイヤ構造およびこれを用いて形成されるネットワークは、触媒および電極適用用途、例えば燃料電池、ならびに電界放出デバイス、担持体基材およびクロマトグラフィー適用用途に有用である。 （もっと読む）

ナノ構造体、例えばナノワイヤのドーピング方法を開示する。該方法は、現行のナノ構造体のドーピング方法を改良する様々な手法を提供する。実施形態としては、ナノ構造体合成後のドーピング中における、ナノ構造体内の均一なドーパントの分布を促進するための犠牲層の使用が挙げられる。別の実施形態では、高エネルギーイオン注入が使用される場合に、ナノ構造体の損傷をアニーリングするために高温環境が使用される。別の実施形態では、ナノ構造体上のドーパント層からドーパントをナノ構造体に送り込むために、高速熱アニーリングが使用される。別の実施形態では、ナノワイヤをプラスチック基板上にドーピングする方法が提供され、該方法は、プラスチック基板をドーピング処理の間の損傷から保護するために、プラスチック基板上に誘電体スタックを蒸着する工程を含む。
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改良ゲート構造を有する電子デバイスのための方法、システムおよび装置が記載される。電子デバイスは、少なくとも１つのナノワイヤを含む。ゲート接点は、少なくとも１つのナノワイヤの長さの一部分に沿って位置決めされる。誘電材料層は、ゲート接点と少なくとも１つのナノワイヤとの間にある。ソース接点およびドレイン接点は、少なくとも１つのナノワイヤと接触している。ソース接点またはドレイン接点の少なくとも一部分は、ナノワイヤ長さに沿ってゲート接点と重複する。電子デバイスは、絶縁シェル層によって取り囲まれた半導体コアを有するナノワイヤを含み得る。リング形状の第１のゲート領域は、ナノワイヤの長さの一部分に沿ってナノワイヤを取り囲む。第２のゲート領域は、ナノワイヤと基板との間のナノワイヤに沿って位置決めされる。ソース接点とドレイン接点は、半導体コアの個々の剥き出た部分でナノワイヤの半導体コアにカップルされる。
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ナノワイヤーのようなナノ構造を使用した人工誘電体を開示する。いくつかの実施態様では、ナノロッド、ナノチューブ、ナノリボンなどのような他のナノ構造を使用した人工誘電体を開示する。人工誘電体は、誘電体材料内に埋め込まれた複数のナノワイヤー（または他のナノ構造）を有する誘電体材料を含む。ナノ構造を使用した人工誘電体によって、非常に高い誘電率を達成することができる。ナノ構造の長さ、直径、キャリア密度、形状、アスペクト比、配向性、および密度を変化させることによって、誘電率を調整することができる。加えて、制御可能な人工誘電体に電界を印加することによって、誘電率を動的に調整することができる、ナノワイヤーのようなナノ構造を使用した制御可能な人工誘電体を開示する。様々な電子デバイスが、ナノ構造を有する人工誘電体を使用して性能を向上させることができる。
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ナノクリスタルを生成するためのプロセスおよびこのプロセスによって生成されたナノクリスタル。このプロセスは、金属前駆体を、配位溶媒、および必要に応じて界面活性剤および金属触媒を含む混合物と接触させ、第１の前駆体混合物を形成する工程を-包含する。このプロセスはまた、上記第１の前駆体混合物を第１の温度に加熱する工程、およびこの第１の前駆体混合物を、第Ｖ族または第ＶＩ族前駆体であり得る第２の前駆体と接触させ、第２の温度で反応混合物を形成する工程を包含する。これらプロセスは、上記反応混合物を第３の温度で加熱してナノクリスタルを成長する工程をさらに包含し、それによって、この第２の温度は、上記第１の温度から約１５℃を超えないでより低い。この図は、このナノクリスタル生成プロセスを図示するフローチャートである。
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本発明は、ナノマテリアル、特に細長いナノワイヤーマテリアルを集積し、組み込み、利用する方法に関する。本発明は、ナノワイヤー成長基板上に配置された犠牲層を選択的にエッチングしてナノワイヤーを取り出すことを含むナノワイヤーの集積方法を提供する。本発明はまた、円筒の外面をナノワイヤーの流動性懸濁液と接触させて配置し、ナノワイヤーで被覆された円筒を回転させて表面にナノワイヤーを被着させることを含むナノワイヤーを電子機器に組み込む方法を提供する。また、インクジェットプリンターを使用するか又はナノワイヤーを整列させるための開口を使用してナノワイヤーを被着させる方法が提供される。本発明の別の局面は、ナノワイヤーベースのトランジスタにおけるゲート短絡の防止方法を提供する。ナノワイヤーを集積し、組み込む追加の方法が提供される。
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本発明は、ナノワイヤを製造するための組成物、システムおよび方法に関する。実施形態において、緩衝層は、ナノワイヤ成長基板上に配置され、そして触媒のナノ粒子は、触媒被覆されたナノワイヤ成長基板を形成するために添加される。この触媒被覆されたナノワイヤ成長基板を構築し、そして使用する方法が、開示される。本発明のさらなる局面において、実施形態では、ナノワイヤを製造する箔ローラーを使用する、ナノワイヤ成長システムが、提供される。
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複数の半導体デバイスを有する電子的な基板を得るための方法および装置が、説明される。ナノワイヤ薄膜が、基板上に形成される。ナノワイヤ薄膜は、動作電流レベルを達成するのに十分なナノワイヤの密度を有するように形成される。複数の半導体領域が、ナノワイヤ薄膜に画定される。コンタクトが、半導体デバイス領域において形成され、それによって、電気的な接続を複数の半導体デバイスに提供する。さらに、ナノワイヤを製造するための様々な材料、ｐ型ドーピングナノワイヤおよびｎ型ドーピングナノワイヤを含む薄膜、ナノワイヤヘテロ構造、発光ナノワイヤヘテロ構造、ナノワイヤを基板上に配置するためのフローマスク、ナノワイヤを成膜するためのナノワイヤ噴霧技術、ナノワイヤにおける電子のフォノン散乱を減少または除去するための技術、および、ナノワイヤにおける表面準位を減少させるための技術が、説明される。
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ナノワイヤを実装したマクロエレクトロニクス基板材料を開示する。これらの基板材料によれば、多種多様な用途に用いられる基礎的な電子素子（トランジスタなど）が得られる。また、このようなマクロエレクトロニクス基板材料の製造方法を開示する。用途の一つとして、小型・軽量センサにおけるＲＦ(高周波)信号の送受信がある。このようなセンサは、分散型センサネットワークの形に構成してセキュリティ監視用に提供することができる。さらに、高周波識別（ＲＦＩＤ）タグを得るための方法および装置を開示する。ＲＦＩＤタグは、アンテナおよびビームステアリング・アレイを有する。ビームステアリング・アレイは、複数の同調可能素子を有する。また、ナノワイヤの使用により可能となる音響打消しデバイスおよび可調移相器を得るための方法および装置を開示する。
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本発明は、ナノワイヤを用いたディスプレイを目的とする。特に、ナノワイヤ画素トランジスタ、ナノワイヤロウトランジスタ、ナノワイヤカラムトランジスタおよびナノワイヤエッジ電子回路を用いた液晶ディスプレイについて説明する。ナノワイヤ画素トランジスタは、液晶を含む画素に印加される電圧制御に使用される。１対のナノワイヤロウトランジスタに接続されたロウトレースに沿って配置されたナノワイヤ画素トランジスタをオン／オフするために使用される。ナノワイヤカラムトランジスタは、ナノワイヤカラムトランジスタに接続されたコラムトレースに沿って配置されたナノワイヤ画素トランジスタ全面に印加される電圧を制御するために使用される。
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