Fターム[2G060DA30]の内容
電気的手段による材料の調査、分析 (24,887) | 電界効果トランジスタ(FET) (316) | 製造方法又は調整方法 (34) | ドレインの (3)
Fターム[2G060DA30]に分類される特許
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ガスセンサ、及びガスセンサの作製方法
【課題】作製工程が簡便であるガスセンサを提供することを課題の一とする。また、作製コストが抑制されたガスセンサを提供することを課題の一とする。
【解決手段】ガスセンサの検知素子として機能する、酸化物半導体層がガスと接するトランジスタと、検出回路を構成する、酸化物半導体層がガスバリア性を有する膜に接するトランジスタとを、同一表面上に単一工程で作製し、これらのトランジスタを用いたガスセンサを作製すればよい。
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標的物質検出素子及び標的物質検出方法
【課題】標的物質検出方法において、検体中の夾雑物が基体に非特異的に吸着することにより、標的物質検出のノイズを発生させていた。
【解決手段】構基体の表面に捕捉体がリンカーを介して固定化された標的物質検出素子であって、前記リンカーが光照射によって構造変化することと、前記基体はその近傍の物理量に応じて信号を出力するセンサ素子であることと、前記センサ素子は、前記物理量が存在する場と前記基体の表面との距離に応じて前記信号が連続的に変化することを特徴とする標的物質検出素子。
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電気的構成部材
電気的構成部材(1)は、基板(2)を備えたセンサチップ及び/又はアクチュエータチップを有しており、その基板上にパッシベーション層(3)と、アクティブな表面領域(5a、5b)を有するセンサ構造及び/又はアクチュエータ構造が配置されている。チップは、カプセル部(6)によって包囲されており、そのカプセル部が開口部(7)を有し、その開口部が少なくとも1つのアクティブな表面領域(5a、5b)への通路を形成する。基板(2)上に、層スタックが配置されており、その層スタックは−パッシベーション層(3)から始まって基板(2)へ−少なくとも1つの第1の導体路層(15)、第1の電気的絶縁層(14)、第2の導体路層(17)及び第2の電気的絶縁層(16)を有している。第1の導体路層(15)は、チップの、開口部(7)によって覆われる領域の完全に外部に配置されている。第2の導体路層(15)の少なくとも1つの導体路が、センサ構造及び/又はアクチュエータ構造と接続されている。 (もっと読む)
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