説明

サッチェム,インコーポレイテッドにより出願された特許

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セラミック粉末の製造方法であって、この方法は、複数の溶液状前駆体材料を提供する工程であって、ここで複数の溶液状前駆体材料のそれぞれが、セラミック粉末の少なくとも1種の構成要素イオン種をさらに含む、工程;複数の溶液状前駆体材料とジカルボン酸オニウム沈殿剤溶液とを合わせて、合わせた溶液中にセラミック粉末前駆体の共沈を生じさせる工程;および合わせた溶液からセラミック粉末前駆体を分離する工程を含む。当該方法は、セラミック粉末前駆体をか焼する工程をさらに含み得る。
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(a)1以上の金属イオンを含まない塩基;(b)水溶性の金属イオンを含まない多面体シルセスキオキサン;(c)酸化剤;および(d)金属イオンを含まない水を含む、集積回路基板から粒子状物質を除去するための組成物、ならびに(a)、(b)、(c)および(d)を含む成分を組み合わせることよって得られる組成物。(a)、(b)、(c)および(d)を含む組成物を表面に付与する工程、または(a)、(b)、(c)および(d)を含む成分を組み合わせることによって得られる組成物を表面に付与する工程を含む、集積回路デバイスの表面から粒子状物質を除去するための方法。 (もっと読む)


置換クロマトグラフィー方法は、1以上の分離される成分を含む混合物を、陰イオン交換材料を含む固定相にロードする工程;一般式Cen(Ar)を有するポリ芳香族ポリ陰イオン性置換剤化合物を含む混合物を固定相にアプライすることによって、固定相から1以上の成分の少なくとも1つを置換する工程であって、式中、Cenは、中心となる結合または基であり、Arは、芳香族核であり、wは、2からCen上の部位の最大数であり、そしてArは、複数のAnによって置換され、式中各Anは、独立して、スルホナート、カルボキシレート、ホスホナート、ホスファート、スルファートとして定義され;そしてArは複数のGによってさらに置換され、Gは独立して、H、C〜Cアルキル、ハロゲン、ニトロ、ヒドロキシ、C〜Cアルコキシとして定義される工程を含む。加えて、この方法に有用なポリ芳香族ポリ陰イオン性置換剤化合物の一群を開示する。
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置換クロマトグラフィー方法および当該方法に用いられ、一般式(I)を有する置換剤化合物:式中、R、R、R、R’、R’およびR’基は各々独立して、アルキル、アリールおよびアラルキルから選択され得、そしてRおよびR、RおよびR’、RおよびR、RおよびR’、またはRおよびRのいずれか1以上によって、四級窒素を1以上含む環が形成され得;R、R’、R、およびR’は各々独立して、アルキル、アリール、アラルキルおよび−(CH−(CHY)−(CH−NAnから選択され得、R、R、およびRは上記定義の通りであり;各Yは独立して、−H、−OH、−OR、ハロ、アルキル、アリールおよびアラルキルから選択され得、−Rはアルキルまたは−(CH−(CHOH)−(CH−NAnであり得、R、R、およびRは上記定義の通りであり;qおよびzは、q+zが約6以下になるという条件で、各々独立して0から約6の任意の整数であり得;a、bおよびcはどのフラグメントにおいてもa+b+cの合計が少なくとも1になるという条件で、各々独立して0から2の任意の整数であり得;そして、Anは、中性化合物を得るために必要に応じて各々独立して1以上の有機または無機の一価または多価の陰イオンであり得る。
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本発明は、スルホン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸またはこれらの任意の2以上の混合物、およびフッ化物を含む湿式エッチング組成物、および窒化物、高窒素含量酸窒化ケイ素、金属、ケイ素またはシリサイドと対比して酸化物を選択的にエッチングするプロセスに関する。該プロセスは、酸化物および1以上の窒化物、高窒素含量酸窒化ケイ素、金属、ケイ素またはシリサイドを含む基板であって、該酸化物がエッチングされるべき基板を提供する工程、該基板から所望の量の酸化物を除去するために十分な時間、該基板に該エッチング組成物を付与する工程、および該エッチング組成物を除去することで、該酸化物が選択的に除去される工程を包含する。
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