本発明の特徴は、表面抵抗率が1×10⁵〜1×10¹²Ω／□である安定化ジルコニアと、少なくとも2容積％の散乱材料とを含む静電散逸セラミック素子に見いだすことができる。安定化ジルコニアは、60〜95重量％の量で存在できる。本発明のさらに別の特徴は、安定化ジルコニアと、抵抗率変更剤と、散乱材料とを含む静電散逸セラミック材料に見いだすことができる。安定化ジルコニアは、セラミック材料の60〜95重量％の量で存在できる。抵抗率変更剤は、5〜30重量％の量で存在できる。散乱材料は、静電散逸セラミック材料の少なくとも2容積％を占めることができる。この素子は、ハード・ドライブなどのエレクトロニクス素子の製造に使用することができる。 （もっと読む）

本発明には、基板と工作機械との間に、研磨剤とリン化合物を含むスラリーとを供給し、そして該工作機械に対して該基板を動かし、Ａｌを含むセラミック基板を機械加工するための方法が記載されている。
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本発明は、α-アルミナ粒子を含むα-アルミナ粉末であって、前記α-アルミナ粒子の80%以上が、100 nm未満の粒子サイズを有しているα-アルミナ粉末を提供する。本発明はまた、スラリー、特に水性スラリーであって、本発明のα-アルミナ粉末を含むスラリーを提供する。本発明はさらに、本発明のα-アルミナ粉末及びα-アルミナ・スラリーの製造方法、及び本発明のα-アルミナ粉末及びα-アルミナ・スラリーを使用した研磨方法を提供する。
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本発明は、ナノ多孔質α-アルミナ粉末であって、平均粒子サイズ約100 nm未満の相互結合されたα-アルミナ一次粒子と、孔又はボイドの相互貫通列とを含む粉末を含んでなるナノ多孔質α-アルミナ粉末を提供する。本発明はまた、平均粒子サイズ約100 nm未満のα-アルミナ粒子を含むナノサイズα-アルミナ粉末、並びに本発明のナノサイズα-アルミナ粉末を含むスラリー、具体的には水性スラリーを提供する。本発明はさらに、本発明のナノ多孔質α-アルミナ粉末及びナノサイズα-アルミナ粉末の製造方法、並びに、本発明のスラリーを使用した研磨方法を提供する。
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基板と、前記基板上に堆積させたセラミック層とを含む構造コンポーネントが提供される。このセラミック層は、セラミック静電放電散逸材料から形成され、電気抵抗率が約１０³〜約１０¹¹オーム・ｃｍの範囲である。
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複数のウエハを支持するウエハキャリアは、クレードル内に設けられた複数のスロットを含み、該クレードルは、シリコンカーバイドで構成されると共に、該シリコンカーバイドを覆う酸化物層を有している。
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複数の支持要素（３４）を含む支持床（３２）を含む１種または２種以上の流動物質の処理装置である。該支持床は、４５％以上の空隙率を有することができる。触媒要素床等の活性床（３６）は、支持床によって支持されることができる。支持床の空隙率が従来の球状要素の同等の床よりも大きくできることにより、床を経由する反応剤の流量の顕著な改善および／または支持床全体での圧力降下の低減が可能になる。
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【課題】耐湿性の熱伝導材料を提供すること。
【解決手段】疎水性化合物を有する熱伝導性粒子を含む粒子充填剤、ならびに充填剤粒子を結合させるのに有効なバインダーを含有する耐湿性の熱伝導性材料。さらには、熱源（１２）、ヒートシンク（１４）、ならびに熱源（１２）とヒートシンク（１４）の間に、そして接触して配置された耐湿性の、熱伝導性材料層（１６）からなる電子装置を含む。さらに本発明は疎水性化合物被覆を有する凝集された窒化ホウ素粒子を含む、耐湿性の熱伝導性材料。また、熱源に近接してヒートシンクを設けること、そして熱源とヒートシンクの間に、そして接触して耐湿性の熱伝導性材料の層を配置することからなる、熱源から熱を除去する方法も提供される。 （もっと読む）

本発明は、アニール処理炉中の酸素及び水の濃度を下げ、それによって結晶の欠陥をなくさない場合であっても著しく低減させる気体除去方法を提供する。この方法では、アニール処理工程の始めに、アニール処理炉の気密容器を１回だけでなく複数回にわたって排気し、不活性ガスで満たす。アニール処理においては、フッ化剤を伴う又は伴わない不活性ガスを、そのガス流中の酸素及び水の濃度をそれぞれ５ｐｐｍ未満、より好ましくは１ｐｐｍ未満に保ちながら、加熱及び冷却工程の間に、容器を通して流す。
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形成される素子の１以上の層を射出成形することを含む、セラミック抵抗イグナイタ素子の新規な製造方法を提供する。また、本発明の製造方法で得ることが可能なセラミックイグナイタを提供する。 （もっと読む）