【解決手段】多孔質リフトオフ層は、半導体などの表面からの皮膜の除去を促進する。皮膜をパターン形成された多孔質層上に適用する。当該層は典型的には膜厚よりも大きい開口を含む。次いで、皮膜が求められていない領域から多孔質材料および皮膜を除去する。多孔質層は、乾燥させると孔隙が形成されるスラリーとして、または熱もしくは溶媒の適用により分離するフィールド内の不安定粒子として付与することができる。孔隙を通って進入するエッチング液によって皮膜を除去することができ、その孔隙では、皮膜が固体部分間のスペースを橋かけしていないため、エッチング液が皮膜の両表面を攻撃する。 （もっと読む）

モールドシートに亘って圧力差が適用され、半導体ウエハ（例えばシリコン）がその上に形成される。圧力差の緩和がウエハを取り外すことを可能にする。モールドシートは、メルトよりも冷たい。熱は、形成ウエハの厚み方向のみに拡散される。液固界面はモールドシートにほぼ平行である。凝固体の温度は幅方向に亘ってほぼ均一であり、その結果、低ストレス及び転位密度並びに高品質の結晶性を提供する。モールドシートは、それを通過するガス粒を可能にする必要がある。水平、垂直又はその中間のいずれかのメルト頂部への全領域接触、モールドシートへのメルトの部分領域横断、並びに、モールドのメルトへのディッピングによって、メルトがシートに導入されうる。多くの手段によって粒サイズを制御可能である。 （もっと読む）

【解決手段】液体含有材料は、太陽電池を形成するシリコンウェハなどの加工物の表面上で溝内に沈着される。液体は、分配管を通る際の圧力下で溝などの加工物経路に分配することができる。管は溝内を機械的にたどる。管は小型で溝の底部に留まることができ、側壁が拘束する。または、管は大きくして溝の上縁に乗ることができる。突起、非円形断面、成形突起、および丸突出部などのトラッキング機構もトラッキングを捕捉する。管はバネまたは磁気の装荷によって溝に押し付けることができる。引込機構などの整合ガイドは、管を溝内へ誘導することができる。経路に沿った復元機構は、方向が定まらない管を元に戻すことができる。多数の管を使用することができる。多数の加工物を１列に、あるいはドラム上で処理することができる。 （もっと読む）

ドーピングの目的のために自己整合セル（ＳＡＣ）アーキテクチャを使用する方法であって、ドーパント又は拡散抑制剤の堆積及び適用を誘導するようにアーキテクチャを用いる。導電フィンガーのためにメタライゼーションになる領域内にドーピングが提供される。ドーパントは、メタライゼーション溝内に直接的に処理されうる。あるいは、拡散抑制剤が非溝領域内に提供されて、ドーパントがウエハ全体の一部又は全てに亘って提供されうる。ドーパント及び金属は、必要なところに自動的に進入して、互いに整合する。光エネルギーの反射を減少するように、ＳＡＣアーキテクチャはセルの光吸収領域のための凹面をも含む。凹部において領域はまたドーパントで処理されうる。あるいは、拡散抑制剤が凹部内に処理されるが、凹部間のリッジ上端部はむき出しのままであり、深いドーピングを受ける。 （もっと読む）

光起電及び他の使用のためにパターニングされた基板が、ウエハなどの基板を被覆するレジスト材料薄層上に可撓性スタンプを押し付けることにより作成される。レジストは、層を変化させ又は流動可能になって、押し付け位置から流れ去り、典型的にはエッチングであるいくつかの成形処理を受ける基板を露出する。スタンプが除去されることで露出した部分及びレジストによって保護された残りの部分である。典型的な基板はシリコンであって、典型的なレジストはワックスである。ワークピーステクスチャは、延在する溝、個別に離隔したピット、及び、これらの組み合わせ及び中間物を含む。プラテン又はローラーパターニング装置が使用されうる。粗く不規則なワークピース基板は、延在スタンプ要素で適合されうる。レジストは望まれる場所で完全に基板を脱湿潤する。 （もっと読む）