【課題】本発明は、脱脂対象であるボンディングワイヤにキズを発生させず、かつ十分な脱脂効果が得られるボンデシィングワイヤの脱脂方法及びこれを用いた被覆ボンディングワイヤの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】電気泳動を用いてボンディングワイヤ５を脱脂するボンディングワイヤの脱脂方法であって、
第１のアルカリ溶液３０が収容され、該第１のアルカリ溶液内に前記電気泳動を行うための陽極５０が設けられた第１の槽１０内に前記ボンディングワイヤを浸漬させて通過させる第１の脱脂工程と、
第２のアルカリ溶液４０が収容され、該第２のアルカリ溶液内に前記電気泳動を行うための陰極が設けられた第２の槽２０内に、前記第１の槽内を通過した前記ボンディングワイヤを浸漬させて通過させる第２の脱脂工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属製ワイヤ表面に有機被膜を形成したボンディングワイヤにおいて、スプールからのワイヤほぐれ性と半導体素子へのワイヤ接続性を確保しつつ、ボンディング時のワイヤ削れを防止し、キャピラリ汚れの発生を防止することのできるボンディングワイヤ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】有機被膜の厚みが０．５〜３ｎｍであり、ワイヤ表面をＴＯＦ−ＳＩＭＳ分析し、２次イオンスペクトルピークについて金属製ワイヤの主成分金属ピーク強度によって規格化し、炭素を１〜６有するアミンの１種以上（Ｃ系成分）に起因するピーク強度が１以上であり、炭素を１５〜２１有する陽イオン系界面活性剤（Ａ系成分）に起因するピーク強度が１以上であるか、及び／又は、炭素を１５〜２０有する非イオン系界面活性剤（Ｂ系成分）に起因するピーク強度が０．１以上であるボンディングワイヤである。 （もっと読む）

【課題】材料費が安価で、高湿高温環境でのPCT信頼性に優れ、さらに熱サイクル試験のTCT信頼性、ボール圧着形状、ウェッジ接合性、ループ形成性等も良好である半導体素子用銅系ボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】Pdを0.13〜1.15質量％含有し、残部が銅と不可避不純物とでなる銅合金を伸線加工してなる半導体用銅合金ボンディングワイヤであって、ワイヤ長手方向と平行にあるワイヤ断面における結晶粒の平均サイズが２μｍ以上ワイヤ線径の１．５倍以下であることを特徴とする半導体用銅合金ボンディングワイヤ。 （もっと読む）

【課題】材料費が安価で、低ループ化、ボール接合性に優れ、積層チップ接続の量産適用性にも優れた、複層銅ボンディングワイヤのボール接合部の接合構造を提供する。
【解決手段】銅を主成分とする芯材21と、前記芯材の上にＰｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔのうち少なくとも1種から選ばれる貴金属を主成分とする外層22とを有する複層銅ボンディングワイヤの先端に形成したボール部を接続してボール接合部３の接合構造を形成する。前記貴金属の第１濃化部10を、前記ボール接合部の表面領域のなかでも前記銅ボンディングワイヤとの境界に位置するボール根元域９に形成する。 （もっと読む）

【課題】材料費が安価で、高湿高温環境でのPCT信頼性に優れ、さらに熱サイクル試験のTCT信頼性、ボール圧着形状、ウェッジ接合性、ループ形成性等も良好である半導体素子用銅系ボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】Pdを0.13〜1.15質量％含有し、残部が銅と不可避不純物とでなる銅合金を伸線加工してなることを特徴とする半導体用銅合金ボンディングワイヤを提供することができる。また、ボール変形が良好であり、量産性にも優れた半導体用銅合金ボンディングワイヤを提供することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、平滑で清浄な表面を有する金属線を製造する伸線装置、及び伸線方法を提供する。
【解決手段】伸線装置1は、金属線材50を伸線ダイス60への進入部において潤滑液240に浸漬させる浸漬手段と、前記潤滑液240に浸漬した前記金属線材50を１つ以上の伸線ダイス60に通して走行させる走行手段とを有する。前記伸線ダイス60又は前記潤滑液240と、前記金属線材50との間のバイアス電圧を制御する電圧制御手段を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、材料費が安価で、Ａｌ電極との接合部の長期信頼性に優れ、車載用ＬＳＩ用途にも適用できる接合構造、または半導体用銅ボンディングワイヤを提供することを目的とする。
【解決手段】銅ボンディングワイヤの先端に形成したボール部をアルミ電極に接合したボール接合部を形成し、銅ボンディングワイヤの先端に形成したボール部をアルミ電極に接合したボール接合部であって、前記ボール接合部を１３０〜２００℃のいずれかの温度で加熱した後において、前記ボール接合部の断面に有するＣｕとＡｌで構成される金属間化合物の厚さに対して、ＣｕＡｌ相の金属間化合物の厚さの割合である相対化合物比率Ｒ１が、４０％以上１００％以下となるものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複層銅ボンディングワイヤの実用化における従来技術の問題を解決して、ボール部の形成性、接合性を改善し、ウェッジ接続の接合強度を高め、工業生産性にも優れたボンディングワイヤの接合構造及びその形成方法を提供する。
【解決手段】ボンディングワイヤは銅を主成分とし、ボール接合部に銅以外の導電性金属の濃度が高い濃化層を形成した。ボール接合部の表面近傍、又はボール接合部の界面に濃化層を形成した。導電性金属の濃度が０．０５〜２０ｍｏｌ％である領域の厚さが０．１μｍ以上であり、濃化層における導電性金属の濃度は、濃化層以外のボール接合部における導電性金属の平均濃度の５倍以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】パラジウムめっきされたリードフレームであっても良好なウェッジ接合性を確保でき、耐酸化性に優れた、銅又は銅合金を芯線とする半導体素子用ボンディングワイヤーを提供する。
【解決手段】銅又は銅合金から成る芯線と、該芯線の表面に、10〜200nmの厚さを有するパラジウムを含む被覆層と、該被覆層の表面に、3〜80nmの厚さを有する金とパラジウムとを含む合金層と、を有し、前記金とパラジウムとを含む合金層中の金の濃度が15体積%以上75体積%以下である半導体用ボンディングワイヤーである。 （もっと読む）