ビデオ信号(V)を表示する表示パネル(DP)、周囲照明または周辺照明(LS)を提供するための少なくとも１つの光源装置(LU)、外部ユーザー較正信号を受信するためのユーザーインターフェース(UI)、及びユーザーインターフェース(UI)によって受信した較正信号に応じて光源装置(LU)の色及び／または輝度を制御する光源制御装置(LC)を備えたビデオ表示システム(100)を提供する。
（もっと読む）

切替可能なキャパシタアレイ（２２）は、制御可能な静電容量を得るために、入力（３０）と出力（３２）との間に並列に配置された複数のセルを有する。切替式キャパシタは、容量型ＭＥＭＳスイッチ（３８）により実現される。低静電容量値セルは、直列接続された１より多いＭＥＭＳスイッチを含み、それによって、各々の低静電容量値ＭＥＭＳスイッチにかかる電圧を低減する。
（もっと読む）

本発明は、エッチング液が当初接触する面から反対側のエッチング層の底面までの厚みが２マイクロメートルを超えるエッチング層に、フィーチャをエッチングする方法に関する。当該フィーチャは、エッチング層内のフィーチャ横方向位置にあって、底面において限界横方向長さを有する。この方法は、基板層上のフィーチャ横方向位置において、マスク層材料からマスクフィーチャを形成するステップを備える。当該マスクフィーチャは、限界横方向長さを有する。エッチング層は、マスクフィーチャ上および基板層上に、厚みが２マイクロメートルを超えるまで、マスク層材料に対し選択的にエッチングされるエッチング層材料から堆積される。その後、マスク層材料に対しエッチング層材料を選択的に除去するエッチング液を用いて、エッチング層内の第一の横方向位置において、限界横方向長さよりも大きい横方向長さを有する、フィーチャがエッチングされる。
（もっと読む）

トランスポンダのメモリアレイ内にデータを記憶し、またはこのメモリアレイからデータを読み取る方法、及びこの方法に対応するトランスポンダ、読取り／書込み装置、及びプログラム要素を記載する。この方法では、メモリアレイ内にデータを記憶するためのデータ構造は、所定プロトコルによって規定されている。このデータ構造は、所定ヘッダデータを含むヘッダデータブロック；アプリケーションデータを記憶するためのアプリケーションデータブロック；及びターミネータデータブロックを備え、ターミネータデータブロックは、所定プロトコルによれば、ターミネータデータブロック後のメモリアレイ内にデータが記憶されていないことを示す。データを記憶する方法は、ターミネータデータブロック後のメモリアレイ内に追加的アプリケーションデータを記憶するステップを備えている。これにより、所定プロトコルによれば使用されないメモリ領域を、新アプリケーション用に用いることができ、データをこれらの領域内に隠蔽して、これらのデータはプロトコル準拠の読取り装置によって読み取ることができないようにし、本発明の方法によって読み取るか書き込んだデータ構造は、元の所定プロトコルと互換性があるようにすることができる。
（もっと読む）

本発明は、第１電極、及び懸架構造を利用して第１電極から少し離れて懸架された第２電極を具えたＭＥＭＳデバイスに関するものである。このＭＥＭＳデバイスはさらに、少なくとも１つの変形電極を具えている。第２電極または懸架構造、あるいはその両方は、変形電極を介して静電変形力を加えると塑性変形可能である。このようにして、異なるデバイスの製造中あるいは単一デバイスの動作中の、第２電極のオフ状態位置の変動を解消することができる。
（もっと読む）

画像信号又はビデオ信号を表示するための液晶ディスプレイパネル(LCDP)を備えている液晶ディスプレイ装置を提供する。ディスプレイ装置は、さらに、行に配置した複数の赤色、緑色及び青色の有色発光ダイオード(RLED、GLED、BLED)を有し、ダブルパルススキャンに基づいて前記液晶ディスプレイパネル(LCDP)を背面照明するためのダブルパルススキャンのバックライト手段(BL)も備えている。さらに、前記バックライト手段(BL)における複数の有色発光ダイオード(RLED、GLED、BLED)の時系列ダブルパルススキャンを制御し、且つ前記複数の有色発光ダイオード(RLED、GLED、BLED)の前記時系列ダブルパルススキャンを駆動するための、ダブルパルススキャンの制御手段(CM)も提供する。
（もっと読む）

【課題】回路装置の構成要素に用いられた場合、その回路装置の小型化に寄与するフィルタを提供する。
【解決手段】配線１１，１２，１３が互いに交わる所定位置Ａにフェライト体１５を備え、配線１２にマッチング用抵抗１４を配置するとともにスリット１２ｂを設ける。 （もっと読む）

基板の中もしくは上の少なくとも１つのデバイス層にパターンを形成する方法であって、第１フォトレジスト層をデバイス層に塗布し、第１マスクを用いて第１フォトレジストを露光し、第１フォトレジスト層を現像して第１パターンを基板上に形成し、基板を保護層で被覆し、保護層を処理して第１フォトレジストと接触している部分を変化させ、変化した保護層がその後の露光および／もしくは現像に影響されないようにし、基板に第２フォトレジスト層を塗布し、第２マスクを用いて第２フォトレジスト層を露光し、第２フォトレジスト層を現像して第１フォトレジスト層の第１パターンに重大な影響をもたらすことなく基板上に第２パターンを形成する工程を含み、第１および第２パターンが一緒になって、第１および第２パターンによって別々に画成されるフィーチャよりも高い空間周波数を持つ散置されたフィーチャを画成することを特徴とする方法。このプロセスは、フィンＦＥＴデバイスのソース、ドレインおよびフィンのフィーチャの画成に特に有用であって、一般的なリソグラフィツールよりも微細なサイズのフィーチャを達成することができる。
（もっと読む）

ＲＦＩＤ通信システムは、ＮＦＣデバイス（１１）および非接触型カード機能を有するスマートカード（２）を有し、これらＮＦＣ装置およびスマートカードは、互いにプロトコル変換器を介して結合可能であり、ＮＦＣデバイスをアンテナに結合して、ＲＦＩＤリーダ／ライタからの電磁信号（ＥＳ）を受信し、かつ受信した電磁信号（ＥＳ）を変調することによって応答信号（ＲＳ）をＲＦＩＤリーダ／ライタに送信する。この電磁信号は、予め定義した信号パターンの始点と終点を定義する第１特性成分および第２特性成分（ＦＥ，ＲＥ）を含み、第２特性成分は、ＲＦＩＤ通信システムがＲＦＩＤリーダ／ライタに対して応答しなければならない期間の終了時に予め定義した応答遅延時間（ＦＤＴ）をトリガする。信号パターン短縮手段（１３）を有する信号遅延補償デバイスを設ける。
（もっと読む）

本発明は、絶縁層によって分離された上部及び下部プレートを有する金属−絶縁体−金属キャパシタを形成する方法に関するものであり、上部及び下部プレートの一方が、これらの上部及び下部プレートの他方内の対応するキャビティ内に延びる少なくとも１つの突起を備えた形状を有し、この方法は、１本以上のナノファイバーをベース面上に成長させるステップを含む。
（もっと読む）