【課題】小型化の増進を可能にするとともに、実現が容易な、対向電極を備えた電界効果トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極９ソースコンタクト１２，ドレインコンタクト１３、および対向電極コンタクトの輪郭描写パターンを含むエッチングマスクが、セミコンダクタ・オン・インシュレータ型の基板上に形成される。基板は、誘電体５の層およびゲート材料により覆われる。対向電極コンタクトは、ゲート電極９のパターン内に配置される。ゲート材料は、ゲート電極９、ソースコンタクト１２およびドレインコンタクト１３、ならびに対向電極コンタクトを画定するためにエッチングされる。支持基板２の一部分は、対向電極コンタクト領域のパターンの中を通って解放される。導電性材料２２が支持基板２の自由部分上に堆積されて、対向電極コンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】製造方法の複雑さが増加することを避けつつ、非常にコンパクトであるメモリセルを提供する。
【解決手段】４つのトランジスタを持つＳＲＡＭのメモリセルは、半導体材料から形成された第１の領域５ａを有し、この第１の領域は、直列に接続された第１の伝送トランジスタ１ａと第１のドライバトランジスタ２ａとを有し、これらの共通端子は第１の電気ノードＦとなっている。第２の伝送トランジスタ１ｂと第２のドライバトランジスタ２ｂとは、半導体材料で形成された第２の領域上で直列に接続されており、これらの共通端子は第２の電気ノードＳとなっている。第１の伝送トランジスタ１ａと第２のドライバトランジスタ２ｂとは、第１の電気ノードＦと第２の電気ノードＳとを通過する面ＦＳの第１の側の上にあり、これに対し、第１のドライバトランジスタ２ａと第２の伝送トランジスタ１ｂとは、面ＦＳの他の側の上にある。 （もっと読む）

【課題】実施が容易なハイブリッド基板の製造方法の提供。
【解決手段】アイソレーション領域５と、第１アクティヴ領域１と、第２アクティヴ領域３とを画定するエッチング・マスクを形成するステップと、少なくともアイソレーション領域５と第１半導体材料２の第１アクティヴ領域１とを画定するために、第１半導体材料２から作られた層及び第２半導体材料４から作られた層と、第２アイソレーション材料から作られた層６とをパターニングし、第１アクティヴ領域１の主面を解放することによって基板内に空間を形成し、第１アクティヴ領域１の上方でエッチング・マスクを除去するステップと、空間及びエッチング・マスクに第１アイソレーション材料を充填するステップと、第１アイソレーション材料を平坦化するステップと、第１アクティヴ領域の主面が解放されるまで、第１アイソレーション材料をエッチングするステップと、を連続的に備える。 （もっと読む）

【課題】多孔性材料から形成される微細経路を有する薄膜を、化学的機械的研磨法を用いて作製する方法を提供する。
【解決手段】貫通微細経路（１）を有する支持基板（２）の表面は、パッド（４）と浮遊状態の複数の粒子（５）を含む水溶液とに接触するよう移動される。パッド（４）および支持基板（２）の表面の間で、支持基板（２）の面に対して垂直な圧力を印加し、パッド（４）および表面の間に、支持基板の面に対して平行な方向の相対的な動きが与えられる。このようにして、少なくとも１つの粒子（５）が各微細な隙間（１）に導入され、多孔性材料を形成する。 （もっと読む）

基板の外に導通する微小空洞（１）を備える基板（２）の表面は、複数の懸濁状態の粒子（４）と構造体（３）とを含む水溶液と接触している。垂直方向への圧力が、構造体（３）と基板（２）の表面との間の基板の開口部に加えられ、構造体（３）及び表面の相対的運動が、基板の開口部に適用される。少なくとも１つの粒子（４）は、したがって、それぞれの微小空洞（１）内へ送り込まれ、微小空洞（１）内で、ナノサイズの糸又はナノチューブの正中央のための触媒材料である多孔質材料を形成する。
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