【課題】本発明は、新規水素化シリコンゲルマニウム化合物、それらの合成法、それらの成膜法、およびそれらの新規化合物を用いて作製された半導体構造を提供する。
【解決手段】これらの化合物は、式：（ＳｉＨｎ１）ｘ（ＧｅＨｎ２）ｙによって定義される。式中、ｘは２，３または４であり；ｙは１，２または３であり；ｘ＋ｙは３，４または５であり；ｎ１は、化合物中の各Ｓｉ原子に関して独立に０，１，２または３であって原子価を満たし；ｎ２は、化合物中の各Ｇｅ原子に関して独立に０，１，２または３であって原子価を満たし；但し、ｙが１のとき、ｎ２は０ではなく；さらに、ｘが３、かつ、ｙが１のとき、ｎ２は２または３であり；さらに、ｘが２、かつ、ｙが１のとき、ｎ２は３である。 （もっと読む）

【課題】 化学式が（Ｈ_３Ｇｅ）_４−ｘＳｉＨ_ｘであって、ｘ＝０、１、２または３である珪素−ゲルマニウム水素化合物を合成するための方法を提供する。
【解決手段】 該方法は、珪素−ゲルマニウム水素化合物が形成される条件下で、シラン・トリフレートとＧｅＨ_３配位子を有する化合物とを化合させるステップを含む。該ＧｅＨ_３配位子を有する化合物は、ＫＧｅＨ_３、ＮａＧｅＨ_３およびＭＲ_３ＧｅＨ_３であってＭが第ＩＶ族元素でありＲが有機配位子である物質からなる群から選択される。該シラン・トリフレートは、Ｈ_ｘＳｉ（ＯＳＯ_２ＣＦ_３）_４−ｘまたはＨ_ｘＳｉ（ＯＳＯ_２Ｃ_４Ｆ_９）_４−ｘであることができる。該方法は、水素化珪素が形成される条件下でシラン・トリフレートとＳｉＨ_３配位子を含む化合物とを化合させることにより、トリシラン（Ｈ_３Ｓｉ）_２ＳｉＨ_２およびイソ−テトラシラン類似物（Ｈ_３Ｓｉ）_３ＳｉＨを合成するために使用することができる。該シラン・トリフレートは、Ｈ_ｘＳｉ（ＯＳＯ_２ＣＦ_３）_４−ｘまたはＨ_ｘＳｉ（ＯＳＯ_２Ｃ_４Ｆ_９）_４−ｘであってx ＝１または２である物質を含むことができる。（Ｈ_３Ｇｅ）₂ ＳｉＨ_２を合成するための方法は、（Ｈ_３Ｇｅ）₂ ＳｉＨ_２が形成される条件下でＨ_３ＧｅＳｉＨ_２（ＯＳＯ_２ＣＦ_３）とＫＧｅＨ_３とを化合させるステップを含む。 （もっと読む）

本発明は試料のプロファイリングに使用するための化合物のアレイを提供する。アレイは、比較的低親和性で試料の構成成分に結合する化合物を含んでいる。試料の構成成分に結合する化合物の結合力は、試料（例えば抗体または細胞）の多価性の構成成分が化合物の２つ以上の分子と同時に結合することができるようにアレイを形成することにより、増大させることが可能である。試料がそのような条件下でアレイに適用されると、アレイの化合物は顕著に異なる結合力で試料の構成成分に結合し、試料のプロファイルの特徴を生成する。
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本発明は、製造された機器に損傷を与えずに、後処理として可撓性回路基板（１４）を除去する剥離装置、そのような装置を備えたシステム、及びそのような装置またはシステムを用いる方法を提供する。
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半導体プロセシングの熱的課題の結果生じる、剛性キャリヤに取り付けられたフレキシブル基板のｂｏｗおよび／またはｗａｒｐに取り組む方法について説明する。詳細には、剛性キャリヤへフレキシブル基板を結合することが可能な粘弾性接着剤が提供され、剛性キャリヤ（例えばケイ素ウェーハ）に対する大半のフレキシブル基板（例えばプラスチックフィルム）の明確に異なる材料特性により存在することが多い熱的不適合を調節することが可能である。本願で説明する方法により生産されるアセンブリも提供される。 （もっと読む）

本発明は、分子式Ｓｉ_ｘＧｅ_ｙＨ_ｚ−ａＸ_ａの化合物と、この化合物を調製するための方法と、本発明の化合物を用いてシリコン基板上に高Ｇｅ含有量のＳｉ膜を堆積させるための方法とを提供する。ここで、Ｘはハロゲンであり、ｘ、ｙ、ｚ、およびａは、本明細書において規定される。
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本発明はシアノバクテリアからバイオマテリアルを生産するための試薬および方法を提供する。 （もっと読む）

約８００℃未満の温度でエピタキシャルＡｌＧａＮ層を調製するための方法が提供される。包括的には、基板が、エピタキシャルＡｌ_xＧａ_1-xＮ層を形成するのに適した温度と圧力で、Ａｌ源の存在下で、Ｈ₂ＧａＮ₃、Ｄ₂ＧａＮ_sまたはそれらの混合物と接触させる。さらに、基板の上方に形成された、複数の反復合金層を含むスタックを備え、複数の反復合金層は２つ以上の合金層の種類を有し、少なくとも１つの合金層の種類はＺｒ_zＨｆ_yＡｌ_1-z-yＢ₂合金層からなり、ｚとｙの合計は１以下であり、スタックの厚さは約５０ｎｍより大きい、半導体構造が提供される。 （もっと読む）

例えばポリ（アルキレンカーボネート）といった熱分解性ポリマーの犠牲層を形成する工程と、この犠牲層がフレキシブル基板と硬質担体との間に配置されるように、フレキシブル基板を硬質担体へ結合する工程とを含む、基板を硬質担体に暫定的に取り付ける方法を説明する。次に電子部品、電子回路またはその両方の組立を行うことが可能であり、または取り付けられた基板上にその他の半導体加工工程（例えば、裏面研磨）を用いることが可能である。組立が完了すると、犠牲層を分解するためにアセンブリを加熱することによって、基板を硬質担体から取り外すことが可能である。 （もっと読む）

本発明は、新規水素化シリコンゲルマニウム化合物、それらの合成法、それらの成膜法、およびそれらの新規化合物を用いて作製された半導体構造を提供する。これらの化合物は、式：（ＳｉＨｎ１）ｘ（ＧｅＨｎ２）ｙによって定義される。式中、ｘは２，３または４であり；ｙは１，２または３であり；ｘ＋ｙは３，４または５であり；ｎ１は、化合物中の各Ｓｉ原子に関して独立に０，１，２または３であって原子価を満たし；ｎ２は、化合物中の各Ｇｅ原子に関して独立に０，１，２または３であって原子価を満たし；但し、ｙが１のとき、ｎ２は０ではなく；さらに、ｘが３、かつ、ｙが１のとき、ｎ２は２または３であり；さらに、ｘが２、かつ、ｙが１のとき、ｎ２は３である。
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