【課題】グラフェン発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】グラフェン発光素子及びその製造方法に係り、該グラフェン発光素子は、ｐ型ドーパントがドーピングされたｐ型グラフェンと、ｎ型ドーパントがドーピングされたｎ型グラフェンと、発光する活性グラフェンと、が水平配列されている。 （もっと読む）

【課題】小型の発光デバイスを提供する。
【解決手段】半導体発光素子と、半導体発光素子を載置する半導体基板と、半導体基板に形成され、半導体発光素子を制御する制御回路とを備える発光デバイスを提供する。制御回路は、半導体発光素子と対向する位置に形成されてよく、制御回路の一部は、半導体基板の表面に形成されてよい。制御回路を覆う絶縁膜を更に備えてよく、制御回路は、絶縁膜を貫通して、半導体発光素子に電気的に接続される素子接続端子を有してよい。半導体基板の表面には、半導体発光素子の高さに応じた深さを有するキャビティが形成され、半導体発光素子は、キャビティの底面に載置されてよい。 （もっと読む）

【課題】発光素子パッケージが開示される。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る発光素子パッケージは、放熱パッドおよび前記放熱パッドと離隔して形成される少なくとも２つの電極パッドを含むリードフレーム、放熱パッド上に実装され、ワイヤを介して少なくとも２つの電極パッドと電気的に接続する少なくとも１つの発光素子、放熱パッドおよび少なくとも２つの電極パッドが挿入され、少なくとも１つの発光素子が実装された第１面に放熱パッド、および少なくとも２つの電極パッドの一部を露出させる第１キャビティを含み、第１面の反対面である第２面と同じ平面上に放熱パッドおよび少なくとも２つの電極パッドが露出するパッケージモールドおよび第１キャビティ内に形成される成型部を含む。 （もっと読む）

【課題】レーザスクライビング装置が開示される。
【解決手段】本発明の実施形態に係るレーザスクライビング装置は、複数の発光素子が形成された基板の第１軸方向に移動しながら厚さ測定のためのレーザを照射する第１レーザ照射部と、第１レーザ照射部で照射されたレーザが基板から反射すれば、反射したレーザを受信するレーザ受信部と、レーザ受信部に受信されたレーザの強さを用いて基板の厚さを測定する厚さ測定部と、測定された厚さに応じてレーザ照射位置を調整しながら基板の第１軸および第２軸方向にレーザを照射して基板にスクライビングラインを生成する第２レーザ照射部とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は光学レンズとこれを備えるＬＥＤモジュール、及びこのようなＬＥＤモジュールを備える街灯のような照明装置に関する。
【解決手段】本発明の実施例による光学レンズは、縦方向（第１の方向）に延長された外面を有し、横方向（第２の方向）に対称をなすように形成されたレンズボディと、内部面が縦方向に非対称をなすように前記レンズボディの下部に形成されたキャビティと、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、微細パターンの形成工程に関する。
【解決手段】微細パターンの形成方法は、ｃ面六方晶系半導体結晶を設ける段階から始まる。上記半導体結晶上に所定のパターンを有するマスクを形成する。次いで、上記マスクを用いて上記半導体結晶をドライエッチングすることで上記半導体結晶上に１次微細パターンを形成し、上記１次微細パターンが形成された半導体結晶をウェットエッチングすることで上記１次微細パターンが水平方向に延びた２次微細パターンを形成する。ここで、上記ウェットエッチング工程から得られた２次微細パターンの底面と側壁は夫々固有の結晶面を有することができる。本微細パターンの形成工程は、半導体発光素子に非常に有益に採用されることができる。特に微細パターンが求められるフォトニック結晶構造または表面プラズモン共鳴原理を用いた構造に有益に採用されることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＬＥＤランプ用駆動回路及びＬＥＤランプに関する。
【解決手段】本発明は、一端が外部電源印加用端子として提供されるサーミスターと、当該サーミスターの他端に連結され、当該他端に印加された交流電圧を直流電圧に変換する交流−直流変換部と、当該交流−直流変換部から出力された直流電圧をＬＥＤランプの駆動のための直流電圧に変換する直流−直流変換部とを含むＬＥＤランプ用駆動回路と、少なくとも一つのＬＥＤが実装されたＬＥＤ実装用基板と、上記ＬＥＤの動作に必要な制御回路が実装され、一端に上記ＬＥＤと電気的に連結されるための両端子を含む制御回路基板と、上記ＬＥＤ実装用基板と上記制御回路基板とを連結し、当該制御回路基板に形成された両端子が挿合されるための溝部が形成されたカードエッジコネクタとを含むＬＥＤランプとを提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、化学気相蒸着装置及びこれを利用する半導体エピ薄膜の製造方法に関する。
【解決手段】本発明に係る化学気相蒸着装置は、所定のサイズの内部空間を有する内部管と当該内部管を覆って気密を維持する上部管とを有する反応チャンバーと、上記内部管内に配置され複数のウエハが所定の間隔に積載されて備えられるウエハホルダーと、上記ウエハの表面に半導体エピ薄膜を成長させるように上記反応チャンバー内部に外部からの反応ガスを供給する少なくとも一つのガスラインと当該ガスラインと連通して当該反応ガスを上記ウエハのそれぞれに噴射する複数の噴射ノズルとを有するガス供給部とを含み、上記ウエハの表面に成長される上記半導体エピ薄膜は、第１の導電型半導体層、活性層、第２の導電型半導体層の順に形成された発光構造物を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】同じ側に端子を有する半導体デバイスを提供する。
【解決手段】成長基板に半導体構造物を形成する段階と、半導体構造物に支持基板を付着した後で、成長基板を半導体構造物から分離する段階と、支持基板の半導体構造物と接する面と反対の面に、支持基板を介して半導体構造物と電気的に結合された第１端子部を形成する段階と、半導体構造物の支持基板に接する面と反対の面から、支持基板の半導体構造物と接する面と反対の面まで、半導体構造物及び支持基板の側面と平行に延伸された第２端子部を形成する段階と、半導体構造物、支持基板及び第１端子部を、支持基板及び半導体構造物の積層方向に切断する第１切断段階と、半導体構造物、支持基板及び第２端子部を、積層方向に切断する第２切断段階とを備える半導体デバイスの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤーボンディングをすることなくパッケージングが可能な半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に順次に積層された第１電極層、第１絶縁層、第２電極層、第２半導体層、活性層及び第１半導体層と、基板を貫通して、第１電極層と電気的に接続する第１コンタクトと、基板、第１電極層及び第１絶縁層を貫通して、第２電極層と電気的に接続する第２コンタクトと、を備え、第２電極層、第２半導体層及び活性層を貫通するコンタクトホールが形成され、第１電極層は、コンタクトホールを介して、第１半導体層と電気的に連結される半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）