非常に高い堆積レートで、二軸配向フィルムを連続的に移動する金属テープ基板上に堆積する方法が開示される。これらの方法は、フィルムを基板上に、基板法線から約５°から約８０°の斜め入射角を持つ堆積フラックスで堆積し、同時に、該堆積フィルムを該フィルムの最良イオン配向方向または第２の最良イオン配向方向のいずれかに沿って設けられたイオンビーム入射角でイオンビームを使って照射し、それにより二軸配向フィルムを形成することを含み、堆積フラックス入射面は二軸配向フィルムが早い面内成長速度を持つ方向に沿って平行に設けられる。基板、前記方法で前記基板上に堆積された二軸配向フィルム、及び二軸配向フィルム上に堆積された超伝導層を含む超伝導物品が同様に開示される。
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電流を送信するシステムが開示されている。該システムは、発電機、超伝導ケーブル、及び少なくとも１つの負荷を含む。該システムはさらに、終端、冷蔵システム、及び終端及び冷蔵システムの内の１つを含む。低温保持装置は、少なくとも一つのマンドレル、及び、例えば超伝導導体を編み込むことにより完成し得る磁気的に分離された超伝導導体を含む少なくとも１つの電気相をもつ。
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超伝導テープが開示され、該テープは基板、前記基板の上に横たわるバッファ層、該バッファ層の上に横たわる超伝導層、及び該超伝導層の上に横たわる電気メッキされた安定化層を含む。また超伝導テープを組み込んだ構成要素、該構成要素を製造する方法、該構成要素を使用する方法が開示される。該テープは、低ＡＣ損失を与え、特に回転機械におけるなど、ＡＣ損失の減退が重要である構成要素における使用に適している。
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MOCVD装置及び方法は、増大した電流容量を持つ多層のHTSコートテープを製造するためのものであり、多数液体前駆体ソースを含み、その各々は、関連するポンプ及び蒸気化器を持ち、その出口は、MOCVD反応炉内の多数区画シャワーヘッド装置を供給する。多数区画シャワーヘッド装置は、堆積ゾーン内にともに多数の堆積セクターを定義する関連する基板ヒータに最も近接して位置している。
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本発明は、緩衝金属基板テープの連結するレングス上にＲＥＢＣＯなどの超伝導薄膜のｅｘ−ｓｉｔｕ形成のための高スループットのシステムを提供する。緩衝金属基板テープの上部は、希土、バリウム、及び銅の先駆物質が、電子ビーム蒸発及びＭＯＤなどの数々の技術を介して堆積される。これらの先駆物質は、処理チャンバ内で加熱され、水蒸気に導入されると、緩衝層に機能的超伝導薄膜エピタキシャルを形成するために分解する。シャワーヘッドと、長く幅の広い堆積範囲の創造のために設計された基板加熱装置を有する有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）反応炉といったチャンバは、該製法に良く適している。チャンバは、反応による副産物の効率的な汲み出しのために配置された排気ポートを含む。チャンバは、壁が加熱されない冷水壁式、または壁が加熱される加熱壁式のものでもよい。
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基板１０と、該基板１０の上に横たわるバッファ層１２ａと、該バッファ層１２ａの上に横たわる超伝導体層１４ａと、該超伝導体層の上に横たわるキャッピング層１６ａと、該キャッピング層１６ａの上に横たわる電気メッキされた安定化剤層１８ａとを含む超伝導テープ（１）が開示されている。また、超伝導テープを組み込んだ要素、それを製造する方法、及びそれを利用する方法も開示されている。
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コーティングされるべき基板(１１６)上に照射するイオン源(１３２)或いは(２１８)が、ＭＯＣＶＤ、ＰＶＤ或いは超伝導体素材の調整のためのその他の処理を強化するのに用いられる。
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特に高圧電力アプリケーションに用いるＨＴＳ装置(２４)に極低温冷却を提供する方法および装置である。該方法は、液体寒剤(４６、４８)を１大気圧以上に加圧して、その絶縁耐力を改善し、また前記装置のＨＴＳ要素(２４)の性能を改善するため前記液体寒剤をその飽和温度より下にサブ冷却することを含む。加圧されたガス状寒剤領域(４４)およびサブ冷却された液体寒剤槽を備える容器からなるこのような冷却方法と、寒剤の圧力を液体寒剤の最適な絶縁耐力に対応する範囲の値に維持する、ガス状寒剤放出機構(３０)を組み合わされた液体寒剤加熱(５２)と、および液体寒剤(４６、４８)を、その沸点以下の温度で維持して該装置(１０)に用いられるＨＴＳ素材(２４)を改善する冷却システムとを、用いる装置である。
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