【課題】従来に比べて緻密な金属酸化膜を形成することができる、プラズマを用いた原子層成長方法及び原子層成長装置を提供する。
【解決手段】 有機金属のガスを原料ガスとして用いて基板に金属酸化膜を形成するとき、成膜空間内に配置された基板の上方に有機金属のガスを原料ガスとして流すことにより、基板に前記有機金属を吸着させ、前記有機金属に対して化学反応しない第１ガスを用いて前記成膜空間でプラズマを発生させ、前記第１ガスを排気した後、酸化ガスを第２ガスとして前記成膜空間に導入して酸化ガスを用いて前記成膜空間でプラズマを発生させることで、前記基板に前記有機金属の金属成分が酸化し金属酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長した透明導電性薄膜の製造方法と製造装置および結晶性薄膜の多層構造による、新たなフォトエレクトロニクスデバイスを提供する。
【解決手段】真空室中の基板５を３００℃〜５００℃に加熱し、不活性ガス圧力０．０５Ｐａ〜０．３Ｐａ、酸素分圧５ｘ１０^-4Ｐａ〜１．５ｘ１０^-3Ｐａの範囲に制御し、基板に対して高密度プラズマ照射を行うにより、結晶性基板上に薄膜形成材料をエピタキシャル成長させて透明導電性薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】スパッタ成膜において、あらゆる膜特性を同時に満足させる手法を提供すること。
【解決手段】スパッタ現象を利用して基板上に導電性薄膜を形成する方法であって、薄膜形成中に、スパッタ電力、スパッタガス、および反応性ガスを含む成膜パラメータの少なくとも１つを２つの値に変動させ、その時間分割比を制御することを特徴とする導電性薄膜の形成方法である。また、p型またはn型の導電型を有する半導体上に導電性薄膜を形成する方法において、半導体上への成膜開始時点に、強度にプラズマ照射を行うことを特徴とする導電性薄膜の形成方法も採用できる。 （もっと読む）

【課題】アニール後のＳｉＣ表面を清浄かつ平滑に保ち良好な特性のデバイスを作成する方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１の表面層に不純物のドーピングを行なう工程と、不純物がドーピングされたＳｉＣ基板の表面に、不活性ガス雰囲気中でカーボン膜２を堆積する工程と、カーボン膜が堆積されたＳｉＣ基板をアニール処理する工程と、アニール処理されたＳｉＣ基板に堆積されているカーボン膜を除去する工程とを含むことを特徴とするＳｉＣ半導体素子の製造方法。好ましくはカーボン膜は水素濃度が５at％以下であること。カーボン膜を堆積する工程はＥＣＲスパッタ法、ＲＦスパッタ法、ＤＣスパッタ法、およびイオンビームスパッタ法のうちのいずれかの方法を用いてカーボン膜を堆積すること。カーボン膜を除去する工程は、水素プラズマ、硫化フッ素プラズマ、フッ化カーボンプラズマ、窒素プラズマを用いてカーボン膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】気体を流通させるパイプとして種々の装置において利用可能であって、内部における結露の発生およびカビの繁殖を防止することが可能なパイプ、これを用いたパイプ内壁面結露防止方法、および該パイプを用いた地熱交換機を提供する。
【解決手段】気体を流通させるパイプの内壁面に、高吸収性ポリマーを含有する湿度調整層を設ける吸放湿機能性パイプ１であり、上記パイプとして前記の吸放湿機能性パイプ１を用い、該吸放湿機能性パイプ１に気体を取り込み、流通させる過程において、該吸放湿機能性パイプ１に流通する気体Ａ中に含まれる水蒸気を上記湿度調整層４に吸収させ保持させる吸収ステップと、上記湿度調整層４内部に保持された水分を、上記吸放湿機能性パイプ１中に流通する気体Ｂに放出させる放出ステップと、を繰り返すことを特徴とするパイプ内壁面結露防止方法である。 （もっと読む）