【課題】マイクロ波と光波との速度整合やマイクロ波のインピーダンス整合が実現でき、しかも、駆動電圧の低減が可能な光制御素子を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有し、厚みが１０μｍ以下の薄板と、前記薄板に形成された光導波路と、前記光導波路を通過する光を制御するための制御電極とを有する光制御素子において、前記制御電極は、前記薄板を挟むように配置された第１電極と第２電極とからなり、前記第１電極は、少なくとも信号電極と接地電極とからなるコプレーナ型の電極を有し、前記第２電極は、少なくとも接地電極を有すると共に、第１電極の信号電極と協働して前記光導波路に電界を印加するよう構成されており、前記薄板の下方には、少なくとも前記第１電極の前記信号電極の幅よりも大きな幅を有し、少なくとも前記信号電極の長さ方向の全体に亘って設けられた低屈折率層を形成する。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波と光波との速度整合やマイクロ波のインピーダンス整合が実現でき、しかも、駆動電圧の低減が可能で高変調効率の光制御素子を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有し、厚みが１０μｍ以下の薄板と、前記薄板に形成された光導波路と、前記光導波路を通過する光を制御するための制御電極とを有する光制御素子において、前記制御電極は、前記薄板を挟むように配置された第１電極と第２電極とを含み、前記第１電極は、少なくとも第１信号電極と接地電極とからなるコプレーナ型の電極を有し、前記第２電極は、少なくとも第２信号電極を有し、前記第１電極の前記第１信号電極及び前記第２電極の前記第２信号電極には、互いに振幅が反転した変調信号を入力し、互いに協働して前記光導波路に電界を印加するように構成する。 （もっと読む）

【課題】挿入損失を小さくすることができる光処理回路を提供する。
【解決手段】位相変調器１２０が、半導体基板１０１と、半導体基板１０１上に設けられるｎ型の第一の半導体クラッド層１０２と、第一の半導体クラッド層１０２上に設けられるノンドープの半導体コア層１０３と、半導体コア層１０３上に設けられるｎ型の第二の半導体クラッド層１０５と、第二の半導体クラッド層１０５と半導体コア層１０３との間に設けられる半絶縁性の半絶縁層１０４とを有する層構造をなすと共に、第二の半導体クラッド層１０５上に設けられて半導体コア層１０３へ電圧を印加する位相変調用電極１０７を備えている。 （もっと読む）

【課題】段差領域における被り成長を抑制しながら、段差領域から一定の距離以上離れた領域でも十分な厚さを有する平坦性の良い埋込層が形成されるようにして、その後のプロセスを容易にし、歩留まりを良くすることができるようにする。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶の（１００）面上に存在する段差領域Ｍ１を、酸素を供給しながらＩＩＩ族元素としてＩｎ又はＧａを含む半導体結晶を成長させて埋込層１４を形成する埋込工程を含む。 （もっと読む）

【課題】従来の電界吸収型光変調素子における低反射窓構造では，寄生容量の増加と，パイルアップのトレードオフが問題であった。これは，窓構造におけるｐｎ接合の容量密度が，光吸収領域となるｐｉｎ接合に比べて大きいこと，また，電極構造を光吸収領域と窓構造の接合部より遠ざけた場合，光吸収領域への電界印加が不充分となり，光吸収領域において発生したフォトキャリヤの排出が困難になるためである。
【解決手段】光吸収領域と低光反射窓構造との間に，その導波路構造を構成する各多層の組成波長が信号光より十分短く，かつ平均的な屈折率が光吸収領域と同程度の組成波長・膜厚構造からなるアンドープの導波路構造を設ける。電極構造を，光吸収領域とアンドープ導波路の接合界面は横断し，かつ，アンドープ導波路と窓構造の接合界面には架からないように形成すれば，窓構造のｐｎ接合による寄生容量の増加と，パイルアップの両者を同時に抑制できる。 （もっと読む）

【課題】低強度の制御光で超高速のスイッチッチングができる高光閉じ込め導波路インターサブバンド全光スイッチを実現する。
【解決手段】半導体量子井戸構造を持ちサブバンド間遷移を起こすＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を該ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層よりも低屈折率をもつ材料上にウェハボンディングで構成し、該ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層から光導波路を形成し、該光導波路の周りに上記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層よりも低屈折率をもつ膜をつけることで形成した光導波路と、光信号と制御信号とを入力する個別あるいは共通の入力端と、光信号を出力する出力端と、を備える。また、光信号と制御光信号とを入力し、制御光信号で上記のサブバンド間遷移を飽和させて上記の光信号の透過率を制御することで、制御光信号を照射するときに光信号を出力するものである。 （もっと読む）

【課題】ＬｉＮｂＯ₃をコアとしたより微細な導波路を用いることで、より微弱な電界強度を測定できるようにする。
【解決手段】主表面がＣ面とされた単結晶の酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）からなる基板１０１と、基板１０１の主表面上に結晶成長により形成された酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる下部クラッド層１０２を備えている。また、本光電界センサは、下部クラッド層１０２の上に結晶成長により形成されたニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ₃）からなるコア層１０３と、コア層１０３の上に形成されたＺｎＯからなる上部クラッド層１０４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体変調器において、高温動作特性を向上する。
【解決手段】半導体変調器を、３元混晶の半導体結晶ＩｎＧａＡｓ基板１上に、光吸収層として、ＩｎＧａＡｓ圧縮歪量子井戸層の両側に、基板に格子整合するＩｎＡｌＡｓ障壁層を配したＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ量子井戸層３を形成する構成とした。 （もっと読む）

【課題】光送信器において、アイソレータのアレイの必要性を除去し、または、高品質のＡＲ被覆の必要性を除去することによって、低コストで高いデータ速度通信を与える。更に、変調器アレイを含む集積光回路は、レーザのアレイを必要とせず、より高い歩留まりとより低いコストで製造可能とする。
【解決手段】光送信器１００は、駆動レーザ１１０、１×Ｎスプリッタ１３０、および変調器１５０のアレイを含む。１×Ｎスプリッタ１３０は、駆動レーザ１１０からのビームを分離されたビームに分割するように結合され、変調器１５０は、並列に送信されるそれぞれのデータ信号を表すようにそれぞれのビームを変調する。 （もっと読む）

本発明は、光導波路型変調器を提供する。一実施形態では、この光導波路型変調器は、半導体平面光導波路コアと、このコアの隣接する両側に配置され、このコアの両端間に電圧を印加することができるドープ半導体接続パスとを含む。この光導波路コアおよび接続パスは、背面ＰＮ半導体接合部を有する構造を形成する。別の実施形態では、この光導波路型変調器は、少なくとも１つのＰＮ半導体接合部がその中に配置された突条部分を有する半導体光導波路コアを含む。この光導波路型変調器はまた、この突条部分の横に隣接して配置され、この突条部分に電圧を印加することができる１つまたは複数のドープ半導体接続パスも含む。
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【課題】広帯域でＴＥ−ＴＭ変換を行うことができるＴＥ−ＴＭ変換器を提供すること。
【解決手段】電気光学効果を利用したＴＥ−ＴＭ変換器１。光導波路５は、０．０００５以下の複屈折率を有するタンタル酸リチウムによって構成され基板２上に配置される。光導波路５を構成するタンタル酸リチウムの光学軸の方向は、基板２の主面に対して略平行である。また、第１の電極３及び第２の電極７は、基板２の主面上に配置され、光導波路５を挟んで互いに対向するように配置される。 （もっと読む）

フォトニックバンドギャップ結晶のダイナミック周波数制御をするための装置10と方法は欠陥サイト14を有する音響バンドギャップ結晶12と、音響バンドギャップ結晶12の欠陥サイト14中のフォトニックバンドギャップ結晶20と、音響バンドギャップ結晶12に結合されている音波発生器40とを含んでいる。したがって音響バンドギャップ結晶12中の音響波はフォトニックバンドギャップ結晶20の透過特性を制御可能に変更し、それによってフォトニックバンドギャップ結晶20を通る電磁放射の透過を変調するために使用されることができる。音響バンドギャップ結晶12の音響波は格子定数、対称性、光屈折率の１以上を含む特性を変化するためフォトニックバンドギャップ結晶20を圧迫する。 （もっと読む）

本発明の種々の実施の形態は、電磁搬送波内にデータを符号化すると共に電磁搬送波の伝達を調整するために用いることができるフォトニックシステム及び方法に関する。本発明の１つの実施の形態では、フォトニックシステム（１０００、１５００）は、多数の電磁波を伝送するように構成される第１の導波路１００２を備える。フォトニックシステム（１０００、１５００）は共振空胴１０１４、１５０４を有するフォトニック結晶（１００４、１５０２）を備え、第１の導波路１００２からの電磁波のうちの１つ又は複数を共振空胴（１０１４、１５０４）の中に選択的にエバネッセント結合するように構成される。フォトニックシステム（１０００、１５００）はエバネッセント結合を介して、共振空胴（１０１４、１５０４）から１つ又は複数の電磁波を伝送及び抽出するように配置される第２の導波路（１００６）も備える。
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【課題】スペクトル広がりが無視できる程度の短距離の光伝送において、光変調器や受光素子として従来の長距離の光伝送とは異なる原理にもとづいた簡便な機器を提供すること。
【解決手段】発光スペクトルの広い光源１を用い、波長選択性のある光変調器３ａ〜３ｄと、前記光変調器３ａ〜３ｄそれぞれの変調可能な波長領域よりも狭い受光可能な波長領域を有する受光素子６ａ〜６ｄを備えた光信号伝送装置においては、例えば、光変調器３ａで変調された信号は、対応する受光素子６ａのみで受光されるようにすることができる。 （もっと読む）

【課題】耐圧が高く、製作の容易なｎｐｉｎ型光変調器を提供する。
【解決手段】本発明の一実施例による半導体光増幅器１０は、基板側にカソード層１２−１を配置して順次積層されたｎｐｉｎ型の半導体光変調器であって、少なくとも第１のｎ型クラッド層１３−１、ｐ型クラッド層１４、コア層１７、および第２のｎ型クラッド層１３−２を含む半導体光変調器において、ｐ型クラッド層１４がカソード層の電極１８−１に電気的に接続されていることを特徴とする。これによって、ｎｐｉｎ型光変調器での光吸収に伴うｐ型クラッド層へのホールの蓄積をマイナス側の電極に吸収させることができる。このｎｐｉｎ型の半導体光変調器は、メサ型の導波路構造とすることにより、従来の半導体製造技術を用いて比較的容易に製作することができる。 （もっと読む）

【課題】光導波路層を含むメサストライプを、上面が平坦な平坦部、傾斜部及び微成長部からなる半絶縁性のＩｎＰ系埋込み層により埋め込み、埋込み層４上に電極パッドが形成された素子の電極パッドの寄生容量を小さくする。
【解決手段】メサストライプ２に沿って複数のメサストライプ２に平行するダミーメサストライプ８を形成し、ダミーメサストライプ８の間を埋込み層４の平坦部４ａで埋め込み、その上に電極パッド７を形成する。平坦部４ａは、ダミーメサストライプ８の厚さを有して平坦に形成されるから、電極パッド７と基板１間の距離が長くなり、この間の寄生容量が小さい。従って、高周波特性が優れた光半導体素子となる。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザおよびＥＡ変調器を含む半導体光素子を基板上に作製する方法において、半導体の曲がりを小さくすること。
【解決手段】ＥＡ変調器のための活性層２７を成長するに先だって、第１半導体部１９のエッチング端面１９ａ上の堆積物、つまり第１光閉じ込め層２３の成長時に形成された異常成長部２５の少なくとも一部をエッチングによって除去する。これにより、ＥＡ変調器のための活性層２７が異常成長部２５のため曲がることを小さくできる。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の強度が変動した場合でも、上記強度の変動の影響を受けることなく、レーザ光の光周波数をより正確に制御することができる。
【解決手段】レーザ光源からのレーザ光を分岐する分岐素子と、分岐された一方のレーザ光を受光して電気信号を出力する第一受光素子と、分岐された他方のレーザ光の光路上に配され、特定光周波数の光の吸収線スペクトルを少なくとも１つ以上有する物質を封入する光吸収体と、光吸収体を透過したレーザ光を受光して電気信号を出力する第二受光素子と、第一の受光素子および第二の受光素子からそれぞれ出力される電気信号が入力される差動増幅器と、差動増幅器からの電気信号から、吸収線スペクトルのピークとレーザ光の光周波数との差を検出し、その差を小さくするべくレーザ光源から出力するレーザ光の光周波数を制御する安定化制御部とを備える光周波数安定化光源が提供される。 （もっと読む）

本発明は、光配線モジュール構造に関する。本発明による光配線モジュールは、基板の表面に実装される光源と、光源から出る光のＴＭモードで結合し、長距離表面プラズモンポラリトンを利用する金属光導波路と、光受信素子とを備える。本発明によれば、小型化及び高収率化に適した単純構造の光配線モジュールを提供することができる。
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【課題】光ファイバの直径よりも小さなピッチの光ゲートアレイを実現する。
【解決手段】光ゲートアレイ１１は、複数の光ゲート１１−１〜１１−ｎが配列される。光ファイバアレイ１２は、複数の光ファイバ１２−１〜１２−ｎが配列される。レンズ１３は、光ゲートアレイ１１と光ファイバアレイ１２との間に配置して、光ゲートアレイ１１上のすべての光ゲート１１−１〜１１−ｎと、光ファイバアレイ１２上のすべての光ファイバ１２−１〜１２−ｎとの光結合を一括して行う。 （もっと読む）