【課題】配線表面に接触した際の接触抵抗を低減しうる配線構造及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】耐酸化性金属又はその窒化物からなる導電膜を形成する工程と、該導電膜上の自然酸化膜を除去する工程と、前記導電膜上に導電性酸化物膜を形成する工程と、前記導電膜及び導電性酸化物膜を同一のマスクにより同一のパターンに加工する工程とを有することを特徴とする配線構造の製造方法により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 表面電極の剥がれを防止することにより、静電容量の検出精度の低下を抑制することが可能な静電容量検出装置を提供すること。
【解決手段】 表面電極１７が側面にテーパー部２０を有し、当該テーパー部２０に保護層１８の押さえ部分２１が重なっているため、表面電極１７が剥がれようとするのを保護層１８により押さえることができる。これにより、表面電極１７の剥がれを防止することができ、静電容量の検出精度の低下を抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スウィープタイプの指紋センサにおいて、センサ部の周囲の樹脂部の高さを抑えて指を移動しやすくした指紋センサ装置を提供することを課題とする。
【解決手段】指を接触させながら移動して指紋のパターンを認識するための指紋センサ装置は、センサ部４が表面に形成された半導体チップ２と、半導体チップ２を封止する封止樹脂部１０とを有する。封止樹脂部１０に形成された開口部の底部においてセンサ部４及び半導体チップ２の表面が露出する。開口部を画成する封止樹脂部１０のうち指を移動する方向における部分は、半導体チップ２の露出した面と同一面上にある平面である。 （もっと読む）

【課題】 組み立て不良を削減することができるセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】 円柱状基材５１を円筒状基材５２に挿入し、内側電極構成部５４と円筒状基材５２間に内間隙６１を形成する。また、内嵌部５３Ｂと円筒状基材５２間に、内間隙６１と外部を連通する内連通路６６を形成し、内間隙６１に充填剤を充填する。さらに、円筒部材５３Ａへ挿入し、外側電極構成部７２と円筒部材５３Ａ間の外間隙８１に充填剤を充填する。このワーク４１を負圧が加えられた密閉容器に収容して放置した後、大気圧に戻して加熱して充填剤を硬化する。このワーク４１を切断部４２で切断して静電容量センサ１を形成する。 （もっと読む）

【課題】 列毎に出力線を備える場合でも高い検出精度で静電容量検出が行える静電容量検出装置を提供する。
【解決手段】 行列状に配置された静電容量検出素子、各行に配置された静電容量検出素子を選択するための行線ＲＬ、各列に配置された静電容量検出素子からの信号を出力するための出力線ＯＬを備える。各静電容量検出素子には、行線ＲＬからの信号に基づいて当該静電容量検出素子の信号の出力線ＯＬへの出力を制御する行選択素子Ｔ２を備えている。行線ＲＬからの選択信号に基づいて選択状態とされた静電容量検出素子からの信号が当該静電容量検出素子に配置されている出力線ＯＬに出力されるように構成されている。 （もっと読む）

庇部とこの庇部をほぼ中央部で支持する支持部とから構成され、支持部の上部電極（１１０ｂ）の平面方向の面積が庇部の面積より小さく形成された構造体（１１３ｂ）が、下部電極１０５ａの上部領域における上部電極（１１０ａ）の上に各々の下部電極（１０５ａ）に対応して配置する。表面の形状を検出する対象となる例えば指（１６０２）の先端は、構造体（１１３ｂ）の庇の表面に接触し、検出対象に庇が接触した構造体（１１３ｂ）の支持部により、上部電極（１１０ａ）の一部が下部電極（１０５ａ）の方向に押し下げられて上部電極（１１０ａ）が変形する。
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【課題】被検出物までの距離が長い場合も検出精度が十分に高い静電容量型距離センサを提供する。
【解決手段】センサ部１０１は、送信電極１０１ａと、送信電極１０１ａの裏面側から放射される電磁波を遮蔽するシールド電極１０１ｂと、送信電極１０１ａとシールド電極１０１ｂとの間に流れる電流を遮断するためにの補助電極１０１ｃとを有する。バッファ回路１０３が出力する交流電圧は、抵抗素子１０４を介して送信電極１０１ａに供給され、且つ、抵抗素子１０４を介さずに補助電極１０１ｃに供給される。抵抗素子１０４は、送信電極１０１ａから流出する検出電流の値を、端子間電圧として検出する。本発明によれば、異なる配線を介してバッファ回路から送信電極および補助電極に交流電圧を供給し、送信電極を流れる電流のみを電流検出抵抗素子で検出するので、被検出物の検出精度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 優良な静電容量検出装置を実現する。
【解決手段】 Ｍ行Ｎ列の行列状に配置されたＭ本の行線とＮ本の列線、及び此等交点に設けられた静電容量検出素子とを具備し、静電容量検出素子は信号検出素子と信号増幅素子とリセット素子とを含み、信号検出素子は容量検出電極と容量検出誘電体膜とを含み、信号増幅素子はソース電極とドレイン電極とゲート電極とを有する信号増幅用薄膜半導体装置から成り、リセット素子はソース電極とドレイン電極とゲート電極とを有するリセット用薄膜半導体装置から成り、信号増幅素子のゲート電極と容量検出電極とリセット素子のドレイン電極とが接続されて居る。 （もっと読む）