【課題】シリコンダイに亀裂が入ることを防止し、ダイと基板との間の良好なジョイントを提供する。
【解決手段】ダイを基板に取付けるに際しては、ダイと基板との間にジョイントまたは電気カップリングが用いられる。装置は、基板１００と、この基板上に配置されたダイ１２０と、このダイとその基板との間の電気的ジョイントとを備え、この電気的ジョイントは、基板とダイとの間の電気的カップリングを与えるために３００℃以下で焼結されたナノ材料１１０を含む。 （もっと読む）

伝導性組成物は、保護されていない単一の反応基を含む一酸混成物を含む。この一酸混成物は、他の場所において実質的に非反応性の基を含むことにより連鎖終結剤として機能し得る。この組成物を使用した方法および装置も開示される。 （もっと読む）

ステンシルを利用してメタライズを半導体基板上に施すための方法である。このステンシルは、コンタクト側から充填側まで延びる少なくとも１つの開口を有し、ステンシルのコンタクト側は実質的に平坦であるとともにこの少なくとも１つの開口の壁との間に鋭いエッジを形成し、この少なくとも１つの開口はテーパ形状をなし、充填側におけるこの少なくとも１つの開口の断面の面積は、コンタクト側におけるこの少なくとも１つの開口の断面の面積よりも大きい。メタライズ配線を半導体基板上に堆積させるためのステンシルを形成する方法も開示される。
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導体パターンおよびそのような導体パターンを使用し、印刷する方法が開示される。特定の実施例では、導体パターンは、導電性材料を基板上の支持体の間に配置するによって作製され得る。支持体は、所望の長さおよび／または形状を有する導体パターンを提供するために除去され得る。
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本明細書に開示される特定の実施例は、基板と、基板上に配列された導体とを含む装置に向けられる。一部の実施例において、配列された導体および基板は各々が、互いに溶解しない材料を含み得る。他の実施例において、導体はほぼ純粋な金属をさらに含み得る。特定の実施例において、配列された導体は、接着テープ試験ＡＳＴＭ Ｄ３３５９−０２に合格するように構成され得る。導体を形成する方法も提供される。
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取付け方法と、そのような方法を用いて製造される装置が開示される。ある実施例においては、この方法は、基板にキャップされたナノ材料を配置する工程と、配置後のキャップされたナノ材料上に電子部品を配置する工程と、配置後のキャップされたナノ材料および配置されたダイを乾燥させる工程と、乾燥後の配置された電子部品および乾燥後のキャップされたナノ材料を３００℃以下の温度で焼結して、電子部品を基板に取付ける工程とを備える。この方法を用いて製造される方法もまた記載される。
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堆積後に柔軟性が保持されたフラックス配合物を開示する。特定のある例では、フラックスは、第１成分と、堆積後に柔軟性のフラックスをもたらすのに有効な量の第２成分とを含む。フラックスはまた、活性化剤、可塑剤などを含むものであり得る。 （もっと読む）

ここに開示される一部の例は、印刷回路基板および太陽電池などの電気装置の配線に使用されるように設計された材料に向けられる。一部の例では、二段半田を用いて、電気装置の作製において使用される材料に対する応力を低下させ得る。
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金属およびインクを含む組成物における使用のための溶剤系およびそのような溶剤系を含む分散液が提供される。特定の実施例では、溶剤系は、導線を印刷するために使用され得る分散液を提供するために、保護された金属粒子と共に使用され得る。
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粒子および粒子フィルムを提供する。特定の実施例において、プリント配線板などの装置用に粒子を工業規模で合成するために、単相プロセスから生成された粒子を用いてもよい。粒子、特に銀粒子は、単相溶液中で金属または金属塩をキャッピング剤と混合するステップと、単相溶液に還元剤を添加して、キャッピングされたナノ粒子を生成するステップとを備えるプロセスによって生成される。
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