【課題】発光素子パッケージ及びその製造方法が提供される。
【解決手段】本発明による発光素子パッケージはＬＥＤチップと、上記ＬＥＤチップを実装する本体部と、上記ＬＥＤチップを介し互いに向かい合うように 上記本体部から延長されて夫々具備され、上記ＬＥＤチップから放出される光を反射させる一対の反射部と、上記ＬＥＤチップを封止するように上記一対の反射部の間に形成され、中央領域が凹んだ上部面を具備するモールディング部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ｎ型電極とｎ型窒化ガリウム層のコンタクト抵抗を軽減し、熱的安定性を向上さ
せることができる縦型発光ダイオード素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る縦型発光ダイオード素子は、ｎ型電極１６０と、前記ｎ型電極
１６０の下面に形成されて、前記ｎ型電極１６０と接する表面にＮ元素よりＧａ元素が多
く含有されたＧａ⁺Ｎ層１１０ｃを有するｎ型窒化ガリウム層１１０と、前記ｎ型窒化ガ
リウム層１１０の下面に形成された活性層１２０と、前記活性層１２０の下面に形成され
たｐ型窒化ガリウム層１３０と、前記ｐ型窒化ガリウム層１３０の下面に形成されたｐ型
電極１４０と、前記ｐ型電極１４０の下面に形成された構造支持層１５０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＬＥＤをパッケージングするための基板の下面に少なくとも一つの溝を形成し、前記溝にカーボンナノチューブ(Ｃａｒｂｏｎ Ｎａｎｏ Ｔｕｂｅ: ＣＮＴ)物質を充填することにより、ＬＥＤから放出される熱を効果的にパッケージ外部へ放出することのできるＬＥＤパッケージ及びその製造方法が開示する。
【解決手段】本発明によるＬＥＤパッケージは、下面に少なくとも一つの溝が形成された基板と、前記基板の上面に形成された複数個の上部電極と、前記基板の上面に搭載され、前記上部電極と両端子が電気的に連結された少なくとも一つのＬＥＤと、前記基板に形成された前記溝に充填されたカーボンナノチューブ充填剤とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明はＬＥＤパッケージに関する。
【解決手段】本発明のＬＥＤパッケージは、ＬＥＤチップと、折れた板金部材からなり上記ＬＥＤチップを装着させる凹部が上部に形成された熱伝達部と、上記熱伝達部を封止し上記ＬＥＤチップから発生した光を上方に案内するよう構成されたパッケージ本体と、少なくとも上記熱伝達部の凹部に提供された透明密封体、及び上記ＬＥＤチップに電源を供給するよう上記パッケージ本体により一部が封止される複数のリードを含む。このように板金を折って熱伝達部を形成しこの熱伝達部にＬＥＤチップを収容する凹部を形成することにより反射効率を改善し工程を単純化することが出来る。 （もっと読む）

【課題】バックライトユニットが提供される。
【解決手段】本発明の実施例によるバックライトユニットは、複数の光源と、前記光源から放出された光が入射するように前記光源と交互に配置される複数の導光板と、前記光源と前記導光板とを格納するシャーシとを含み、前記複数の導光板は、前記シャーシの中央領域に向かうように対称をなして互いに離隔配置され、前記中央領域で向い合う一対の導光板は、互いに連結されて光が混合されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ｐ型電極パッド付近の面積を拡張して光抽出効率を向上させ、局部的な電流の集中を防止して駆動電圧を減少させる窒化物系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体発光素子２００は、縦横比が１．５以上の長方形の基板２０１と、その上に設けられたｎ型Ｉｎ_XＡｌ_YＧａ_1-X-YＮ物質から成るｎ型窒化物半導体層２０２と、ｎ型窒化物半導体層２０２の所定領域上に順に設けられた、Ｉｎ_XＡｌ_YＧａ_1-X-YＮ物質の活性層２０３及びｐ型Ｉｎ_XＡｌ_YＧａ_1-X-YＮ物質のｐ型窒化物半導体層２０４と、該ｐ型窒化物半導体層上に設けられｐ型窒化物半導体層の外側エッジラインから所定間隔離間して設けられた透明電極２０５と、該透明電極上に設けられｐ型窒化物半導体層の外側エッジラインから５０〜２００μｍだけ離間されたｐ型電極パッド２０６と、前記ｎ型窒化物半導体層上に設けられたｎ型電極パッド２０７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】改善された外部光子効率と動作電圧特性を有する垂直構造３族窒化物発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に伴う垂直構造３族窒化物発光素子は、導電性基板と;上記導電性基板上に順次積層されたｐ型クラッド層、活性層、ｎ-ドープＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{(１-ｘ-ｙ)}Ｎ(０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１)層、アンドープＧａＮ層及びｎ側電極を含み、上記アンドープＧａＮ層の上面には凸凹パターンが形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は垂直構造ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ＬＥＤ素子及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の垂直構造ＬＥＤ素子の製造方法は、成長用基板上に第１導電型ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層、活性層及び第２導電型ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を順次に形成する段階と、上記第２導電型ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層上に導電性基板を接合する段階と、上記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層から上記成長用基板を除去する段階と、上記成長用基板の除去により露出された面側の上記第１導電型ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層に電極を形成する段階とを含む。上記導電性基板の接合段階は、金属接合層を接合界面に接触させた状態で上記接合界面にマイクロ波を印加して上記金属接合層を局部的に加熱する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】改善された発光効率を有する発光ダイオードチップを提供する。
【解決手段】発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ１００は、基板１０１と、上記基板上に順次積層された第１導電型半導体層（ｎ型半導体層）１０３、活性層１０５及び第２導電型半導体層（ｐ型半導体層）１０７を備える発光構造物とを含み、上記基板の長さをＬとし上記基板の幅をＷとする場合、Ｌ／Ｗ＞１０である。さらに、ｐ型半導体層上にｐ側電極１０８を含み、ｎ型半導体層上にはｎ側電極１１０を含む。第１導電型半導体層（ｎ型半導体層）１０３、活性層１０５及び第２導電型半導体層（ｐ型半導体層）１０７は発光構造物１５０を構成している。ｎ側電極１１０はＬＥＤチップの長さＬ方向に延長された直線状の２つのライン部１１１とこれらを連結するパッド部１１２で構成することができる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハボンディングまたはメタルボンディングを利用したモノリシック白色発光素子を提供する。
【解決手段】白色発光素子１３０は、上面にｐ側リード端子１３２ａとｎ側リード端子１３２ｂが形成されたサブマウント基板１３１と、下からｐ型窒化物半導体層１２６、第１活性層１２４，１２５、ｎ型窒化物半導体層１２３及び絶縁性基板１２１が順次に積層されて成り、前記ｐ型及びｎ型窒化物半導体層はそれぞれ前記ｐ側及びｎ側リード端子に各々連結された第１発光部１２０と、前記絶縁性基板の上面の一領域上に形成された金属層１３８と、前記金属層の一領域上に接合され、下からｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体層１４６、第２活性層１４５及びｎ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体層１４２が順次に積層されて成る第２発光部１４０と、前記金属層の他領域と前記ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体層上にそれぞれ形成されたｐ側電極１４８及びｎ側電極１４９とを含む。 （もっと読む）