【課題】複数の半導体基盤に同時にアッシングまたはエッチング処理を行うのに最適な広域高周波プラズマ供給源を提供する。
【解決手段】高周波プラズマ処理室のアンテナアレイ３０は、電極アレイ３６と、各電極チューブと個別に同心円状に配置された誘電体チューブからなる誘電体チューブアレイ３６と、気密シール４０とを有している。各電極チューブの外面と、当該電極チューブに対応する誘電体チューブの内面とによって、大気圧の空洞が形成される。気密シール４０が各誘電体チューブと処理室との間にあることによって、処理室の内部を真空圧または低圧にする。 （もっと読む）

ビームラインに沿って圧力の増加を被るイオンビームの注入の均一性を向上させるための方法および装置が提供される。本方法は、実質的に一定の速さにてワークピースを横切るイオンビームを動かす、メインのスキャン波形を生成する工程を含む。一定の高さおよび波形を有している補正波形（例えば、二次波形）もまた生成されて、メインのスキャン波形と混合され（例えば、可変のミキサーによって）、ビームのスキャン波形を形成する。混合比は、瞬時の減圧信号によって調整され得る。当該調整は、スキャン波形を連続的に修正するのに比べ、非常に速い速度にて、非常に容易に実施され得る。混合は、ビームがワークピースを横切って動く際のイオンビームの速さを変える不定の傾きを有するビームのスキャン波形を供給する。従って、不定の傾きを有する、得られるビームのスキャン波形は、高速スキャンの方向に沿うドーズにおける不均一性を補償する。
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複数の別個の動作条件下で動作するために同調可能な継続的可変マイクロ波回路は、導波管中に突き出るように構成されたコアを有する、可調同調要素で構成された導波管と、可調同調要素と連動し、プラズマアッシングで反射されたマイクロ波の出力を最小化するための導波管中に突き出しているコアの長さを選択的に変化させるために動作するアクチュエータと、アクチュエータと連動し、複数の動作条件での変化においてアクチュエータを選択的に駆動させるために構成されたコントローラとで構成される。
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ここに開示されたいくつかの技術は、分子ビーム部品から残留物を清浄することを促進する。例えば、典型的な方法では、分子ビームは、ビーム通路に沿って供給され、分子ビーム部品において残留物を増加させる。その残留物を減少させるために、分子ビーム部品は、フッ化炭化水素プラズマにさらされる。フッ化炭化水素プラズマへの接触は、第１の予め定められた条件が満たされたかどうかに基づいて終了し、第１の予め定められた条件は、残留物の除去の範囲を示している。他の方法およびシステムについても開示されている。
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イオン注入システムにおいて粒子汚染を低減させるための装置が提供される。該装置は、入口（２６０）、出口（２６２）及び自側面内に規定される複数のルーバー（２６６）を有する少なくとも１つのルーバー加工された側面（２６４）を有する筐体（２５０）を有する。イオン注入システムのビームライン（Ｐ）該入口及び該出口を通過する。該少なくとも１つのルーバー加工された側面の該複数のルーバーは、該ビームラインに沿って飛行するイオンビームの縁を機械的にフィルタリングするように構成される。該筐体は、２つのルーバー加工された側面（２５４ Ａ、Ｂ）及びルーバー加工された上面（２７８）を有し得る。該筐体の該入口及び該出口の各幅は、該ビームラインに対し垂直に測定される場合、該２つのルーバー加工された側面の互いに対する位置により略規定される。１つ以上の該ルーバー加工された側面は調節可能に取り付けられており、該筐体の該入口及び該出口の片方又は両方の幅は調節可能である。
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イオン注入システム（１００）は、ワークピースを保持または支持するように構成されたエンドステーションに向かってイオンビーム（１７０）を導くように構成されたビームラインと、走査システムとを備えている。この走査システムは、該エンドステーションを、第１の方向にそった第１の走査軸（”速い走査”、１４２）と、この第１の方向とは異なる第２の方向にそった第２の走査軸（”遅い走査”、１４４）とを含む二次元的に走査して、イオンビームを通過させるように構成されている。上記システムは、上記イオンビームを、第１の方向とは異なる第３の方向を有する第３の走査軸にそってエンドステーションに対して走査するように構成された、上記走査システムと関連して作動可能な補助走査部をさらに備えている。
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イオン注入システム（１００）、および、これに関連する方法は、鉛筆状イオンビームを走査してリボン状イオンビーム（１１０）を形成するように構成された走査装置と、第１の方向を有する該リボン状イオンビームを受け、このリボン状イオンビームを曲げて第２の方向に進めるように構成されたビーム曲げ部材（１１２）とを備えている。本システムは、第２の方向に進む該リボン状イオンビームを受け、また、加工対象物（１０４）を該リボン状イオンビームを注入するために固定するように構成された、該ビーム曲げ部材の下流に位置するエンドステーション（１０２）をさらに備えている。さらに、本システムは、該ビーム曲げ部材の出射開口部においてリボン状イオンビームのビーム電流を測定するように構成された、該ビーム曲げ部材の出射開口部に配置されたビーム電流測定システム（１２２、１２４、１０６）を備えている。
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本発明は、装置、および、イオン注入の間、ウェハを保持するためのチャックを囲む断熱層を形成する方法を指向する。断熱層は、クランプ面の下に配置され、真空ギャップと当該真空ギャップを封止するアウターケーシングとを備えている。断熱層は、冷却されたチャックと、処理チェンバ内の暖かい環境との間の熱伝達を実質的に防ぐことによって処理チェンバ内のチャックの外側への結露を防ぐバリアを提供する。
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イオン注入方法およびシステムは、低エネルギー、大電流のイオンビームにおいて特に問題があるであろうビームのブローアップを軽減するために、ビームの中和を組み入れている。ビーム中和部は、ブローアップが起こりやすいシステムに配置することができる。ビーム中和部は、イオンビームを中和するプラズマを発生させることでビームブローアップを軽減する可変エネルギー場発生部を含む。エネルギー場は、中和プラズマの効力を減らすプラズマケースの創造を軽減しつつ中和プラズマを保持するために、変化する周波数および／または場の強度で発生する。
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イオンビームの角度構成および放射測定システムを提供する。上記システムは、細長いスリットを有する金属板であって、上記細長いスリットは、金属板の回転中心設置されており、ビームの第一の一部が上記細長いスリット内部を通過するような構成である金属板と、上記金属板の下流側に設置されており、ビームの第一の一部からのビームの第二の一部を通過させるように構成されているスリットを内部に備えており、ビームの第一の一部に関連した第一のビーム電流を測定するように構成されているビーム電流検出器と、上記ビーム電流検出器の下流側に設置されており、ビームの第二の一部に関連した第二のビーム電流を検出するように構成されたビーム角度検出器とを備えており、上記金属板、上記ビーム電流検出器、および上記ビーム角度検出器は、上記金属板の上記回転中心について集合的に回転するように構成されている。
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