デバイスが、成長面（１２２）、成長マスク（１３２）、成長導波コアメサ（１４０）およびクラッド層（１６０）を有する光電子デバイスまたは透明な導波デバイスである。成長マスクは、成長面上に配置されており、細長い成長窓を画定する。光導波コアメサは、成長窓内に配置されており、台形の断面形状を有している。クラッド層は、光導波コアメサを覆い、成長マスクの少なくとも一部上に延びている。このようなデバイスは、成長面（１２２）を有するウェハ（１１０）を設け、光導波コアメサ（１４０）をマイクロ選択領域成長によって第１の温度で成長面上に成長させ、さらに、光導波コアメサを、第１の温度より低い第２の温度でクラッド材料（１６０）で覆うことによって製造する。
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【課題】
【解決手段】ＳＯＩ−ベースの光学構造内の光の操作を二次元で能動的に制御する構成が、シリコン−絶縁体−シリコン容量性（ＳＩＳＣＡＰ）構造のＳＯＩ層とポリシリコン層内に形成されたドープ領域を使用する。この領域は、逆にドープされて、能動デバイスを形成しており、ここで、逆にドープされた領域間の電圧電位の印加が、影響を受ける領域中の屈折率を変化させ、当該領域内を伝達する光学信号の特性を変えるように機能する。ドープ領域は、有利なことに、あらゆる所望の「形状」（例えば、レンズ、プリズム、ブラッググレーティング、他）を示すように形成されており、伝達ビームをこれらのデバイスの公知の特性の機能として操作する。本発明の一またはそれ以上の能動デバイスが、ＳＩＳＣＡＰ内に形成されたＳＯＩ−ベースの光学エレメント（例えば、マッハ−ツェンダ干渉計、リング共鳴器、光学スイッチ、他）内に含まれており、能動的な、チューニング可能なエレメントを形成する。 （もっと読む）

調光手段（２８Ａ）は、シャッタ部材（４０）とアクチュエータ（４２）とを有する。シャッタ部材（４０）は、スリット（２６）内に配され、且つ、光ファイバアレイ（１８）の光路を伝搬する信号光を遮断する機能を有する。アクチュエータ（４２）は、シャッタ部材（４０）を上下方向に移動駆動するように構成されている。シャッタ部材（４０）は、アクチュエータ（４２）の端部に固定され、スリット（２６）の傾斜角度とほぼ一致するように位置決めされている。また、このシャッタ部材（４０）は、基材が透明性の石英ガラスで構成され、その一方の板面（光出射部（１６Ａ）の光軸と対向する面）には、一部に光反射膜が形成されている。 （もっと読む）

本発明は、光学波モードを変換する方法および装置を提供する。本装置は、基材、および該基材上の導波材料の第一層を包含し、該第一層は、第一屈折率、第一水平寸法、および第一垂直寸法を有する。本装置は、該第一層に隣接した導波材料の第二層も包含し、該第二層は、第二屈折率、第二水平寸法、および第二垂直寸法を有する。 （もっと読む）

１Ｇｂ／秒を超えるスイッチング速度を達成する電気光学変調器配置は、プリエンファシス・パルスを利用して、電気光学変調器を形成するのに用いられる光導波路の屈折率の変化を加速させる。一実施形態では、変調された光出力信号の一部を用いてプリエンファシス・パルスの大きさおよび持続時間のほか変調に使用される種々の基準レベルを調整するために、フィードバック・ループが加えられ得る。シリコンベース電気光学変調器を含む自由キャリヤベースの電気光学変調器では、プリエンファシス・パルスを用いて入力信号データ値間の遷移において自由キャリヤの移動が加速される。

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【課題】接続部分における電気反射を抑制することにより、伝搬する電気信号波形の劣化を抑制できる高周波電気伝送線路の接続構造を提供すること。
【解決手段】同一基板上に構成され、前記基板上のベンゾシクロブテン膜３上に形成されたマイクロストリップ１を信号線とする第１の高周波電気伝送線路と、前記基板上のインジウムリン系誘電体膜４上に形成され、マイクロストリップ１の線幅よりも狭い線幅を有する進行波型電極２を信号線とする第２の高周波電気伝送線路とを電気的に接続する高周波電気伝送線路の接続構造において、マイクロストリップ１を進行波型電極２に電気的に接続する接続線の線幅がインジウムリン系誘電体膜４上で変化していることを特徴とする高周波電気伝送線路の接続構造を構成する。 （もっと読む）