【課題】Ｒ２ＲモデルでのＶＭのデータ品質を効果的に考量でき、Ｒ２Ｒ制御及び測定遅延のＶＭフィードバックループでの信頼度を考量できない問題を克服し、且つ、ＡＰＣ効能を向上させる方法を提供する。
【解決手段】ＡＰＣシステムは、工程ツール１００と、測定ツール１１０と、仮想測定（ＶＭ）モジュール１２０と、信頼指数（ＲＩ）モジュール１２２と、Ｒ２Ｒコントローラ１３０とを備える。工程ツールに使用される、複数の履歴ワークを処理するための複数組の履歴工程データを取得し、測定ツールによって履歴ワークの複数の履歴測定データを取得する。複数組の履歴工程データ及び履歴測定値を用いることによって、推定アルゴリズムに基づいて推定モデルを構築し、複数組の履歴工程データとそれらに対応する複数組の履歴測定値を用いて、参照モデルを構築する。Ｒ２Ｒコントローラは工程ツールを制御して、工程ランを実行させる他のステップを実行する。 （もっと読む）

【課題】 従来のものよりも、設置コストとランニングコストの安価なバイオバリアを提供することを課題とする。
【解決手段】 上記課題を解決するために本発明は、バイオバリアを適当な電圧が印加される少なくとも１個の導電性繊維層と、前記導電性繊維層の隣辺に設置される陰極とを備えた透過性電気化学式のものとすることで解決した。また、その使用方法としては、少なくとも１個の導電性繊維層及び前記導電性繊維層の隣辺に設置される少なくとも１個の陰極とを備える透過性電気化学式バイオバリアを提供するステップと、前記透過性電気化学式バイオバリアに適当な電圧を印加するステップとを備えた。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、従来技術における問題を解決する中空のナノチューブ構造の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明のナノチューブの製造方法は、以下のステップを備える。基板１を準備する。前記基板１上に先ずシード層１１を形成させてから、水熱法によって相対的に低い温度下で前記シード層１１上に所定のサイズを有するナノワイヤを成長させる。前記ナノワイヤの表面に外部被覆層を形成させる。前記外部被覆層の先端に選択エッチングを施して、前記ナノワイヤの先端を露出させる。前記ナノワイヤ全体を取り除いて、中空状の前記外部被覆層を残して、数個のナノチューブ3’を形成させる。前記製造方法は、ナノチューブの製造工程を簡素化し、ナノチューブのサイズの精度及び素子の光電特性を高める。 （もっと読む）

【課題】バーチャル測定の精度を良好に保持することができる自動バーチャル測定のシステムおよびその方法を提供する。
【解決手段】自動バーチャル測定のシステムは、プロセスデータを基に第１のワークを生産する第１のプロセス装置２０ａと、プロセスデータを用いてそれぞれ生産したワークの実測データである複数の履歴測定値と、第１のワークの第１の実測値とを有する第１の測定装置２２ａと、履歴プロセスデータおよび履歴測定値を収集する第１の自動バーチャル測定サーバ３０ａと、履歴プロセスデータおよび履歴測定値を用いてバーチャル測定を構築するモデル構築サーバ６０と、第２のプロセスデータを基に第２のワークを生産する第２のプロセス装置２０ｂと、第２のワークの第２の実測値を測定する第２の測定装置２２ｂと、バーチャル測定モデルを用いて第２のワークのバーチャル測定を行う第２の自動バーチャル測定サーバ３０ｂとを含む。 （もっと読む）

【課題】金属−半導体トランジスタ式の水素感知器及び、半導体プロセスと無電気メッキ技術を結合することにより、水素感知器を製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体ベースを形成するステップと、該半導体ベースに半導体緩衝層が設けられるステップと、該半導体緩衝層に半導体主動層が設けられるステップと、該半導体主動層に半導体ショットキー接触層が設けられるステップと、該半導体ショットキー接触層に半導体ハット層が設けられるステップと、該半導体ハット層にオーム金属接触電極層が設けられるステップと、該半導体ショットキー接触層に無電気メッキ技術でゲート電極とするショットキー金属接触電極層が設けられるステップとを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】２段階の仮想測定値を取得するとともに迅速性および正確性を兼備えた２段階仮想測定方法を提供する。
【解決手段】２段階仮想測定方法は、生産装置の複数組の履歴工程パラメータデータを取得するステップと、複数組の履歴工程パラメータに基づいてそれぞれ生成するワークの測定値である複数の履歴測定値を測定装置から取得するステップと、複数組の履歴工程パラメータデータおよび複数の履歴測定値を用い、推定アルゴリズムに基づいて第１の推定モデルを構築するステップと、生産装置から送られる複数のワークの工程パラメータデータの収集待ちを行うステップと、生産装置から送られるワークのうちの１つの工程パラメータデータの収集が完了した後、直ちに第１段階推定ステップを行うステップと、ワークのうちの１つの抜き取りサンプル測定されたワークの実測値を測定装置から取得すると、第２段階推定ステップを行うステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】放熱金属の放熱機能を十分に発揮し、半導体素子の放熱能力をさらに高める半導体素子の金属製ヒートシンクの製造方法を提供する。
【解決手段】互いに表裏の関係である第１の表面１０４と第２の表面１０６とを有し、第１の表面１０４を仮基板１００の表面上に接着させる粘着テープ１０２を準備する工程と、互いに表裏の関係である第１の側と第２の側とを有し、第１の側を粘着テープ１０２の第２の表面１０６の一部に圧着させて第２の側を露出させる半導体素子を準備する工程と、半導体素子の第２の側上と粘着テープ１０２の第２の表面１０６の露出部分上とに、金属薄層１１４を形成する工程と、金属薄層１１４上に金属製ヒートシンクを形成する工程と、粘着テープ１０２及び仮基板１００を除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】生産装置が加工中のプロセスパラメータと、製品の過去数ロットの実際測定値とを基に、将来生産される製品品質を予測する。
【解決手段】本発明は主に推測モデル手段１００および予測モデル手段２００の二つからなり、その推測方法および予測方法は、実際の生産装置の特性に合わせて選択され、推測モデル手段１００にはバーチャル測定を用いることができる。また、本発明は自己探索手段１６０および自己調整手段１８０をさらに備え、アルゴリズムにより最適なパラメータおよび関数の組み合わせを選択して、新しい生産装置２０の特性および推測／予測精度の要求を満たす。 （もっと読む）