【課題】サイクロトロンが用いられるイオンビーム生成装置を小型化する。
【解決手段】図１の右側には、中心軸方向の磁場の強度を、図１の左側に示された構成に対応させて示す。サイクロトロン５０からＥＣＲイオン源（イオン源）２０までの磁場の強度が連続的に一定値以上に保たれている（零とならない）点である。Ｗｉｅｎフィルター３０やＥＣＲイオン源２０においては磁場が利用されるため、それぞれにはコイルが用いられているが、これらにおいて用いられる磁場は、これらのコイルによって生成された磁場とサイクロトロンの磁場が重畳した磁場となっている。すなわち、このイオンビーム生成方法においては、ＥＣＲイオン源２０からサイクロトロン５０に至るまでのイオンビームが通過する経路の中心軸方向において、連続的に分布する磁場を形成する。各構成要素における軸方向の磁場強度を微調整するためにもソレノイドコイル４１は使用される。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビームを進行方向に垂直な方向に走査して照射する粒子線治療装置において、ビーム走査中に周回ビーム電荷量が不足することがなく、横方向の線量分布がシンクロトロンの二つ以上の運転周期にわたって形成されることによる横方向線量一様度の悪化を防止することができる荷電粒子照射システムを提供することにある。
【解決手段】イオンビームを加速して出射するシンクロトロン２と、走査電磁石２０２を通過したイオンビームを照射対象に照射する照射野形成装置２００と、走査電磁石２０２による荷電粒子ビームの照射位置の一回の走査が完了してから次の回の走査を開始するまでの期間におけるシンクロトロン２の周回ビーム電荷量に基づいて、シンクロトロン２の運転パターンを変更する制御装置を備えたことにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

本発明は、内部に真空を形成するのに適する筐体（１０）と、ＲＦまたはマイクロ波電磁場が前記真空内に形成されるときにマルチパクティング効果を少なくとも部分的に抑制するための手段とを備える装置を開示する。該装置において、マルチパクティング効果を少なくとも部分的に抑制するための手段は、前記筐体の内面の少なくとも一部の近傍に局所的に変化する磁場（１６）を受動的に形成するための手段（１２）を備える。
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本発明は荷電粒子を加速する加速器に関する。この加速器は、複数の遅延線（１３，１５）を有し、遅延線はビーム軌道（３５）に向かって延びており、かつビーム軌道（３５）に沿って連続的に配置されている。遅延線（１３，１５）のうちの少なくとも幾つかはビーム軌道（３５）を軸として互いに回転配置されている。
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【課題】ファインメットや、４極真空管を用いることなく、小型化、省電力化が可能で、メンテナンスも容易な高周波加速空洞を実現する。
【解決手段】荷電粒子を高周波電場により加速又は減速するための磁性体コア１６を備えた高周波加速空洞１０において、前記磁性体コア１６の材料として、磁場処理コバルト基アモルファス磁気合金を用いる。 （もっと読む）

【課題】間隔（ギャップ）を大きくしても高い磁場を発生することを可能にして、発生する磁場の強度の向上を図る。
【解決手段】複数の同寸法かつ同形状の超伝導体を一列に並べた一対の超伝導体配列１１０,１２０を所定の間隔を開けて対向して配置し、対向して配置した一対の超伝導体配列の間の間隙に周期的磁場を発生する磁場発生方法であって、一対の超伝導体配列の温度を超伝導転移温度より高い温度に保持した状態において、一対の超伝導体配列に同一の極性の一様な外部磁場を印加する第１のステップ（ａ）と、一対の超伝導体配列を冷却して、一対の超伝導体配列１１０,１２０の温度を超伝導転移温度より低くする第２のステップ（ｂ）と、一対の超伝導体配列に磁場を印加することを停止して、一対の超伝導体配列を着磁させる第３のステップ（ｃ）と、一対の超伝導体配列に極性とは逆の極性に磁場を印加する第４のステップ（ｄ）とを有する。 （もっと読む）

【課題】
給電ループの両端にそれぞれ接続された高周波増幅装置のうちの一方が故障した場合であっても高周波信号が供給できる。
【解決手段】
外導体５内に挿入された一対の内導体４を取り囲むように、複数の磁性体コア６を配置する。金属板１６を外導体５内面に取り付けてそれらを電気的に接続する。金属板１６の両面にそれぞれ磁性体コア６が設置される。磁性体コア６の孔部を貫通する給電ループ
１１が外導体５内に配置される。給電ループ１１の両端は、それぞれ同軸線１０を介して高周波増幅器１３ａ，１３ｂに接続される。高周波増幅器１３ａから給電ループ１１の一端に供給される高周波信号と、高周波増幅器１３ｂから給電ループ１１の他端に供給される高周波信号とは、位相が１８０度異なっている。 （もっと読む）