説明

サムソン エルイーディー 株式会社により出願された特許

21 - 30 / 114


【課題】高品質の画像具現と薄型化に適した液晶表示装置用のバックライトユニットを提供する。
【解決手段】本発明の液晶表示装置用のバックライトユニットは、液晶パネルの下部に配置され上記液晶パネルに光を照射するバックライトユニットであって、相互分離されて各々ブロックを形成する複数の導光板と、上記導光板各々の側部に配置され該当ブロックの導光板に光を入光させる複数のLEDとを含み、上記複数のLEDはブロック別に部分駆動される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、半導体発光素子に関する。
【解決手段】本発明は、第1の導電型半導体層と活性層と第2の導電型半導体層とを含む発光構造物と、当該発光構造物の光放出面の少なくとも一部領域に形成され蛍光体粒子を含む透光性材料からなり内部にボイドを有する波長変換層とを含む半導体発光素子、及び、一面に形成された溝を含む基板と、当該基板のうち当該溝が形成されていない他面に形成され第1の導電型半導体層と活性層と第2の導電型半導体層とを含む発光構造物と、上記基板の溝に形成され蛍光体粒子又は量子点を含む透光性材料からなる波長変換層とを含む半導体発光素子を提供する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、半導体発光素子の製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一実施形態は、基板上にn型窒化物半導体層、活性層及びp型窒化物半導体層を順次成長させて発光構造物を形成する段階と、上記p型窒化物半導体層の上にスパッタリング工程を用いて透明電極を形成する段階と、上記スパッタリング工程の前又は上記スパッタリング工程中に当該スパッタリング工程が行われる反応室内部を窒素ガス雰囲気にする段階と、を含む半導体発光素子の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】バックライトユニットを小型化且つスリム化すると共に、再加工工程のような後
続工程を容易にすることができるバックライトユニットを提供すること。
【解決手段】光を発生する複数のLED110と、該複数のLED110を支持駆動する
印刷回路基板を有する複数のLEDモジュール120と、該複数のLEDモジュール12
0の上側に各々取り付けられた光学シート140と、該複数のLEDモジュール120の
背面に各々取り付けられた放熱パッド130とを含む。 (もっと読む)


【課題】高効率半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板21上に物質層及び金属層を順次に形成させ、金属層を陽極酸化してホー
ルが形成された金属酸化層に形成させ、それ自体で凹凸構造パターンとして使用するか、
金属酸化層のホールに対応するように金属酸化層下部の基板または物質層内にホールを形
成させて凹凸構造パターンとして使用して、その上部に第1半導体層23、活性層25及び第
2半導体層26を順次に形成させることによって凹凸構造を備える半導体発光素子を形成す
る。 (もっと読む)


【課題】ヘッドランプ組立体及びそれを具備する自動車を提供する。
【解決手段】ハウジング;ハウジング内に配され、その内側にLED光源と、LED光源から発生した熱を放熱するヒートシンクと、をそれぞれ具備する複数のヘッドランプ・ケース;複数のヘッドランプ・ケース内にそれぞれ設けられ、複数のヘッドランプ・ケースを循環するように流動を起こす複数の送風ファン;を具備する。これにより、複数のヘッドランプ・ケースに設けられた送風ファンが、互いに反対方向に送風することにより、それらによって発生する流動が、複数のヘッドランプ・ケースを循環することによって、放熱効果が向上する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、光抽出効率が向上した半導体発光素子及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、第1の導電型半導体層と、当該第1の導電型半導体層の一面上に形成される活性層と、当該活性層の上に形成され複数のホールを含む第2の導電型半導体層と、当該第2の導電型半導体層の上に形成される透明電極と、を含む半導体発光素子;成長用基板上に第2の導電型半導体層、活性層及び第1の導電型半導体層を形成する段階と、当該第1の導電型半導体層の上に導電性基板を形成する段階と、上記成長用基板を上記第2の導電型半導体層から分離し当該第2の導電型半導体層に複数のホールを形成する段階と、上記第2の導電型半導体層の上に透明電極を形成する段階と、を含む半導体発光素子の製造方法;を提供する。 (もっと読む)


【課題】半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】n型GaN系基板22上にp型電極を含む発光構造体を形成する段階と、前
記p型電極を含む発光構造体が形成された状態で、前記基板の下部面の全面を最初の状態
から当該基板が所定の厚さになるまでエッチングする段階と、前記所定の厚さになるまで
エッチングされた前記基板の下部面上にn型電極を形成する段階とを含む。これにより、
ダメ−ジがない基板の下部面にn型電極が形成されるので、発光素子、特に半導体レ−ザ
ダイオ−ドの特性を向上させ得る。 (もっと読む)


【課題】ウェハから切り出した発光素子を識別する。
【解決手段】複数の発光デバイスを製造する製造方法であって、発光素子基板に複数の発光素子を形成する素子形成段階と、それぞれの発光素子に、発光素子を他の発光素子から識別する識別部を形成する識別部形成段階と、それぞれの発光素子を分離して、複数の発光デバイスを形成するデバイス形成段階とを備える発光デバイスの製造方法を提供する。識別部は、発光素子を他の発光素子から識別する外観を有してよい。 (もっと読む)


【課題】窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導電性放熱基板(すなわち、熱伝導性基板)、放熱基板上に備わったGaN系多重層及びGaN系多重層上に備わったショットキー電極を含む窒化ガリウム系半導体素子である。該GaN系多重層は、放熱基板側に備わったAlGaN層及びショットキー電極側に備わったGaN層を含むことができる。かような窒化ガリウム系半導体素子の製造時、ウェーハボンディング(またはメッキ)及びレーザ・リフトオフ工程を利用することができる。 (もっと読む)


21 - 30 / 114