成膜システム（1）内の基板（25）の粒子コンタミネーションが抑制される方法およびシステムが提供される。成膜システムは、1または2以上の粒子拡散器（47）を有し、これらは、膜前駆体粒子の流通を防止し、または一部防止するように構成され、あるいは膜前駆体粒子を分解し、または部分的に分解するように構成される。粒子拡散器は、膜前駆体蒸発システム（50）、蒸気供給システム（40）、蒸気分配システム（30）、またはこれらの2以上の内部に導入されても良い。
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高コンダクタンスな蒸気供給システム（40）に結合された、高コンダクタンスのマルチトレイ膜前駆体蒸発システム（1）は、膜前駆体の露出表面積を増大させることにより、成膜速度が高められる。マルチトレイ膜前駆体蒸発システム（50）は、1または2以上のトレイ（340）を有する。各トレイは、例えば固体粉末形態または固体タブレット形態の膜前駆体（350）を支持し、保持するように構成される。また、各トレイは、膜前駆体を加熱したまま、膜前駆体の上部に、キャリアガスの高コンダクタンスな流れを提供するように構成される。例えば、キャリアガスは、固体前駆体蒸発システム内の積層可能なトレイ内で、膜前駆体の上部を内側に流れ、その後、フローチャネル（318）を介して、上方に垂直に流れ、出口（322）を介して排出される。
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【課題】膜前駆体（３５０）の露出表面積を向上させることにより成膜速度を向上するため、高伝導性の気相供給システム（４０）に結合された、高伝導性のマルチトレー膜前駆体蒸発システム（５０、３００）を示した。
【解決手段】マルチトレー膜前駆体蒸発システムは、１または２以上のトレー（３３０、３４０）を有する。各トレーは、例えば、固体粉末状または固体タブレット状の膜前駆体を支持し、保持するように構成される。また、膜前駆体が加熱されている間、各トレーは、膜前駆体の上部に流れるキャリアガスに、高い導電性が提供されるように構成されても良い。例えば、キャリアガスは、膜前駆体の上方から内方に流れ、積層可能なトレー内の流束溝を介して垂直に上方に流れ、固体前駆体蒸発システム（３００）の出口（３２２）から排出される。 （もっと読む）

スループットを最大化するためにバッチ処理を採用し、且つ反応種を効率的に作り出し化学的消費量を最小化するために蒸気又は気体処理を用いる上流のプラズマ活性化源を採用したフォトレジスト剥離を提供する。上流のプラズマ活性化源は、基板表面のフォトレジストから遠隔で反応種を効率的に作り出す。処理チャンバーの上流のリモートプラズマ生成装置、又は処理空間の上流の、処理チャンバー内の一体化プラズマユニットが用いられる。プラズマプロセスガスはウェハスタックの一方側から導入され、ウェハを横切って流れる。プロセスガスはカラム内のウェハ表面を横切ってカラムの反対側の排気口へと流れ、カラムは回転される。上流のプラズマ活性化源により、剥離プロセスは例えば６００℃未満の低温で行われ、特にＢＥＯＬプロセスにて有利となる。ドライとウェット的な逐次プロセスを結合させる統合プロセスも提供される。酸化、還元、又はフッ素含有プラズマが用いられる。例えば水蒸気、オゾン又は双方を用いるウェット剥離が同時あるいは順々に含められ得る。
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【課題】比較的低圧力及び比較的高圧力の両方で均一なプラズマを生成できるｉＰＶＤ源を提供する。またスパッタ−エッチングのための金属蒸着に対する均一なプラズマを提供する。
【解決手段】比較的低圧力(5mTorr)動作及び比較的高圧力(65mTorr)動作で均一なプラズマ濃度を持つ均一な金属蒸着のためのイオン化物理的気相蒸着(iPVD)源を使用するシステムと方法を提供する。均一性を強化する低圧力動作では、磁石構造がプラズマをチャンバ周辺に移動するために誘導結合プラズマ(ICP)源と組み合わされ、一方、高圧力動作でプラズマのランダム化または熱運動化によってプラズマ均一性が促進される。これにより、組み合わされた連続的な蒸着−エッチング処理における蒸着およびエッチングの両方のための、また、無網状蒸着(NND)および低網状蒸着(LND)の蒸着−エッチング処理のための均一性が提供される。 （もっと読む）

超臨界状態にある二酸化炭素のような超圧流体で基板（１０５，２０５）を処理するための方法およびシステム（１００，２００）を説明する。プロセス過酸化物を含有するプロセス成分が、基板表面を処理するための高圧流体に導入される。この過酸化水素ベースの成分が開始剤とともに使用される。ここで、開始剤は、プロセス過酸化物のラジカルの生成を促進する。
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【課題】蒸着とエッチングを組み合わせる同時的および連続的な処理における均一なプラズマ処理に寄与するように、プラズマを生成および調整する。また、ｉＰＶＤにより、高アスペクト比の被覆性に対し、均一なプラズマ処理を提供する。
【解決手段】開口端が処理スペースに面する状態で、中空体をチャンバ軸の上に位置決めすることによって、処理チャンバの軸へのピークに対する傾向を持ったプラズマ分布の均一性が改善される。中空体は中央から離れたプラズマの分布を制御し、プラズマの中央への配置を可能にする。中空体の幾何学構成は、所与の状態にプラズマを均一化ならしめるよう最適化できる。同時的および連続的なエッチングとｉＰＶＤ処理のような、組み合わせられた蒸着とエッチング処理において、中空体はエッチングのための均一なプラズマを提供する一方で、蒸着のために蒸着パラメータを最適化することを可能にする。 （もっと読む）

ビルトイン・セルフテスト（ＢＩＳＴ）テーブルを用いて熱処理システム（100、200）をリアルタイムに監視する方法は、熱処理システム（100、200）の処理チャンバー（202）内に複数のウェハ（Ｗ）を配置する段階、プロセス中の処理チャンバー（202）に関する予測による動的プロセス応答を生成するために、実時間動的モデル（330）を実行する段階、測定による動的プロセス応答を作り出す段階、予測による動的プロセス応答と測定による動的プロセス応答との間の差を用いて、動的な推定誤差を決定する段階、及び動的な推定誤差をＢＩＳＴテーブル内の１つ以上のルールによって確立された動作閾値と比較する段階を含んでいる。
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熱処理システム（100、200）をリアルタイムに監視するためのビルトイン・セルフテスト（ＢＩＳＴ）テーブルを作成且つ／或いは変更する方法は、熱処理システム（100、200）の処理チャンバー（202）内に複数のウェハ（Ｗ）を配置する段階、予測による動的なプロセス応答を生成するために実時間動的モデル（330）を実行する段階、測定による動的なプロセス応答を作り出す段階、動的な推定誤差を決定する段階、決定された動的な推定誤差がＢＩＳＴテーブル内の既存のＢＩＳＴルールに関連付けられ得るかを決定する段階、動的な推定誤差がＢＩＳＴテーブル内の既存のＢＩＳＴルールの何れにも関連付けられ得ないとき、新たなＢＩＳＴルールを作成する段階、及び新たなＢＩＳＴルールが作成され得ないときプロセスを停止させる段階を含んでいる。
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【課題】一様なプラズマ処理を行うこと。
【解決手段】半導体用プラズマ処理装置における非一様性を低減させるためのシステム（４０）であって、基板支持体（１４）を囲み得る寸法のものとされ、かつ、少なくとも３個という複数のセグメントから形成された、リング形状電極（５０）と；この電極の各セグメントに対して接続された電気エネルギー供給源と；この電気エネルギー供給源に対して接続されたコントローラ（６０）と；を具備し、コントローラが、電極の各セグメントを順次的に励起するようにして電気エネルギーを供給するようにプログラムされており、これにより、基板支持体の周縁回りにおける基板の非一様性の処理に影響を与え得るものとされている。 （もっと読む）