【解決手段】紫外線、遠紫外線、電子線、ＥＵＶ、Ｘ線、エキシマレーザー、γ線、又はシンクロトロン放射線の高エネルギー線に感応し、下記一般式（１ａ）又は（１ｂ）のいずれかで示されるスルホン酸を発生する化学増幅型レジスト材料用の光酸発生剤。
Ｒ¹−ＣＯＯＣＨ₂ＣＦ₂ＳＯ₃^- Ｈ⁺ （１ａ）
Ｒ¹−Ｏ−ＣＯＯＣＨ₂ＣＦ₂ＳＯ₃^- Ｈ⁺ （１ｂ）
（式中、Ｒ¹はステロイド骨格を有する炭素数２０〜５０のヘテロ原子を含んでもよい一価炭化水素基を示す。）
【効果】本発明の光酸発生剤は、スルホネートに、嵩高いステロイド構造を有しているため、適度な酸拡散制御を行うことができる。また、レジスト材料中の樹脂類との相溶性もよく、これらスルホン酸を発生する光酸発生剤はデバイス作製工程での塗布、露光前焼成、露光、露光後焼成、現像の工程に問題なく使用でき、疎密依存性、露光余裕度の問題も解決できる。 （もっと読む）

【解決手段】（１）〜（３）の単位を含有する高分子。


（Ｒ¹はＨ、Ｆ、ＣＨ₃又はＣＦ₃、ＲｆはＨ、Ｆ、ＣＦ₃又はＣ₂Ｆ₅、Ａは二価の有機基。Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴は酸素を含有してもよい有機基、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴が相互に結合して式中の硫黄原子と環を形成しうる。Ｎは０〜２の整数を示す。Ｒ⁸はＨ又はアルキル基、Ｂは単結合または二価の有機基。ａは０〜３、ｂは１〜３、Ｘは酸不安定基。）
【効果】感放射線レジスト材料のベース樹脂として有用。 （もっと読む）

【解決手段】被加工基板上に化学増幅ポジ型レジスト膜形成用組成物を塗布してレジスト膜を形成し、パターン照射し、露光部の樹脂の酸不安定基に脱離反応を行わせアルカリ可溶とし、現像して第１のポジ型パターンを得る工程、第１のパターン中の酸不安定基を脱離させると共に架橋を形成させる工程、反転膜形成用組成物として第２の化学増幅ネガ型レジスト膜形成用組成物を塗布して第２のレジスト膜を形成し、パターン照射し、露光部の樹脂をアルカリ現像液に不溶化後、現像して、第２のネガ型パターンを得る工程、この現像工程において、現像液に可溶に反転している第１のパターンを、第２のレジスト膜中スペースパターンとして溶解除去し、反転転写する工程を含む、第１のレジスト膜の反転転写パターンを得ると共に第２のパターンを形成させるダブルパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、簡易な工程で高精度なポジネガ反転を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】感放射線性樹脂組成物における液中異物発生度合を樹脂原料段階で評価可能な樹脂の評価方法、及び各種放射線を使用する微細加工に有用な化学増幅型レジストとして使用できる感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】本樹脂の評価方法は、フッ素含有重合体を含む樹脂のレジスト溶剤溶液の動的光散乱を測定し、この溶液の一定濃度領域における拡散係数差（ΔＤ）により、樹脂を感放射線性樹脂組成物材料として用いた場合における液中異物発生度合を評価する。本感放射線性樹脂組成物は、フッ素含有重合体を含む樹脂と、レジスト溶剤と、感放射線性酸発生剤とを含有しており、前記樹脂は、濃度２質量％のレジスト溶剤溶液の動的光散乱測定による拡散係数（Ｄ_ａ）と、濃度８質量％のレジスト溶剤溶液の動的光散乱測定による拡散係数（Ｄ_ｂ）との拡散係数差［ΔＤ（Ｄ_ｂ−Ｄ_ａ）］が、−２．０×１０^−７ｃｍ^２・ｓ^−１以上である。 （もっと読む）

【課題】レジスト材料のベース樹脂用の単量体を提供する。
【解決手段】式（１）で示される含フッ素単量体。


（Ｒ¹はＨ、又はＣ１〜２０の１価炭化水素基を示し、１価炭化水素基の場合、構成する−ＣＨ₂−が−Ｏ−又は−Ｃ（＝Ｏ）−に置換されていてもよい。Ｒ²はＨ、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。Ｒ³、Ｒ⁴はＨ、又はＣ１〜８の１価炭化水素基を示す。又は、Ｒ³、Ｒ⁴は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に脂肪族炭化水素環を形成してもよい。Ａは、Ｃ１〜６の２価炭化水素基を示す。）含フッ素単量体は、機能性材料、感放射線レジスト材料のベース樹脂を製造するための単量体として有用である。単量体からの高分子化合物は高解像性、耐水性に優れ、レジスト材料のベース樹脂として精密な微細加工に極めて有効である。 （もっと読む）

【課題】新規な化合物、および該化合物を用いた液浸露光用として好適な疎水性を有するポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】一般式（Ｆ１）［式中、Ｘはフッ素原子を有する酸解離性溶解抑制基を示し；ｎは１〜４の整数を表す。Ｒ^５０はｎ価の有機基であって、置換基を有していてもよい。ただし、ｎが１の場合、Ｒ^５０は重合性基を含まない有機基である。］で表される化合物。酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、前記一般式（Ｆ１）で表される化合物（Ｆ）とを含有することを特徴とする液浸露光用ポジ型レジスト組成物。
［化１］
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【課題】活性放射線、特に、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザーあるいはＥＵＶに代表される遠紫外線や電子線等に感応する感放射線性酸発生剤として、良好な燃焼性を示し、また人体蓄積性にも問題がなく、しかも発生する酸（光発生酸）の酸性度が十分高く、発生する酸（光発生酸）が適度な沸点を有するばかりでなく、レジスト被膜中での拡散長が適度に短くなり、さらにはレジスト溶剤に対する溶解性及び樹脂との相溶性に優れた新規な光酸発生剤として機能する化合物を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表されるスルホン酸オニウム塩。


（前記式（１）において、Ｒ¹は１価の有機基、Ｑ⁺はスルホニウムカチオンまたはヨードニウムカチオンを表す） （もっと読む）

【解決手段】酸によってアルカリ溶解性が向上するベース樹脂となる高分子化合物と、高分子添加剤としてナフチル基を有する繰り返し単位とフッ素原子を有する繰り返し単位とを共重合した高分子化合物とを含むレジスト材料。
【効果】本発明のレジスト材料を用いて形成したフォトレジスト膜は、レジスト膜表面を親水性化することで、現像後レジスト膜上のブロッブ欠陥の発生を防止できる。また、液浸露光用のレジスト保護膜とのミキシングを防止することでパターン形状の劣化を防止でき、膜表面に残存する液滴が誘発するパターン形成不良を低減することもできる。
従って、本発明のレジスト材料を用いれば、液浸リソグラフィーにおけるコストを削減し、欠陥の少ない微細なパターンを高精度で形成できる。 （もっと読む）

【課題】活性光線又は放射線、特に、ＫｒＦエキシマレーザー光、電子線、Ｘ線、ＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細パターニングにおける性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好な疎密依存性、ラインウィズスラフネス、露光マージンを同時に満足するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】特定のオキシムエステル構造を有する繰り返し単位を有する、酸の作用により分解してアルカリ現像液への溶解度が増大する樹脂(Ａ)を含有するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】解像度、ベーク温度依存性が良好であり、かつ液浸露光時に接触した水への溶出物の量が少ない。
【解決手段】式（１）、式（２）および式（３）で表される繰り返し単位から選ばれる少なくとも１つの繰り返し単位を含有し、酸の作用によりアルカリ可溶性となるアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂と、式（４）で表されるアニオン部位を必須単位として含有する。
（もっと読む）

【課題】高いフッ素含有量と、高度な溶剤溶解性、アルカリ現像液溶解性、密着性、高硬度、高極性（相溶性）の各性能をバランスよく満たす新規の高分子化合物を提供する。
【解決手段】含フッ素ビニル系単量体および含フッ素アクリレート単量体から成る含有する含フッ素高分子化合物によって課題が解決する。該高分子は溶媒に溶かしてコーティング組成物とした上で、薄膜として用いたときに、特に優れた性能を発揮する。また、上記高分子化合物がＯＨ基を含有しているとき、該ＯＨ基をアクリロイル化することができ、それによって、より硬度の大きい薄膜を得ることもできる。 （もっと読む）

【課題】透過度および乾式エッチングに対する耐性など、レジスト組成物の特性を向上させる感光性ポリマーを提供し、さらに微細なパターン形成を可能にする。
【解決手段】次の構造式：


（式中、Ｒ_１は水素原子またはメチル基であり、Ｒ_２はフルオロ化されたエチレングリコール基を有するＣ_３〜Ｃ_１０の炭化水素基であり、Ｒ_５は水素原子、ヒドロキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１０の炭化水素基、またはＣ_１〜Ｃ_１０のフルオロ化された炭化水素基であり、ｍ／（ｍ＋ｏ）＝０．１〜０．６、ｏ／（ｍ＋ｏ）＝０．４〜０．９である。）を有する感光性ポリマーによって上記課題は解決される。 （もっと読む）

【課題】ポジ型レジスト組成物及び該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ溶解性が増大する樹脂成分（Ａ）及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有し、前記樹脂成分（Ａ）が一般式（ＩＩ）で表される構成単位（ａ１）を有する共重合体を含有するポジ型レジスト組成物。［式（ＩＩ）中、Ｒは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基又はハロゲン化低級アルキル基を示し；Ｒ^１〜Ｒ^３は、それぞれ独立してアルキル基又はフッ素化アルキル基である。ただし、前記フッ素化アルキル基は、Ｒ^１〜Ｒ^３が結合している第三級炭素原子に隣接する炭素原子にはフッ素原子が結合していない基であり、Ｒ^１〜Ｒ^３の少なくとも一つは、前記フッ素化アルキル基である。Ｒ^２及びＲ^３は、一つの環構造を形成していてもよい。］
［化１］
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【課題】短波長の露光において、最適なｎ値、ｋ値を有し、かつ基板エッチング条件でのエッチング耐性にも優れ、例えば、珪素含有２層レジストプロセス、あるいは珪素含有中間層による３層レジストプロセスといった多層レジストプロセス用レジスト下層膜として有望なレジスト下層膜材料を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有する重合体を含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。
【化３５】
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【解決手段】下記一般式（１ａ）で示されるスルホン酸塩。
ＣＦ₃−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＦ₂ＳＯ₃^-Ｍ⁺ （１ａ）
（式中、Ｍ⁺はリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウムイオン、又はテトラメチルアンモニウムイオンを示す。）
【効果】本発明によれば、分子内に極性基であるヒドロキシル基を有しているため、水素結合等により酸拡散長を適度に抑えることができ、これらスルホン酸を発生する光酸発生剤は、デバイス作製工程での塗布、露光前焼成、露光、露光後焼成、現像の工程に問題なく使用できる。更にはＡｒＦ液浸露光の際にウエハー上に残る水の影響も受けにくく、欠陥を抑えることができる。 （もっと読む）

【解決手段】下記式（１）で示されるスルホン酸塩。
Ｒ¹ＳＯ₃−ＣＨ（Ｒｆ）−ＣＦ₂ＳＯ₃^-Ｍ⁺ （１）
（Ｒ¹は置換もしくは非置換の炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数６〜１５のアリール基を示す。Ｒｆは水素もしくはトリフルオロメチル基を示す。Ｍ⁺はリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウムイオン、又はテトラメチルアンモニウムイオンを示す。）
【効果】本発明のスルホン酸は、α位（及びγ位）、β位にそれぞれ電子吸引性基であるフッ素、スルホニルオキシ基を有しているため強い酸性度を示す。その上、エステル部を置換することにより、嵩の高いものから低いものまで様々な置換基の導入が容易で、分子設計の幅を大きく持つことができる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面、特に感光性が低い基板表面、あるいは撥液剤、カップリング剤、プラズマ処理等で表面処理を行なった基板表面にパターニングを行うに際して、より短時間での露光パターニングを可能とし、併せて露光パターニングの精度も向上させることができるパターニング方法を提案する。
【解決手段】露光パターニングしようとする基板１の表面にオゾン水２を接触させながら、紫外線３を露光マスク３０を介して基材１の表面に照射して、基材１の表面をパターニングする。 （もっと読む）