説明

Fターム[2G003AB14]の内容

個々の半導体装置の試験 (15,871) | 測定項目 (910) | 雑音パラメータ(雑音電力、雑音電圧) (10)

Fターム[2G003AB14]に分類される特許

1 - 10 / 10


【課題】小型のデバイスのフリッカ雑音の特性を明らかにするために、測定システムの構成素子の周波数応答特性を良好にしたり、このシステムに悪影響を及ぼすおそれのある電気雑音を排除又は制御したり、試験状態にあるデバイスに対する直流測定を正確にしたフリッカ雑音試験システムを提供する。
【解決手段】被試験装置の各端子にそれぞれ選択的に接続しうる保護された信号経路及び保護されていない信号経路を有している。選択された信号経路は、ケーブルの接続を分断したりプローブを切り換えたりすることをせずに、端子に接続しうるようにする。 (もっと読む)


【課題】 電子部品の電気特性測定において、外来ノイズの影響を小さくすること。
【解決手段】 本発明の電子部品測定装置は、開口部1aを有し、測定される電子部品4を内部に収容するチャンバー1と、チャンバー1と電気的に絶縁されたグランド電位部3aと、信号電位部3bとを有し、電子部品4に電気的に接続されてチャンバー1の内部と外部との間で信号の入出力を可能とする信号伝送手段3を備え、チャンバー1の開口部1aを塞いでチャンバー1の内部を密閉空間とするフランジ5と、を有する。これにより、外来ノイズの影響を小さくすることができる。 (もっと読む)


【課題】周辺部品を含めた実際の動作状況にありながらも、評価対象とする半導体装置単体の、高周波ノイズに対する耐量を評価することのできる半導体評価装置を提供する。
【解決手段】半導体評価装置は、評価対象とする半導体装置20が実装され、該半導体装置20が有する複数の端子の各別に専用の第1コネクタ21aを有する第1実装基板21と、半導体装置20の周辺部品22が実装され、該周辺部品22と電気的に接続された第2コネクタ23aを有する第2実装基板23とを有する。そして、半導体装置20の注入端子21b及びモニタ端子21cから第1コネクタ21aまでの配線21dは、そのインピーダンスが同一となるインピーダンス整合された上で、第1実装基板21に形成されており、周辺部品と第2コネクタとの間には、伝達する電気信号のうちの交流成分が伝達することを抑制するバイアスティが介在している。 (もっと読む)


【課題】高周波特性の測定を高精度に行うことができる半導体測定装置及び半導体測定方法を得る。
【解決手段】本発明に係る半導体測定装置は、半導体パッケージ12の高周波特性を測定する測定基板13と、半導体パッケージ12を測定基板13に押し付ける押さえ部18とを有する。そして、押さえ部18は、半導体パッケージ12と接触する先端部分又は先端近傍の内部に空洞部19を有する。これにより、押さえ部18の先端の誘電率が減少する。従って、半導体測定装置の構造に起因する半導体パッケージ上部の誘電率変化を低減することができるため、高周波特性の測定を高精度に行うことができる。 (もっと読む)


【課題】MOSトランジスタのノイズ測定において、外来ノイズを根本的にキャンセルすることにより、高精度なノイズ測定を実現する。
【解決手段】ノイズ測定において、MOSトランジスタT1,T2のゲート端子、ソース端子、および基板端子に、電源部5〜7の直流電源電圧を供給し、MOSトランジスタT1,T2のドレイン端子からそれぞれ出力された信号をI−V変換回路2,3によって電圧信号に変換する。これら電圧信号は、差動増幅部4によって差動増幅され、スペクトルアナライザなどの測定器が測定可能なレベルまで電圧増幅される。このように2つのMOSトランジスタT1,T2の信号の差分を取れば、外部の電界、磁界により誘起される外来ノイズ波形と、ゲート端子、ソース端子、および基板端子から侵入するノイズ波形については位相、強度がほぼ一致しているためキャンセルされ、除去することができる。 (もっと読む)


【課題】 受光素子の光感度を検査するに際し、その検査の信頼性の向上を図ることができる受光素子検査方法及び受光素子検査装置を提供する。
【解決手段】 複数のフォトダイオードを備えたチップの光感度を測定するに際し、ウェハテスタ1にチップをセットし、レーザヘッド5からのレーザ光を単一のフォトダイオードに対して照射する。このときの出力電圧に基づき光感度値を算出する。この動作を全てのフォトダイオードに対して順に行っていく。 (もっと読む)


【課題】 簡単な構成でプロセス変動の影響を受けにくく、ノイズによる回路特性の変化が小さく、ノイズの検知と評価の等時性を必要としないノイズ検知回路を提供する。
【解決手段】 ノイズ検知回路の電源端子VDDと接地端VSSの間に直列接続した2個のNMOSトランジスタMN1,MN2の内のトランジスタMN2を導通させてノードN1の電荷を放電した後に遮断させ、その後トランジスタMN1を導通させてノードN1を「VDD−Vthn」の電位に初期化し、その初期化時のノードN1の電位がアンテナ1に誘起されたノイズにより変化したとき、これを検知してノイズを検知する。 (もっと読む)


【課題】 非線型歪みを、被測定物の特性に関連した特性に基づき補償する。
【解決手段】 逆特性測定器40は、信号源10が生成した入力信号を被測定物30に与えた結果、被測定物30から出力される出力信号を測定する。さらに、入力信号に基づき、被測定物30が理想的なものである場合に、被測定物30から出力される理想信号を取得する。しかも、出力信号に対する理想信号の関係である逆特性を取得する。この逆特性を歪み補償器50に与える。歪み補償器50は、入力信号を逆特性によって変換したものを、被測定物30に与える。これにより、被測定物30から出力された信号は、被測定物30による歪みが補償された理想信号となる。 (もっと読む)


【課題】 外来ノイズの影響を軽減し、測定精度を向上することができるデバイス特性の測定方法を提供する。
【解決手段】 同一測定条件によるn回すべての測定データを一度に積分するのではなく、m回に分けて、ある程度短い時間の積分を繰り返し行い、その結果について統計処理を行い、積分データの平均および標準偏差σを算出し、所定以上のばらつきがある場合には、外来ノイズが侵入したものと判断し、平均より大きく離れているデータを削除し、削除した分の不足データは追加測定を行うことで補う。 (もっと読む)


【課題】 半導体素子のノイズ(1/fノイズ等)測定において、低電流測定プローバなどの特殊かつ効果な装置を導入することなく、測定系へ影響を与える外来ノイズの侵入を最小限に抑えることができる技術を提供する。
【解決手段】 MOSデバイス11の1/fノイズ測定に影響するゲート側のフィルタ17とドレイン側のプリアンプ13の必要な機能のみを小型のモジュールとし、プローブ針を備えたマニピュレータに直接接続することにより、外来ノイズの影響を低減する。 (もっと読む)


1 - 10 / 10