【課題】ポジ型レジスト膜を用い、１回の露光で密集したドットパターンと孤立ドットパターンを形成し、これを用いてポジネガ反転によってホールパターンを形成するパターン形成方法を提供する。
【解決手段】被加工基板上に、酸不安定基の脱離によってアルカリ性現像液可溶になる樹脂、光酸発生剤又はこれと熱酸発生剤、及び有機溶剤を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料を塗布しレジスト膜を形成する工程、位相シフトマスクを用いて露光し、露光後加熱しアルカリ性現像液で現像してポジ型パターンを得る工程、パターンを露光又は加熱し、上記樹脂の酸不安定基を脱離させアルカリ溶解性を向上させ、樹脂に架橋を形成させ上記ポジ型パターンに反転用膜形成用組成物用の有機溶剤への耐性を与える工程、反転用膜を形成する工程、上記架橋形成されたポジ型パターンをアルカリ性ウェットエッチング液で溶解除去する工程を含むポジネガ反転を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ポジ型レジスト膜を用い、１回の露光で密集したドットパターンと孤立ドットパターンを形成し、これを用いてポジネガ反転によってホールパターンを形成するパターン形成方法を提供する。
【解決手段】被加工基板上に、酸不安定基の脱離によってアルカリ性現像液可溶になる樹脂、光酸発生剤又はこれと熱酸発生剤、及び有機溶剤を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料を塗布しレジスト膜を形成する工程、位相シフトマスクを用いて露光し、露光後加熱しアルカリ性現像液で現像してポジ型パターンを得る工程、パターンを露光又は加熱し、上記樹脂の酸不安定基を脱離させアルカリ溶解性を向上させ、樹脂に架橋を形成させ上記ポジ型パターンに反転用膜形成用組成物用の有機溶剤への耐性を与える工程、反転用膜を形成する工程、上記架橋形成されたポジ型パターンをアルカリ性ウェットエッチング液で溶解除去する工程を含むポジネガ反転を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、線幅バラツキ(LWR)、露光ラチチュード(EL)及びフォーカス余裕度(DOF)に優れるネガ型現像用レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）酸分解性繰り返し単位を有し、酸の作用により極性が増大してネガ型現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により、１個または２個のフッ素原子を有する酸を発生する光酸発生剤と、（Ｃ）溶剤とを含有することを特徴とするネガ型現像用レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】ネガ型の化学増幅型レジスト組成物を用いた二重露光により微細なコンタクトホールパターンを形成できる新規なレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】支持体１１上に、ネガ型の化学増幅型レジスト組成物を用いてレジスト膜１２を形成し、前記レジスト膜に対し、フォトマスクを介した第一の露光を行い、第一のラインアンドスペースパターンの潜像１２’を形成した後、フォトマスクを介した第二の露光を行い、前記第一のラインアンドスペースパターンの潜像と交差するように、第二のラインアンドスペースパターンの潜像１２’’を形成し、前記レジスト膜を現像して前記レジスト膜にホールパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】複雑で高価な蒸着法によることなく導電層を形成し、不良品の発生を防ぎながら効率よく導電層の一部を除去することが可能な、導電層を有する三次元構造物及び三次元金属構造物の製造方法を提供すること。
【解決手段】上記製造方法は、（Ａ）基板上にパターン化有機膜を形成する工程と、（Ｂ）無電解メッキにより前記パターン化有機膜表面に導電層を形成する工程と、（Ｃ）ゲル状エッチング組成物と接触させることにより前記導電層の一部を除去する工程と、を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】簡易な手段によりネガレジストを用いて、斜面を有する高低差の大きな三次元微細形状を得ることのできるレジスト露光方法を提供することにある。
【解決手段】第１回目の露光工程においては、フォトマスク３８を透過した光を露光用マスク２９に垂直に照射して通常の露光を行う。第２回目の露光工程においては、回折格子３５を備えた露光用マスク２９を用い、回折格子３５の１次回折光で斜め方向からネガレジスト３２に露光し、現像することによって斜面を形成する。 （もっと読む）

【課題】通常露光（ドライ露光）、液浸露光、二重露光において、パターン形状、ラインエッジラフネスが良好である、感光性組成物、該感光性組成物を用いたパターン形成方法及び該感光性組成物に用いられる化合物を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される化合物に対応する繰り返し単位を含有し、活性光線又は放射線の照射により酸基を生成する樹脂（Ａ）を含有することを特徴とする感光性組成物。
【化１】
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【課題】通常露光（ドライ露光）、液浸露光、二重露光において、パターン形状、パターン倒れ性能が良好である、ポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法及び該ポジ型レジスト組成物に用いられる化合物を提供する。
【解決手段】（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｂ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び（Ｃ）特定の、芳香環構造を有し、酸の作用により分解し、酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法及び該ポジ型レジスト組成物に用いられる化合物。 （もっと読む）

【課題】通常露光（ドライ露光）のみならず液浸露光においても、現像欠陥性能、パターン形状が良好であり、且つ、二重露光において、現像欠陥性能、パターン形状が良好である、ポジ型レジスト組成物及び該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｂ）樹脂中の全繰り返し単位に対して水酸基を有する特定構造の繰り返し単位を１〜２０モル％有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び（Ｃ）酸の作用により分解し、酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物及び該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】通常露光（ドライ露光）、液浸露光、二重露光に於いて、感度、ラインエッジラフネスが良好である、ポジ型レジスト組成物及び該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）アリール環上に電子供与性基を有するジアリールヨードニウム塩及び（Ｂ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂を含有するポジ型レジスト組成物及び該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】同一のレジスト膜上に複数回露光を行う多重露光プロセスにも適用でき、得られるパターン形状が優れたポジ型レジスト組成物とパターン形成方法の提供。
【解決手段】（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｂ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、（Ｃ）酸の作用により分解し、酸を発生する化合物及び（Ｄ）それ自身は（Ａ）成分及び（Ｃ）成分が発生する酸に対して塩基として働くが、活性光線又は放射線の照射により分解して（Ａ）成分及び（Ｃ）成分が発生する酸に対する塩基性を消失する化合物、を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】高記録容量および高屈折率変調、かつ光照射による体積変化の少ないホログラム記録媒体を提供する。
【解決手段】芳香環含有基と重合性基とを有するラジカル重合性化合物、前記芳香環含有基を有するポリマーマトリックス、および、光ラジカル重合開始剤を含有する記録層を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、同一のレジスト膜上に複数回露光を行う多重露光プロセスにおいて、パターン解像性とライン幅ラフネスが良好である、多重露光に好適な、ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｂ）芳香族基を有さない共重合成分を８０モル％以上含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び（Ｃ）酸の作用により分解し、酸を発生する化合物を含有し、（Ａ）成分から発生する酸と、（Ｃ）成分から発生する酸のｐＫａの差の絶対値が２以下であり、かつ、分子量の差の絶対値が５０以下であるポジ型レジスト組成物、及び、該組成物を用い、同一のレジスト膜に対して、複数回の露光を行い、少なくとも一つの、露光と露光との間において、レジスト膜を加熱する工程を有するパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】同一のレジスト膜上に複数回露光を行う多重露光プロセスにおいて、パターンの膜減りを抑えられる、多重露光に好適な、ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供することである。
【解決手段】同一のレジスト膜上に複数回露光を行う多重露光プロセスにおいて、レジスト膜の、水に対する接触角が７５°以上であることを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストパターン用保護膜の形成方法及びこれを用いた微細パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】基板上にフォトレジスト膜を形成する工程と、露光工程を用いて前記フォトレジスト膜に露光領域及び非露光領域を画定する工程と、前記露光領域を有する前記フォトレジスト膜上に反応物質層を形成する工程と、化学結合工程を用いて前記反応物質層を反応させて前記露光領域上に保護膜を形成する工程と、前記非露光領域及び反応後に残存する前記反応物質層を現像工程により除去してフォトレジストパターンを形成する工程と、を含むフォトレジストパターン用保護膜の形成方法を提供する。この際、前記保護膜は前記フォトレジストパターン上に残存する。
また、基板を準備する工程と、上記形成方法によりフォトレジストパターン用保護膜を形成する工程と、前記保護膜及び前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて前記基板をエッチングする工程と、を含む微細パターンの形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニングの解像度を最大限に発揮し得るパターン形成方法を提供することにある。
【解決手段】基板１０１上に下層膜１０２、中間層膜１０３、及び第１のレジスト膜１０４を形成した後、１回目の露光を行い、第１のレジストパターン１０４ａを形成する。その後、第１のレジストパターン１０４ａを中間層膜１０３に転写して、第１の中間層パターン１０３ａを形成した後、その上に第２のレジスト膜１０７を形成し、２回目の露光を行い、第２のレジストパターン１０７ａを形成する。その後、第２のレジストパターン１０７ａを中間層膜１０３に転写して、第２の中間層パターン１０３ｂを形成する。第２のレジスト膜１０７を除去後、第２の中間層パターン１０３ｂをマスクに下層膜１０２をエッチングして、下層膜パターン１０２ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】良好な形状を有する微細なパターンを得ることのできるダブルパターニングを用いたパターン形成方法を提供することにある。
【解決手段】基板１０１上に下層膜１０２、中間層膜１０３を形成した後、第１のレジスト膜１０４を用いた１回目のパターン露光、及び第２のレジスト膜１０７を用いた２回目のパターン露光で形成されたレジストパターンを中間層膜１０３に転写し、さらに中間層パターン１０３ｂをマスクに下層膜１０２下層膜１０２をエッチングして下層膜パターン１０２ｂを形成する。ここで、第１及び第２のレジスト膜１０４、１０７は、化学増幅型のレジスト膜であり、第２のレジスト膜１０７は、第１のレジスト膜１０４よりも、レジストの感度を向上させる添加物、若しくはレジスト露光部のアルカリ溶解性を向上させる添加物を多く含んでいる。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子や電子部品一体型製品の製造用として有用な、硬化時の収縮率が小さく、硬化後のパターンの密着性、耐熱性（２６０℃リフロー耐性）、耐湿性、高温でもクラックや剥がれが生じないという耐温度衝撃性に優れ、硬化後のパターンの屈折率が１．４７〜１．５３まで設計することができる感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（I）特定の感光性樹脂；１００質量部、（II）光重合開始剤；該（I）感光性樹脂と下記（III）架橋性モノマーとの合計１００質量部に対して０．１質量部以上５質量部以下、及び（III）架橋性モノマー；１００質量部超過１２００質量部以下を含有する感光性樹脂組成物、及びこれを用いたマイクロプラスチックレンズ又は液晶偏光板用光学素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子や電子部品一体型製品の製造用として有用な、硬化時の収縮率が小さく、硬化後のパターンが密着性、耐熱性（２６０℃リフロー耐性）に優れ、黄変がなく、耐湿性を有し、高温でもクラックや剥がれが生じないという耐温度衝撃性に優れる、感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（I）特定の感光性樹脂；１００質量部、（II）光重合開始剤；該（I）感光性樹脂と下記（III）架橋性モノマーとの合計１００質量部に対して０．１〜５質量部、（III）CH_２＝CR−Ｏ−（PO）_ｎ−CR＝CH_２（Rは水素原子又はメチル基、POはプロピレンオキサイド基を示す。ｎは３〜１０の整数である。）で表される化合物を含有する架橋性モノマー；５〜１２００質量部を含有する感光性樹脂組成物、及びこれを用いたマイクロプラスチックレンズ又は液晶偏光板用光学素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ工程の解像限界を越える微細な半導体パターンの形成。
【解決手段】ベース樹脂、ポリ［（メト）アクリル酸／３,３−ジメトキシプロペン］、光酸発生剤、有機塩基及び有機溶媒を含む感光剤組成物、及び前記感光剤組成物を利用して行なわれる二重パターニング工程により形成される半導体素子の微細パターン形成方法。 （もっと読む）