ナノスケール配線の電気伝導を制御する方法を示した。ナノスケール配線には、軸方向および／または半径方向に分布する制御可能領域が設けられる。ミクロスケール配線または追加のナノスケール配線によって、これらの領域を制御することにより、ナノスケール配線の電気伝導を可能にしたり、遮断したりすることができる。制御可能領域には２の異なる種類がある。例えば第１の制御可能領域は、第２の制御可能領域とは異なるドーピング特性を示す。この方法では、サブパターン転写ピッチで束ねられた１または２以上のナノスケール配線組を別々に選択することができる。 （もっと読む）

位相配列受信機が、一つのシリコン回路基板上に、完全に集積され、組み立てられるように適合させられている。位相配列受信機は２４ギガヘルツの信号を受信するように動作し、シリコンゲルマニウムバイシーモス技術で形成された８個の要素を含むよう適合されることも可能である。位相配列受信機はヘテロダイントポロジーを用いて、信号重ね合わせは４．８ギガヘルツの中間周波数で行われる。４ビットの分解能を持つ位相シフトが第１段ダウンコンバージョンミキサーの局部発振器端子で実現される。リングＬＣ電圧制御発振器が局部発振器の異なる１６の位相を発生させる。集積された１９．２ギガヘルツの周波数シンセサイザが電圧制御発振器の周波数を７５メガヘルツの外部基準へとロックする。各信号経路は４３ｄＢの利得、７．４ｄＢのノイズフィギュア、−１１ｄＢの3次入力インターセプトポイントを達成する。８経路配列は６１ｄＢの配列利得、２０ｄＢのピークトウヌル比を達成し、出力での信号雑音比を９ｄＢ改善する。
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