【課題】半導体製造時洗浄工程において、ウェハー表面上のフォトレジスト残留物、他の残留物及び不純物が完全に除去されない場合がある。
【解決手段】システムは超臨界処理チャンバーに連結されたメトロロジーモジュールを含み、本願の方法はメトロロジーチャンバー内の基板ホルダ上に基板を配置し、基板の少なくとも一つのフィーチャー内の残留物を測定し、測定された残留物に基づき超臨界洗浄プロセス処方を決定し、メトロロジーチャンバーに連結された超臨界処理チャンバー内の基板ホルダ上に基板を配置し、決定された超臨界洗浄プロセス処方を用いて超臨界流体で基板を洗浄し、超臨界処理チャンバーから基板を取り出すことを含む。前記方法は、メトロロジーチャンバー内での基板の再配置、及び基板の少なくとも一つのフィーチャー内に残存する残留物の測定をさらに含む。 （もっと読む）

Ｃｕメタライゼーション段階での、バリヤ／シード層として利用可能な低抵抗ルテニウム金属層の低温化学気相成長法。当該方法（３００）は、堆積システム（１，１００）のプロセスチャンバ内に基板（２５，１２５）を供する工程、ルテニウムカルボニル先駆体蒸気を含むプロセスガス及びＣＯ含有ガスを生成する工程、並びに熱化学気相成長法によって、基板（２５，１２５）をプロセスガスに曝露して、基板（２５，１２５）上に低抵抗ルテニウム金属層（４４０，４６０）を堆積する工程、を有する。曝露中、基板（２５，１２５）は約１００℃から約３００℃の間の温度に維持されている。１以上のビア若しくは溝又はこれらの結合を含む、パターニング基板上に形成されたルテニウム金属層（４４０，４６０）を有する半導体素子が供される。
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ルテニウム金属層（５６０）を形成する方法は、成膜システム（１、１００）の処理チャンバ（１０、１１０）内に、パターン化された基板（２５、１２５、５００）を提供するステップであって、前記パターン化された基板（２５、１２５、５００）は、１もしくは２以上のビア、溝またはこれらの組み合わせを有するステップと、原子層成膜処理法で、前記基板（２５、１２５、５００）上に、第１のルテニウム金属層（５４０）を成膜するステップと、熱化学気相成膜処理法で、前記第１のルテニウム金属層（５４０）の上部に、第２のルテニウム金属層（５５０）を成膜するステップと、を有する。成膜されたルテニウム金属層（５６０）は、めっきの拡散バリア層、シード層、またはその両方に使用される。
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超臨界状態にある二酸化炭素のような超圧流体で基板（１０５，２０５）を処理するための方法およびシステム（１００，２００）を説明する。プロセス成分が、基板表面を処理するための高圧流体に導入される。このプロセス成分はフルオロケイ酸を有する。
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多数変数制御器を含む適応性実時間プロセスシステムが提供される。この方法は、単分子層プロセスシステムの動的モデルを生成し、この動的モデルに仮想センサを組み込む。この方法は、インテリジェント設定点、動的モデル、かつ／または仮想センサを含むプロセス・レシピを使用する。
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多重変数制御器を含む適用性のある実時間熱プロセスシステムが提示される。その方法は、単分子層堆積システムの動的モデルを作成し、動的モデルに仮想センサを導入する。その方法は、インテリジェント設定点、動的モデル、かつ／または仮想センサを含むプロセス・レシピを使用することを含む。
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【課題】高圧処理システムにおいて高圧流体を流す方法及びシステムを提供することである。
【解決手段】基板（１０５）を高温処理を用いて超臨界流体によって処理する方法及びシステム（１００）を提供する。例えば、超臨界流体は超臨界状態で二酸化炭素を含み、高温処理は、約３１℃の臨界温度より高い８０℃とほぼ同じ以上の温度で実施する。 （もっと読む）

一酸化炭素ガス及び希釈ガスを用いる金属カルボニル前駆体（５２、１５２）からの金属層（４４０、４６０）の堆積速度を増加する方法（３００）及び堆積システム（１、１００）に関する。この方法（３００）は、堆積システム（１、１００）のプロセスチャンバ（１０、１１０）に基板（２５、１２５、４００、４０２）を用意し、金属カルボニル前駆体の気相原料と一酸化炭素ガスとを含むプロセスガスを生成し、プロセスチャンバ（１０、１１０）においてプロセスガスを希釈し、基板（２５、１２５、４００、４０２）を希釈されたプロセスガスに晒して、熱化学気相堆積プロセスにより、基板に金属層（４４０、４６０）を堆積する。堆積システム（１、１００）は、気相原料分散システム（３０、１３０）を有するプロセスチャンバ（１０、１１０）で基板（２５、１２５、４００、４０２）を支持し加熱するよう構成される基板ホルダ（２０、１２０）と、金属カルボニル前駆体の気相原料と一酸化炭素ガスとを含むプロセスガスを生成し、これを気相原料分散システム（３０、１３０）へ導入するよう構成される前駆体供給システム（１０５）と、プロセスチャンバ（１０、１１０）にてプロセスガスに希釈ガスを加えるよう構成される希釈ガス源（３７、１３７）と、基板（２５、１２５、４００、４０２）を希釈プロセスガスに晒して金属層（４４０、４６０）を熱化学気相堆積プロセスにより堆積する間、堆積システム（１、１００）を制御するよう構成される制御器（１６５）とを含む。
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固相先駆体（３５０）の曝露された表面領域を増大させることによって、成膜速度を増大させるための、高コンダクタンスの蒸気分配システム（４０，１４０）と結合する、高コンダクタンスの、マルチトレイの固相先駆体気化システム（５０，１５０，３００，３００’）について説明する。多重トレイの固相先駆体気化システム（５０，１５０，３００，３００’）は、１つ以上の上部トレイ（３４０）を有する底部トレイ（３３０）を有する。各トレイ（３３０，３４０）は、膜の先駆体（３５０）を、固体の粉末状又は固体の錠剤状に支持及び維持するように備えられている。それに加えて、各トレイ（３３０，３４０）は、膜の先駆体（３５０）にわたって高コンダクタンスのガス流を供する一方で、膜の先駆体（３５０）は加熱される。たとえばキャリアガスは、膜の先駆体（３５０）上の内側を流れ、積層可能なトレイ（３４０）内部のフローチャネル（３１８）を垂直上方に流れ、かつ固相先駆体気化システム（５０，１５０，３００，３００’）内の排気口（３２２）を流れる。
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【課題】超臨界流体を使用して基板を処理するための方法およびシステムを提供する。
【解決手段】高温プロセスを用いる超臨界流体を有する基板（２０５、２０５、３０５）を処理するための方法およびシステム（１００、２００）が説明される。例えば、超臨界流体が超臨界状態にある二酸化炭素を含むとき、高温プロセスは、８０℃にほぼ等しいか、または８０℃より高い温度で実行され、これは、約３１Ｃの臨界温度より高い温度である。 （もっと読む）