例えば黒鉛状あるいはアモルファス炭素（すなわちａ−Ｃ）などの非ダイヤモンド状炭素とダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）との両方を含む様々な自己支持多層炭素フィルムが開示される。例えばアモルファス炭素の２つの層の間に挟まれた単一のＤＬＣ層を含む３層構造を含む最終製品において望まれる性質の特定の組み合わせに応じて、広範囲の多層構造が構成されてもよい。十分平坦な堆積面を含む適切な基板を用意する工程と、離型剤あるいは剥離剤を堆積面に塗布する工程と、複合炭素フィルムを形成するためにアモルファス炭素層とＤＬＣ炭素層との両方を含む複数の炭素層を堆積する工程と、複合炭素フィルムを基板から取り外す工程とを含む複合多層フィルムの製造方法の実施形態も開示される。
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本発明は、様々な軌道に沿って地下の評価領域を貫通している宇宙線ミュー粒子（ＣＲＭ）フラックスを検出し、上記ミュー粒子検出データを収集し、上記データを処理して、上記評価領域に応じた３次元密度分布イメージを形成するために構成されたシステムを開示する。上記システムを用いて、地表（または海底表面）のはるか下の高（または低）密度ミネラル堆積物または他の地質構造または地層の集中している場所を識別する。上記システムを利用して、数キロメータまたはそれ以上の深度を有する評価領域における、より高密度および／またはより低密度の地質物質および地質構造をイメージングする。
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ＰＥＴ断層撮影装置において、真の散乱（ＴＳ）および偶発の（Ｒ）崩壊イベントを包含するイベントに関する真の（Ｔ）崩壊イベントの選別を提供する新規な方法を提供する。これにより、ＰＥＴスキャナーの感度および分解能を向上させることができる。上記の方法は、検出器において受信されたＸ線の放射角を決定するため、検知器においてコンプトン散乱相互作用を再構成する手段を含んでいる。また、上記の方法には、γ線の偏光効果および陽子崩壊およびコンプトン散乱と関連する電子の反跳データが用いられることができる。γ線の偏光効果を使用することによって、ＰＥＴを用いている際における、Ｔイベントに相当する選択されたデータの質を向上させることができる。一方、ＴＳおよびＲイベントに相当するデータを同時に抑制することもできる。
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本発明は、簡単に官能基化されたグルコサミン等の糖から、中性で、低分子量の^９９ｍＴｃでラベル化された、及び^１８６Ｒｅでラベル化された、高い放射化学的収率の炭水化物錯体の製造方法若しくは調製方法を提供する。具体的には、上記合成は、フェロセン化合物をレニウム若しくはテクネチウムのトリカルボニル錯体へと変換するシングル・リガンド・トランスファー（ＳＬＴ）若しくはダブル・リガンド・トランスファー（ＤＬＴ）反応を利用している。当該フェロセン化合物は、例えば、チオ、アミノ、及びアルコールの機能を含む各種機能性基を介して糖と繋がっており、水可溶性及び比較的水に不溶な化合物の両方を含む、幅広い範囲の、放射性同位体でラベル化された糖錯体を提供する。 （もっと読む）

ビーム経路内のターゲット流体の有効な密度を増加させることにより、ターゲット流体がターゲットアセンブリの内部で移動する改良されたターゲットアセンブリを提供する。その結果、強制対流を利用したビーム放射量を増加させる。また、ターゲットアセンブリは、ターゲット流体の流れを導きおよび／または加速させるために、ノズル、分流加減器およびそらせ板といった任意の構造を備えていてもよい。ターゲットアセンブリは、逆電流の流れを生成するために、ターゲット流体を内部筒に沿ってビーム電流の方向と反対方向に導く。また、ターゲットアセンブリは、ターゲット流体の流れを内部筒の内面からターゲット空洞の中央領域に向かって導いてもよい。この逆電流の流れは、ビーム経路内のターゲット流体の密度を減少させる傾向がありターゲットからの熱伝導を増加させる傾向がある自然対流を抑制する。
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基板上にスラリー組成物の層を形成するスリップキャスト法を用いて、スラリー組成物から放射線照射対象物を製造する方法、およびその放射線照射対象物の組成が開示されている。スラリー組成物の層は、注型圧粉体層を形成するために、基板上で乾燥される。その後、注型圧粉体層を基板から切り取り、切り取った注型圧粉体層を粉砕または機械加工することによって、定められた構造を有する少なくとも１つの中間対象物が形成される。次に、中間対象物を緻密化するために、熱処理が施される。同時に、この熱処理によって、中間対象物中に残余している有機成分は、除去および／または酸化される。緻密化した層（実質的には無機物）の密度は、一次粒子の密度以下である。
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本発明は、改良されたガンマ線検出モジュール（３００）、および検出器（３０４）内のガンマ線相互作用の位置（３４０）をより正確に決定するために、検出モジュール（３００）を操作する方法を提供する。検出モジュール（３００）は、検出器（３０４）内に適用された他の配列に対してオフセット角度に設けられた誘導配列（３１１）を含む。このとき、誘導配列（３１１）およびコレクタ、または陽極（３１０）によるイオン化電子（３０６）の検出の相対時間は、イオン化電子（３６０）が生成される相互作用（３４０）の位置に対応する、少なくとも１つの座標を示す。この２次的位置決定装置および方法は、正確性を向上する、または検出装置の複雑さを減少させることによって、従来の位置決定装置または方法を補う、またはこれに置き換わる。
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本発明は、改良されたガンマ線検出器および単一の陽電子崩壊現象に由来する「真」のガンマ線のペアと、「真」のペアに関する従来の受容基準では検出できない、ランダムに発生するガンマ線のペアとを区別する方法に関する。ガンマ線検出器は、主要検出器アレイの近傍または周囲に配置された、veto検出器の付加的なアレイを組み込んでいる。「veto」検出器のアレイは、主要検出器アレイでは検出できないガンマ線を検出できるように構成されている。主要検出器アレイおよびveto検出器アレイの両方からの検出データは、識別回路に入力される。この識別回路は、主要検出器アレイによって検出された、２つ以上の無関係な陽電子崩壊現象に由来する可能性の高いガンマ線のペアを「否認」するための回路である。画像の再構成において利用される「真」の現象の比率を高めることにより、上記機器および方法は、結果として生成される画像の品質を高め、画像処理時間を短縮する、および／または、後続のデータ収集および／または操作の必要性を低下させる。
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