【課題】アバランシェ破壊した半導体素子に電流が流れ続けることを抑えることができる、半導体素子の試験装置を提供すること。
【解決手段】コイル１４と、コイル１４に接続される半導体素子１０がアバランシェ破壊した後にコイル１４に流れる電流を還流させる還流回路（コイル１４→リレー４→ダイオード１６→コイル１４の電流経路）とを備え、前記還流回路が、コイル１４と半導体素子１０が構成された閉回路（コイル１４→半導体素子１０→ダイオード１３，２１→コイル１４の電流経路）よりも低いインピーダンスを有する、半導体素子の試験装置。 （もっと読む）

【課題】被検体の破壊後に継続電流による被検体の損傷拡大や試験回路の損傷を抑制可能な半導体試験装置を提供する。
【解決手段】電源部２１と被検体１０との間に設けられ、被検体１０の破壊時に被検体１０に流れる電流を遮断する半導体スイッチ２２ａのターンオフ時に発生するサージ電圧を吸収するスナバ回路として、放電阻止型のスナバ回路２３を用いることで、半導体スイッチ２２ａがターンオフ後に流れる継続電流を減少でき、被検体１０の損傷の拡大及び試験回路の損傷が抑制される。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを樹脂封止した半導体素子において、樹脂封止部１５の絶縁耐量試験とその他の特性試験を同時に行い、試験コストを低減できて、特性試験装置全体の占有面積を減少できる半導体素子の特性試験装置およびその装置を用いた半導体素子の特性試験方法を提供する。
【解決手段】絶縁耐量を試験するための電圧印加治具１を半導体素子の樹脂封止部１５に接触させ、この電圧印加治具１に静特性試験または動特性試験で印加される高電圧を印加することで、特性試験（漏れ電流試験、耐圧特性試験、Ｌ負荷試験など）と同時に樹脂封止部１５の絶縁耐量試験も行う。 （もっと読む）

【課題】半導体装置としての耐久性能に影響を与えるボイドの有無や位置を精度よく検出することが可能な半導体装置の検査装置及び半導体装置の検査方法を提供する。
【解決手段】基板上にはんだ接合により半導体素子６を実装した半導体装置２の検査装置１において、半導体素子６にＯＮ電圧を印加する電源供給部１２と、半導体素子６にＯＮ電圧を印加したときに、半導体素子６に短絡電流を通電させる短絡回路１５と、はんだ接合部に生じるボイドのサイズ及び位置と短絡耐量時間との関係から予め設定された所定時間だけ半導体素子６に短絡電流を通電する制御手段１１と、を備える構成とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、テスト時に半導体の終端部での放電を防止することが可能な半導体テスト治具を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明による半導体テスト治具は、プローブピン３と、プローブピン３を平面視で囲むように設けられた絶縁物２とが配設された土台１と、土台１のプローブピン３および絶縁物２が配設された側の面に対向して配置され、土台１側の面上に被検体４を載置することが可能なステージ６とを備え、ステージ６に被検体４を載置して土台１とステージ６とが接近する方向に移動する際、プローブピン３が被検体４に形成された電極と接触すると共に、絶縁物２が被検体４に接触することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体素子の動特性と、静特性たる飽和電圧とを１台の装置で精密に検査すること。
【解決手段】パワー半導体素子たるスイッチング素子６をスイッチング動作させて電気的な動特性を検査するとともに、検査時の短絡電流の発生に伴って前記スイッチング素子６を電気的に遮断するトランジスタ５３を備えた半導体検査装置１において、前記トランジスタ５３を定電流出力動作させる定電流回路６０を構成し、前記定電流回路６０によって前記トランジスタ５３が出力する定電流を前記スイッチング素子６に与えて飽和電圧Ｖｃｅ（ｓａｔ）を検査する構成とした。 （もっと読む）

【課題】逆バイアス安全動作領域を正確に測定することができる逆バイアス安全動作領域測定装置を得る。
【解決手段】逆バイアス安全動作領域測定装置１は、被測定ＩＧＢＴ２の逆バイアス安全動作領域を測定するための装置である。逆バイアス安全動作領域測定装置１は、パワーＭＯＳＦＥＴ７と、被測定ＩＧＢＴ２のコレクタ電圧に基づいて制御電圧を生成してパワーＭＯＳＦＥＴ７のゲートに印加する制御電圧生成回路８とを備える。被測定ＩＧＢＴ２のコレクタ電圧がクランプ電圧を超えると、パワーＭＯＳＦＥＴ７がＯＮして、コレクタ電圧が下がる。一方、被測定ＩＧＢＴ２のコレクタ電圧がクランプ電圧を下回ると、パワーＭＯＳＦＥＴ７がＯＦＦして、コレクタ電圧が上がる。 （もっと読む）

【課題】プローブまでの回路インダクタンスを低減できる検査装置を提供すること。
【解決手段】被検査デバイスたる半導体デバイスの表面に、Ｐ側プローブ６５ＡとＮ側プローブ６５Ｂを接触させ、前記半導体デバイスの電気的特性を検査する検査装置１において、Ｐ側プローブ６５ＡとＮ側プローブ６５Ｂのそれぞれに、平編線から成るＰ側接続配線材７０及びＮ側接続配線材７１を接続し、各Ｐ側接続配線材７０及びＮ側接続配線材７１の面を対面配置し、各Ｐ側接続配線材７０及びＮ側接続配線材７１を通じて前記Ｐ側プローブ６５ＡとＮ側プローブ６５Ｂに電位を与える構成とした。 （もっと読む）

【課題】ウエハテストで仕様最大電圧の試験を行うときに、半導体素子の電極間の距離を広げる方法や高価なプローバを使用する方法を用いずに、高電圧印加時の空気放電を防止することができる半導体素子試験方法および半導体素子試験装置を提供する。
【解決手段】複数の半導体素子が作成されたウエハに対し、該半導体素子の電気的特性を検査する半導体素子試験方法であって、上記複数の半導体素子のうち検査対象の半導体素子の電極を、外部端子と電気的に接続させるステップ（Ｓ１１）と、上記電極と上記外部端子とが電気的に接続された状態で、上記検査対象の半導体素子の表面に、供給部から電離性の低い液体または気体を供給するステップ（Ｓ１２）と、上記表面が上記液体または気体で覆われた状態で、上記検査対象の半導体素子に、電圧印加部から上記外部端子を介して試験電圧を印加するステップ（Ｓ１３）とを含む。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子に過剰な電流が流れることを防止可能な検査装置等を提供する。
【解決手段】 検査装置１００は、半導体素子１０と、電源２０と、スイッチング素子２４と、制御部５０と、切替部７０と、検査部２６とを備える。スイッチング素子２４が電源２０と半導体素子１０との間を接続し、且つ切替部７０が半導体素子１０をオンさせる状態で、電源２０によって半導体素子１０に電流が流れる時、制御部５０は、半導体素子１０が仮に電流破壊した時のスイッチング素子２４に流れ得る飽和電流を第１の値に設定する。スイッチング素子２４が電源２０と半導体素子１０との間を接続し、且つ切替部７０が半導体素子１０をオフさせる状態で、電源２０が半導体素子１０に電圧を印加する時、制御部５０は、半導体素子１０が仮に電圧破壊した時のスイッチング素子２４に流れ得る飽和電流を第１の値よりも小さい第２の値に設定する。 （もっと読む）

【課題】電源と線材コストを抑え、かつ試験サイクルの時間を短縮することができる断続通電試験装置、断続通電試験方法、および発熱電子デバイスを提供する。
【解決手段】断続通電試験装置１は、半導体パッケージ２に接触することによって、この半導体パッケージ２の放熱を行う放熱板５，６と、これら放熱板５，６の間に設けられ、半導体パッケージ２の発熱状態に基づいて伸縮変形するバイメタル７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】自己発熱により電気的特性が変化しうる半導体素子の自己発熱のない状態における電気的特性を正確に決定する。
【解決手段】半導体素子に電圧の印加を開始してから半導体素子を流れる電流値が定常状態に至るまでの期間に含まれる複数の時刻において電流値を測定する電流測定部と、前記期間を第１の期間と第１の期間よりも後の第２の期間に分割した場合において、第２の期間に含まれる時刻において測定された電流値の時間変化を近似的に表す曲線を求めたときに、第１の期間に含まれる時刻において測定された電流値と該曲線を該時刻に外挿して求めた電流値との差が所定の閾値以上となるように前記期間を分割する期間分割部と、第１の期間に含まれる時刻において測定された電流値を近似的に表す曲線を求め、該曲線を外挿して前記開始時刻に半導体素子を流れる電流値を推定する電流推定部と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】電気的特性を正確に検査できる半導体装置の電気的特性検査装置の電極構造およびそれを備えた半導体装置の電気的特性検査装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１１の電気的特性検査装置１０の電極構造１は、第１の電極部３を備えている。第１の電極部３の半導体装置１１と接触する側の面３ａに開口するように真空チャック用の通路６が形成されている。電極構造１は、さらに半導体装置１１の一方表面１１ａと接触させることができるように通路６内に挿通され、半導体装置１１の一方表面１１ａと接触させた状態で半導体装置１１の一方表面１１ａと他方表面１１ｂとの間の電圧を検出するための第２の電極部４と、第１および第２の電極部３，４のそれぞれの半導体装置１１の一方表面１１ａと接触する面３ａ，４ａの高さが互いに揃うように第１および第２の電極部３，４のそれぞれを固定する支持部５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】両面に電極を有する半導体デバイスをウエハの状態で試験する。
【解決手段】ウエハに形成されウエハの上面側に上側電極下面側に下側電極を有する複数のデバイスを試験する試験装置であって、ウエハが載置されるステージ部と、ステージ部における複数のデバイスの下側電極に対向して設けられた複数の開口内に設けられ下側電極と接触する伸縮可能な複数の下側端子と、複数のデバイスが有する上側電極と接触する複数の上側端子と、上側端子および下側端子を介して複数のデバイスに電圧を印加して、複数のデバイスを試験する試験部とを備え、下側端子はウエハがステージ部に押し当てられるのに伴って収縮する試験装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】測定時におけるスイッチング素子の破損の可能性を低くする。
【解決手段】ウエハに形成された複数のスイッチング素子のリーク電流を測定する測定装置であって、ウエハに形成された複数のスイッチング素子のそれぞれの端子と電気的に接続するプローブと、ウエハに形成された複数のスイッチング素子のそれぞれにプローブを介して互いに異なる位相で変化する変化電圧を印加する電圧印加部と、オフ状態における複数のスイッチング素子のそれぞれに流れるリーク電流を測定する電流測定部とを備える測定装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】被試験デバイスへ過剰な電流が流入することを防ぐ。
【解決手段】被試験デバイスを試験する試験装置であって、前記被試験デバイスに供給する電源電圧を発生する電源部と、前記電源部から前記被試験デバイスに至る経路上に設けられた誘導負荷部と、前記誘導負荷部に対して前記被試験デバイスと並列に接続された第１半導体スイッチと、前記被試験デバイスに対する電源電圧の供給を遮断する場合に、前記第１半導体スイッチをオンとする制御部とを備える試験装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】試験の異常時において被試験デバイスへの電源供給を高速に遮断する。
【解決手段】被試験デバイスを試験する試験装置であって、被試験デバイスに供給する電源電圧を発生する電源部と、電源部と被試験デバイスとの間の経路上に設けられた誘導負荷部と、誘導負荷部と被試験デバイスとの間の経路上に直列に接続された複数の半導体スイッチと、被試験デバイスへの電圧の供給を遮断する場合において、複数の半導体スイッチをオフとする制御部と、を備える試験装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】電源の出力低下を引起こさずに試験対象の半導体装置への大電流かつ高速の断続通電を可能にする。
【解決手段】パワーサイクル試験装置１は、抵抗部ＤＥと電源部１０とを備える。抵抗部ＤＥは、試験対象の半導体装置ＴＥの通電時の抵抗値とほぼ等しい抵抗値を有し、試験対象の半導体装置ＴＥと並列に設けられる。電源部１０は、試験対象の半導体装置ＴＥと抵抗部ＤＥとに交互に通電する。 （もっと読む）

【課題】試験コンタクト装置の台数を削減でき、試験機の構成部品や測定回路の共通化を可能にして設備コストの低減し、かつＡＣ試験条件（波形）の改善が可能とする。
【解決手段】統合試験装置は、ＡＣ試験機１６とＤＣ試験機１７が設けられ、中間電極板２０を挟んで、ＤＵＴ載置台２２とＡＣ試験回路部２４が上下方向に昇降可能に配置される。中間電極板２０はサポート板２１により固定され、ＤＵＴ載置台２２は、中間電極板２０の下部にあって、ＩＧＢＴモジュール１がその外部端子１Ｎ等を上向きの状態にして所定の位置に保持され、シリンダー２３により上下させることで各外部端子が中間電極板２０と接続・非接続の状態となる。中間電極板２０上の電極部分にＡＣ試験機１６、ＤＣ試験機１７各々との可動接触部を設けた一台のコンタクト装置で、ＤＣパラメータ、ＡＣパラメータ、および熱抵抗の各試験を切替えて行う。 （もっと読む）