高度なウィッキング構造およびこれらの構造を利用する方法が記載される。高度なウィッキング構造を使用することによって、小細孔の使用による高い毛管圧力を維持しつつ迅速な物質伝達を促進することができる。マイクロチャネル内のウィッキング層内での混合を向上させることによって、流体接触プロセスの特に改善された成果を達成することができる。

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本発明は、プラズマエッチング処理のような作製方法によって損傷した、例えば、電子基板、半導体チップ、ウェハなどに関連する誘電体材料を含む材料を改質するための方法に関する。記載する方法は、例えばヤング率によって測定される構造的完全性のみならず、例えば液体/表面界面の接触角によって測定される疎水性をも改善する。

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固体酸化物燃料電池における絶縁接合部として特に有用である、頻繁な熱サイクルを受ける高温作動環境において気密性のままである、二つの部品の間に形成されるシール。第一の金属部品が補強材に取り付けられる。ガラス形成材料が第一の金属部品と第二の部品との間に配置され、ガラスを、ガラス形成材料を溶融させるのに適した温度まで加熱することにより、第一の金属部品と第二の部品との間にシールが形成される。ガラスは、補強材の少なくとも一部を封入および結合し、それによってシール全体に大きな強度を付与する。セラミック材料をガラス形成材料に添加して、第一の金属部品と第二の部品との間の絶縁バリヤの形成を支援し、加熱工程中のガラスの粘度を調整することもできる。

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本発明は、一般に流体を混合するための方法および機器に関する。より詳細には、本発明は、流体流を形成する近臨界および超臨界の流体へ導入された流体を混合するための方法および機器に関する。流体流中では密度勾配が生成され、それが迅速な混合をもたらす対流速度を誘起する。本発明は、流体の迅速なサイクル時間または迅速な混合が必要でありかつ残渣に対して低い許容度しか許されない、半導体およびウェハー製造のような商業用途などにおいて適用される。

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液、近臨界および／または超臨界流体から材料を選択的かつ制御可能に基材または表面に付着させて、表面または基材に付着される材料の位置および／または厚さを制御する方法が開示される。一つの例示的なプロセスでは、金属を選択的に付着させて基材の形体パターン(たとえば通路)を充填する。プロセスはさらに、たとえばシリコンウェーハ表面へのバリヤ膜の付着のために複合または構造化シリコンウェーハの表面下への材料の付着を制御するために使用することもできる。材料としては、過装入材料、金属、非金属、成層材料、有機材料、ポリマーおよび半導体材料があるが、これらに限定されない。本発明は、半導体チップ製造のような工業プロセスで用途を見いだす。特に、選択的付着は、液、近臨界または超臨界流体から付着される金属によるパターン形体の選択的充填および／またはコーティングにより、半導体チップ製造におけるケイ素面のケミカルメカニカル平坦化のようなプロセスの代替を提供する、またはその必要性を減らすものと想定される。

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第一に既知のペプチドの既知の溶出時間のデータセットを提供する段階、次にそれぞれのベクトルが複数の次元を有し、それぞれの次元が既知のペプチドに存在する少なくとも一部のアミノ酸に関する位置情報を表す、複数のベクトルを作製する段階による、クロマトグラフィー分離および電気泳動分離におけるペプチドの溶出時間を予測するための方法。次に、少なくとも一つの仮説的ペプチドに対し次元値を割り当てることにより仮説的ベクトルが作製され、仮説的ベクトルについての予測溶出時間が、複数のベクトルに仮説的ペプチドを適合させる少なくとも一回の多変量回帰を行うことにより作製される。好ましくは、多変量回帰は人工ニューラルネットワークの使用により達成され、溶出時間は線形回帰を用いて最初に正規化される。

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セパレータプレートをスタンピングし、フレームをスタンピングし、PEN電池をフレームに取り付け、フレームをセパレータプレートに取り付けることによって形成される、SOFCスタックのためのカセット。好ましくはガラスで形成された絶縁シールがPEN電池とフレームとの間に設けられて、フレームとセパレータプレートとの間に電気的分離を提供する。電気的分離は、好ましくはガラスで形成された絶縁シールをフレームとセパレータプレートとの間に形成することによってさらに提供される。一連のカセットを、各カセットのアノード側が各隣接するカセットのカソード側と電気的に連絡するように互いの上にシールし、かつ各カセットのフレームと各隣接するカセットのセパレータプレートとの間に電気的に分離した気密シールを形成することにより、複数の形成されたカセットをSOFCスタックに形成することができる。セパレータプレートおよびフレームは、PEN電池を有する一連のセパレータプレートおよびフレームが積み重ねられた(それによって二つを交互に繰り返すスタックを形成する：セパレータプレート／フレーム／セパレータプレート／フレームなど)とき、ガス流の二つの別々の経路が形成されるように構成される。

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本発明は、一般に材料を処理するための方法に関する。より詳細には、本発明は反応性流体、および被覆材料、金属、非金属、層状材料、有機物、ポリマーおよび半導体材料を非限定的に含む付着材料を除去するための反応性流体の使用に関する。本発明は、半導体チップ生産のような商用プロセスに適用することが可能である。

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本発明は一般的には、基板を洗浄するためのシステムに関する。より特定的には、本発明は、シリコンウエハを含む半導体基板から、高密度二酸化炭素マトリクスに含まれる反応性逆ミセルまたはマイクロマルジョンのシステムを用いて、残留物を化学的に除去するための方法に関する。反応性ミセル系中の様々な反応性化学薬品を使用して、エッチング残留物および金属残留物を、商業的なウエハ製造および処理に対し十分なレベルまで洗浄し、除去してもよい。

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