【課題】ショットキー障壁金属酸化物半導体の電界効果トランジスタの両極伝導性を利用した素子及び素子動作方法を提供する。
【解決手段】シリコンチャンネル領域、チャンネル領域の両端に接触するように金属層を備えて形成されたソース及びドレイン、及びチャンネル領域上にゲート誘電層を界面に伴って重畳されるゲートを備えるショットキー障壁金属酸化物半導体の電界効果トランジスタ構造で、ゲートに正、０または負のゲート電圧を選択的に印加して素子を動作させることにより、正孔電流及び電子電流の二種のドレイン電流状態と電流が流れない電流状態の三種の状態を１つのショットキー障壁金属酸化物半導体の電界効果トランジスタで具現できる。これにより、かかるショットキー障壁金属酸化物半導体の電界効果トランジスタを多ビットメモリ素子または／及び論理素子のような素子として利用可能である。 （もっと読む）

【課題】ｎ型ショットキー障壁貫通トランジスタ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】チャンネル領域が形成されるシリコン層、シリコン層上にチャンネル領域上に重畳されるように形成され、シリコン層との界面にゲート誘電層を伴うゲート、シリコン層上にチャンネル領域を挟むソース／ドレインから形成された希土類金属シリサイド層及び遷移金属シリサイド層を備える二重層により構成されるｎ型ショットキー障壁貫通トランジスタ素子である。 （もっと読む）

【課題】 オン状態の挿入損失が減少し、オフ状態の隔離度が増加するように、エピ基板の構造を最適化する。
【解決手段】 本発明に係る半導体素子のトランジスタは、半絶縁基板上に、緩衝層、第１のシリコンドーピング層、第１の伝導層、前記第１のシリコンドーピング層と異なるドーピング濃度を有する第２のシリコンドーピング層及び第２の伝導層が順次に積層されたエピ基板と、前記第１のシリコンドーピング層の所定深さまでに浸透するように前記第２の伝導層の両側上に形成され、オーム接触を形成するソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極間の第２の伝導層上に形成され、前記第２の伝導層とコンタクトを形成するゲート電極とを備え、前記ゲート電極と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間は、絶縁膜により電気的に絶縁され、前記ゲート電極の上部が前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方に部分的に重なって形成される。 （もっと読む）

【課題】 ナノ級半導体素子の製作に必須な均一な厚み及び高品質の良好な界面特性を有する超薄型ＳＯＩ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明によるＳＯＩ基板の製造方法は、（ａ）第１ウェーハの所定深さに埋め込み酸化膜層を形成した後、第１ウェーハ上に酸化膜を形成する段階と、（ｂ）埋め込み酸化膜層より深い深さの第１ウェーハに水素埋め込み層を形成する段階と、（ｃ）酸化膜上に第２ウェーハを接合させる段階と、（ｄ）埋め込み酸化膜層と水素埋め込み層との間の第１ウェーハが露出されるように、水素埋め込み層の下部の第１ウェーハを除去する段階と、（ｅ）埋め込み酸化膜層と酸化膜との間の第１ウェーハが露出されるように、（ｄ）段階で露出された第１ウェーハ及び埋め込み酸化膜層を順次に除去する段階と、（ｆ）（ｅ）段階で露出された第１ウェーハの所定厚みを除去する段階と、を備える。 （もっと読む）

本発明は、マルチプロトコルに基づく異種リーダのサポートのためのＲＦＩＤリーダインターフェースおよびイベント管理デバイス、ならびにその方法に関する。本発明は、プロトコル変換処理により、互いに異なるプロトコルを使用する複数の異種リーダとアプリケーションシステムとの通信をサポートし、かつ収集されたＲＦＩＤタグデータに対するイベント生成およびデータフィルタリング処理により、アプリケーションシステムに伝送するデータ量を顕著に減少させる。
前記インターフェースは、複数のＲＦＩＤリーダを個別的に識別し、当該ＲＦＩＤリーダと前記アプリケーションシステムとの接続を確立するリーダ接続管理ユニットと、前記ＲＦＩＤリーダからタグデータを受信するか、プロトコル処理器で個別プロトコルデータに変換されたアプリケーションシステムデータを該当のＲＦＩＤリーダに送信するリーダ送信／受信処理器と、異種のＲＦＩＤリーダをサポートするため、前記リーダ送信／受信処理器で受信されたタグデータを共通のプロトコルデータに変換するか、ミドルウェア送信／受信処理器で受信されたアプリケーションシステムデータを個別プロトコルデータに変換する前記プロトコル処理器と、該プロトコル処理器で共通のプロトコルデータに変換されたタグデータを前記アプリケーションシステムまたはＲＦＩＤイベント管理デバイスに送信するか、前記アプリケーションシステムから前記アプリケーションシステムデータを受信する前記ミドルウェア送信／受信処理器とを備える。
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【課題】一定のＤＣオフセットを有する差動増幅信号を出力し、低電圧で高速動作が可能な低電圧差動信号の駆動回路及び制御方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る低電圧差動信号の駆動回路は、電源電圧端子と接地端子との間に設けられ、差動増幅信号を出力する差動増幅信号発生部と、差動増幅信号によってコモンモード電圧を生成するコモンモード電圧生成部と、電源電圧端子と差動信号発生部の出力端子との間に接続され、コモンモード電圧によって抵抗が変わる可変負荷素子とを含む。本発明によれば、低い供給電源で高速動作が可能であり、供給電源と動作温度及び製造工程などの変化に対して安定した信号雑音特性と差動出力信号の大きさを提供することができ、低電圧の動作環境への適用が容易である。 （もっと読む）

【課題】 外部の光注入によるロック特性を用いる集積型半導体光源を提供する。
【解決手段】 集積型半導体光源は、電流注入によって光利得と光出力を調節する活性領域と、前記活性領域に単一集積された構造を有し、電流注入または逆電圧印加によって空洞モードを移動させて注入光をロックさせる受動領域とを備える。 （もっと読む）

【課題】複雑度を低く維持しながらも性能劣化が減少する、近似方法を提案する。
【解決手段】誤り訂正のためのチャンネル符号を使用する通信システムにおいてエラーを反復復号過程を適用して矯正する受信機であって、チャンネルの出力信号を受信し、復調部と、エラーを矯正するために、復調部出力信号を数回反復して復号し、反復して復号する場合に用いられるＬＬＲ値を求めｌｏｇ（ｅ^ａ１＋ｅ^ａ２＋…＋ｅ^ａＮ）である第１式を、ａ１乃至ａＮのうちの最も大きいａ_ｍａｘ１と二番目に大きいａ_ｍａｘ２とを利用して近似させる反復復号部とシンク部とを備えている。ここで、反復復号部は、上記第１式を


のように近似化してＬＬＲ値を求める。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、異種のホームネットワークミドルウェア上に接続しているホームデバイスの間の相互連動のためのホームネットワーク汎用ミドルウェアブリッジ(ＵＭＢ)システム及びその方法を提供することにある。
【解決手段】 ホームネットワーク汎用ミドルウェアブリッジ(ＵＭＢ)システムにおいて、ホームネットワーク上に存在する異種ミドルウェアに接続したデバイスを相互連動させるために、異種のミドルウェアに対するブリッジアダプティング手段の間の接続設定/解除と、ＵＭＢメッセージ解析/伝達を行うブリッジコア手段と、ブリッジコア手段とミドルウェアとを接続し、それぞれのミドルウェアに対するローカルメッセージとＵＭＢメッセージとの間の相互変換を通して、異種デバイスに対するデバイス発見/解除、デバイス制御/監視、イベント登録/発生通知を行う複数のブリッジアダプティング手段を含む。 （もっと読む）

【課題】 レーザダイオードの種類及び特性に関係なく適切な温度補償を行うことができ、入力信号レベルが一定で周期的な連続信号モードばかりでなく入力信号のパケットの大きさが多様なバーストモードにも安定的に適用できる、アナログ／デジタル混合方式温度補償機能を有した光送信装置を提供する。
【解決手段】 デジタル１または０を光信号で出力するレーザダイオードの光出力パワーをモニタリングＰＤを通して検出し、１と０の光出力レベルが一定の値を維持するようレーザ駆動回路のバイアス電流を制御するにあたって、温度変化によるレーザ駆動回路のバイアス／変調電流制御のためのプログラムを具備し、上記プログラムに応じてレーザ駆動回路のバイアス電流及び変調電流を制御するデジタル制御部を含んで温度補償回路を構成することにより、上記デジタル制御部のプログラム変更のみで温度補償動作を調整できるよう構成したものである。 （もっと読む）