説明

ロウステック プロプライエタリー リミテッドにより出願された特許

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ベース部(20)と、上面(26)及び下面と、データ面(40)とを有するコンビナトリアル・ケミストリによる形成及びアッセイ用ディスク(1)であって、上面又は下面のうちの1つはアッセイ面であり、データ面は、アッセイ面から離間し、アッセイ・ディスク上又はその内部にある、コンビナトリアル・ケミストリによる形成及びアッセイ用ディスク(1)。アッセイ面は、ベース部上に導電体層(64)を備え、導電体層上に誘電体又は光導電体の層(66)を備え、誘電体又は光導電体の層上に化学機能層(68、69)を備える。アッセイ面は平坦であってもよく、又は三次元構造(100、168)を含んでいてもよい。
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連続相、連続相に不混和性である不連続相、及び任意に界面活性剤を含むエマルションであり、ここで界面活性剤は、連続相と混和性である第一の部分と、不連続相と混和性である第二の部分とを有する。連続相は高い体積抵抗を有し、不連続相は電荷を帯びている。不連続相は、試薬、活性化学試薬を運搬する溶媒、又は不連続相に分散された固体もしくは不溶性液体の担体用液体であることができる。界面活性剤が存在するならば、これは、連続相の体積抵抗を有意に低下しないように選択される。エマルションは、電荷制御剤も含むことができる。エマルションは、コンビナトリアルケミストリーのための、不連続相から空間的に規定された様式での物質の静電気的に制御された配置、並びに反応を伴う又は伴わないマイクロメーター及びナノメータースケールの配置に使用することができる。 (もっと読む)


空間的に選択的なマイクロ及びナノメートルスケールの付着及び/又は反応のための基体(1)であって、上記基体は、支持体(3)、上記支持体上の導電層(5)、静電荷パターンを保持する誘電層(7)、例えば上に入射光を受けた時に静電荷を分散させる材料の光導電層、及び化学的官能層(9)を有し、静電荷パターンが、上記基体上に予め決められた方法で形成され、上記基体上のエマルジョン(15)内の荷電した液滴の運動に影響することを特徴とする基体である。上記化学的官能層は、上記基体の化学的官能化のための表面を提供するか、又は上記誘電又は光導電層への接近又は反応を妨げる。
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基板(10)上に固相アレイを形成するように、化学物質を空間選択的に堆積することによってマイクロメートル規模及びナノメートル規模で製作又は製造する方法であって、静電気的潜像の形成のように、基板上の少なくとも一つの領域に基板の他の領域の電荷とは異なる静電荷を形成することによって、少なくとも一つの領域(15)を定義する工程と、基板にエマルジョンを塗布する工程とを含む方法。エマルジョン(16)は、帯電した不連続相及び該不連続相の中に担持された、又は該不連続相を含んでなる選択的に堆積されるべき成分を有している。このエマルジョンの不連続層は、当該領域上の静電荷により引寄せられることによって予め選択された領域に引寄せられ、反応を伴って又は伴わずに堆積が得られる。光導電体の使用によって、静電画像を形成することができる。形成されるアレイは、フラットスクリーンディスプレーパネルのためのものであってよく、DNAチップ、印刷回路、半導体チップ、ナノテクノロジー、ミクロ電気機械的システム、可撓性印刷回路等を製造するためのものであってよい。 (もっと読む)


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