映像の動き補償処理を行うにあたり、入力映像を縮小し、縮小映像とする、縮小ステップ（ｓｃ１）と、前記縮小映像に動き補償処理を施し、動き補償映像とする、動き補償処理ステップ（ＭＥ ＵＰＣ）と、前記動き補償映像を拡大し、拡大動き補償映像とする、拡大ステップ（ｓｃ２）と、前記拡大動き補償映像を入力映像に合成し、出力映像とする、合成ステップ（Ｍ）とを実行する。
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本発明は、基板及び突起電極を有する半導体部品に関するものである。突起電極は、基板に対面する基板面を有し、この基板面は、ギャップによって基板から分離された第１基板面部分を備えている。このギャップは、突起電極の基板に対する応力補償変形を可能にする。突起電極の基板面はさらに、基板に機械的に固定接続及び電気接続された第２基板面部分を備えている。突起電極と基板との機械接続のより小さいフットプリントにより、突起電極は、同量の応力を基板上またはアセンブリ内の外部基板に伝えることなしに、加えられた機械的応力に三次元的に追従することができる。このことは、半導体部品を突起電極によって外部基板に接続したアセンブリの改善された寿命を生じさせる。
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基板上のプローブ電極構造を記載し、このプローブ電極構造は、第１プローブ電極及びこれに隣接する第２プローブ電極を層配列上に備え、この層配列は全体的に、基板からプローブ電極に向かって、導電性の最下層、電気絶縁性の中央層、及び導電性の最上層を備えている。本発明のプローブ電極構造は、第１プローブ電極外の領域から最上層を除去することを目的としたエッチングステップ中の、第１プローブ電極のアンダーカットを検出する手段を提供する。第１電極の第１エッジからの許容可能な距離を超えるアンダーカットは、第１プローブ開口部内の第１最上層プローブ部分を除去し、このことは、第１プローブ電極と第２プローブ電極との間の電気抵抗の検出可能な変化を生じさせる。
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変調されていない（ＣＳＵ）あるいは所定の信号符号化に従って変調されている（ＣＳＭ）搬送波信号（ＣＳ）を含むものと予期される入力信号（ＩＮ）の周波数を測定する装置（１０）であって、測定期間（ＭＰ）を生成するための手段（９）と、前記測定期間（ＭＰ）の間に前記入力信号（ＩＮ）のエッジをカウントするように構成された入力信号カウンタ（２）と、前記入力信号（ＩＮ）がエッジを含むかどうか検出するサンプリング手段（４）と、前記測定期間（ＭＰ）の満了時に、前記入力信号カウンタ（２）のカウント値（ＣＮＴ＿２）を読み込み、前記入力信号カウンタ（２）のカウント値（ＣＮＴ＿２）から前記入力信号の周波数（ＦＲ）を導き出すように構成された制御手段（７）とを備え、前記測定期間（ＭＰ）を生成するための手段（９）は、前記入力信号（ＩＮ）のエッジの欠如が検出される期間（ＥＸＰ）だけ測定期間（ＭＰ）を延長する周波数測定装置。
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装置内に組み込まれた追跡中のメディア再生デコーダを識別する方法において、追跡メッセージを表現するデータをメディアコンテンツファイルのコンテンツフィールド内に含め、トリガストリング(16)をファイルのユーザーデータフィールド内に含める。このファイルをデコーダに入力し、追跡中のデコーダは、トリガ信号の検出に応答して追跡メッセージを所望フォーマットにするように構成されている。デコーダが追跡中のデコーダでなければ、トリガストリングは無視され、ソフトウェアコンポーネントは、メディアコンテンツファイルを通常のメディアコンテンツファイルのように処理しようとし、このことはエラーを生じさせる。
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本発明は、垂直方向と水平方向に切られたメモリマッピングの組み合わせから形成されるチェック模様のメモリマッピングを使用するデュアルインタフェースのメモリ装置を提供し、マッピングメモリにアクセスするよう構成した２次元アクセス手段を有し、このアクセス手段は、双方のインタフェースにマッピングされたメモリに水平方向および垂直方向にオーバーラップするよう構成し、前記メモリ装置は、好適にも各インタフェースのための２個のＤＴＬチャネルを提供し、これにより、ＣＰＵ、オーディオ、ビデオおよびグラフィックス処理のようなすべての処理態様に対して極めて効率のよい統合メモリ装置が得られる。
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高周波数で用いるのに適しており、且つ、入力と出力を有する第１のキャパシタ及びグランド接続を備える集積回路であって、キャパシタは、該キャパシタの出力とグランド接続との間の抵抗を介してＥＳＤ保護され、抵抗は、グランド接続のＲＦ性能への実質的な影響を阻止するように充分に高い抵抗値を有する、集積回路。
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Ｄ級増幅器（１）は、デジタル入力信号（Ｖ_ｉｎ）を受信する入力ユニット（１１）、入力信号（Ｖ_ｉｎ）に基づいてパルス整形信号を生成するパルス整形ユニット（１２）、パルス整形信号を比較し、また比較器信号を生成する比較器ユニット（１３）、比較器信号に基づいてドライバ信号を生成するドライバユニット（１４）、ドライバ信号に基づいてパルス幅変調出力信号（Ｖ_ｏｕｔ ）を生成する切り替え出力ユニット（１５）、および出力信号（Ｖ_ｏｕｔ ）をパルス整形ユニット（１２）にフィードバックするフィードバックユニット（１６）を有する。入力ユニット（１１）は、パルス幅変調出力信号（Ｖ_ｏｕｔ ）のデューティサイクルを制御するクリッピング制御ユニット（１０）を有する。
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パワーアンプモジュールが、熱ビア及び端子、並びに半導体材料の相互接続基板を有するプラットフォームデバイスを備えた積層基板を備えている。この基板は、その第１面に電気相互接続が設けられ、反対側の第２面は積層基板上に装着されている。導電接続部が、第１面から基板を通って第２面に延びる。パワーアンプデバイスが基板の第２面に取り付けられている。相互接続基板を通る導電接続部の１つはパワーアンプ用の接地経路であり、熱経路は半導体材料によって設ける。相互接続基板には最適な厚さが存在し、この厚さにおいて、適切な接地及び許容可能な熱放散が共に行われる。
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明細書中に開示される一般的概念に従って、パワーアンプ（３００）出力に接続された負荷ラインの予め定められた負荷ラインインピーダンスに負荷インピーダンス（z load）を適応整合させるための回路は、パワートランジスタと適応整合回路ネットワーク（１０１）との間に固定整合ネットワーク（２０１）を含む。固定整合ネットワークはインピーダンスインバータとして機能し、結果として、高電力での挿入損失が比較的低くなる。結果として、インピーダンス反転ネットワークが１０倍以上のインピーダンス変動でも使用可能となることが分かる。さらに、パワートランジスタ付近で固定整合ネットワークを使用することにより、伝送零点の実現が可能となり、および／または、基準周波数での（可変）負荷インピーダンスとは無関係に、予め定められた高調波周波数での十分に規定された負荷インピーダンスが可能となる。
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