【課題】
ＳＯＡの温度制御や補助光源のフィードバック制御を行わずに、温度変化による光利得の変動を抑制する光増幅装置を提供すること。
【解決手段】
半導体光増幅器と、前記半導体光増幅器の光利得を制御する補助光を発生する補助光源と、前記補助光と信号光を合波し、前記半導体光増幅器に入射させる合波器を具備し、前記補助光源が、単一縦モードでレーザ発振する半導体レーザと、前記半導体レーザが発生するレーザ光を部分的に吸収し、前記レーザ光を前記補助光として出力する光吸収体とを有し、第１の温度に於いて前記光吸収体によって前記レーザ光が受ける第１の損失が、前記第１の温度より高い第２の温度に於いて前記光吸収体によって前記レーザ光が受ける第２の損失より小さい光増幅装置。 （もっと読む）

【課題】
透過率を高速に変更可能な光フィルタを実現する。
【解決手段】
光導波路（１８）は、サブバンド間遷移によりＴＭ波を吸収しＴＥ波に相互位相変調を起こす量子井戸サブバンド間遷移光導波路構造からなる。光導波路（１８）の入射側と出射側に反射膜（２０，２２）を設け、ファブリペロー共振器を構成する。偏光合波器（２４）は、ＴＥ波の信号光（２８）とＴＭ波の制御光（３０）を合波し、合波光を反射手段（２０）を介して光導波路（１８）に入射する。出射側の偏光ビームスプリッタ（２６）は、光導波路（１８）の出射光から、信号光（３２）と制御光（３４）を分離する。 （もっと読む）

【課題】
厚みが１５０μｍ以下の薄板と、該薄板の裏面に接着された補強板とを含む光変調器において、焦電効果の影響を効果的に除去することにより温度ドリフトやＤＣドリフトの点で信頼性を一層向上させた光変調器を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する材料で形成され、厚みが１５０μｍ以下の薄板と、該薄板に形成された光導波路と、該光導波路内を通過する光を変調するための変調電極と、該薄板より厚みの大きい補強板とを含む光変調器において、該薄板と該補強板との間に、該薄板材料と同等の材料で、基板の厚みが略等しく、かつ自発分極の方向が該薄板と互いに相反するように配置された焦電効果低減部を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】交代偏光位相シフトキード・データを伝送するための方法および装置を提供する。
【解決手段】位相シフトキーイング（ＰＳＫ）を用いて、レーザの出力を変調して、電子データを光学的にコード化して、光信号を生成する。連続光ビットが実質的に直交偏光を有するように、変調器を使用して光信号の偏光を交代させることによって、交代偏光ＰＳＫ（ＡＰｏｌ−ＰＳＫ）信号を生成する。 （もっと読む）

【課題】小型で、かつ高位相で高速な変調度を持つ光変調器に接続される接続路と、そのような光変調器および接続路で構成された光通信システムと、それらの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の接続路３０は、光変調器の外部に設けられた光導波路と光変調器を接続し、接続路３０の内部には、第１導電型を呈するようにドープ処理された半導体層８の少なくとも一部と、第２導電型を呈するようにドープ処理された半導体層９の少なくとも一部とが誘電体層１１を挟んで重なり合って設けられている。また、第１導電型の半導体層８と、第２導電型の半導体層９と、誘電体層１１とが、光変調器から光導波路に向かってテーパー形状または逆テーパー形状を有するように幅および／または高さが変化している。 （もっと読む）

【課題】波長可変機能を有する外部共振器と光変調器の間の光学結合損失を低減すると共に、外部共振器の導波路ミラー反射率を容易に設定可能な送信光源を提供する。
【解決手段】送信光源１は、（ｉ）透過光波長を変更可能な波長可変フィルター１３１、（ｉｉ）波長可変フィルター１３１の一端に光学的に接続される閉ループ状の光導波路を含むループミラー１３２、（ｉｉｉ）ループミラー１３２に光学的に結合され、ループミラー１３２を伝搬する光波の一部を２つのポートから取り出すことのできる２×２光カプラ１１２、（ｉｖ）光カプラ１１２の２つのポートの各々に接続され、導波光の位相を変調することができる第１及び第２の位相変調器として動作する導波路１０６及び１１０、及び（ｖ）導波路１０６及び１１０の出力を合波する３ｄＢ光合波器１０９を有する。 （もっと読む）

【課題】信号光の波長や信号光の有無についても監視が可能な光波長多重信号監視装置および方法を提供する。
【解決手段】本発明の光波長多重信号監視装置は、ＭＺＩ同期ＡＷＧのアーム導波路の少なくとも一方を加熱して、アーム導波路間の位相差を調整可能とするヒータを備え、このヒータに電力を印加して、ＡＷＧの透過率の波長依存性を複数の状態に変化させるよう構成されている。本発明によれば、複数の状態において測定された光強度から各チャネルの信号光の波長を算出することができる。また、ＡＷＧの透過率の波長依存性が略平坦な状態において測定された光強度から各チャネルの信号光の強度を算出することができる。また、ＡＷＧの透過率の波長依存性が略平坦な状態から光位相差が略１８０度シフトした状態において測定された光強度と、波長依存性が略平坦な状態において測定された光強度との差から各チャネルの信号光の有無を判定することができる。 （もっと読む）

【課題】光パルスの伝送速度の高速化を実現することのできる光学結晶を提供する。
【解決手段】本発明の光学結晶は、誘電率の異なる二つの物質を交互に周期的に配列することで形成された周期配列層を含み、前記周期配列層は、一方の前記物質中に周期的に配列される他方の前記物質が連続して欠落した連続欠落部が形成されるとともに、前記連続欠落部が連続する方向において、一方の前記物質中における他方の前記物質の周期配列特性が異なる複数の領域が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 残留強度変調成分が低減された信号光を出力することができる光送信器を提供する。
【解決手段】 光送信器１０Ａは、光源１０１、光位相変調部１０２、光強度変調部１０３、プリディストーション部１０４、オフセット部１０５、パイロット信号発生部１０６、光カプラ１０７、受光部１０８、ＲＦ信号発生部１０９およびバンドパスフィルタ１１０を備える。ＲＦ信号発生部１０９は、互いに位相反転関係にある第１ＲＦ信号および第２ＲＦ信号を出力する。光源１０１または光位相変調部１０２は、第１ＲＦ信号（ＳＢＳ抑圧信号）に基づいて光を位相変調して、光スペクトル線幅を拡大する。光源１０１は、第２ＲＦ信号（ＲＡＭ補償信号）に基づいて光を強度変調して、光位相変調部１０２で生じる残留強度変調成分を補償する。 （もっと読む）

【課題】同調可能性が向上したマイクロ波、ミリ波及び／又はサブミリ波長で動作可能な同調可能な移相器及び／又は減衰器を提供すること。
【解決手段】チャネルを有する導波路と、前記導波路内に配置され、前記チャネルの内壁から間隔を隔てて配置された一片の光応答性材料と、前記一片の光応答性材料の少なくとも一部に当たるように光を放射する光源とを備え、
前記光源が、前記光応答性材料の誘電率の実数部分と虚数部分とを修正するために、前記一片の光応答性材料内に１０^１２ｃｍ^−３及び１０^１６ｃｍ^−３の間のキャリヤ密度を生成し、これによって前記一片の光応答性材料内に電界の一部を有し且つ前記導波路内に電界の一部を有する、少なくとも１つのモードを生成することによって、光の照射に依存する移相器及び／又は減衰器が１つの周波数範囲にわたって生成されることとなる、同調可能な移相器及び／又は減衰器。 （もっと読む）

【課題】数多くの波長が含まれる光信号の波長に依存する経路指定のための装置および方法の提供。
【解決手段】装置は、入力および出力を備える経路指定デバイス５からなる、入力および出力導波管を備える光アッド−ドロップ多重化装置からなる。経路指定デバイス５には、多数の入力を備える分割手段および多数の出力を備える結合手段が含まれる。前記入力１３_Ｎおよび出力１４_Ｎそれぞれの一つは、多重波長入力のために用いられ、一方、別の入力１３_Ｎ−１および別の出力１４_Ｎ−１それぞれは、アッド／ドロップ波長のためにそれぞれ用いられ、またその他の入力および出力１３_１−１３_Ｎ−２；１４_１−１４_Ｎ−２は、残りの波長をループバックするのに用いられる。分割および結合手段の間に数多くの分岐導波管が配置され、波長デマルチプレクシング／マルチプレクシングおよびスイッチングの双方が経路指定デバイス５によって提供される。 （もっと読む）

【課題】この発明は、所望の群遅延特性を備えた、電界吸収型の光変調装置を提供することを目的とする。
【解決手段】図１において、符号１は、半導体光変調器を指す。実施の形態１の半導体光変調器１は、電界吸収型（ＥＡ変調器とも称される）の光変調器である。符号２は、電極１ａと、入力側線路２０の間に接続されるワイヤを指す。符号３は、半導体光変調器１の電極１ａと出力側線路４の間に接続されるワイヤを指す。符号４は出力側線路、符号５は出力側線路４に直列に接続された抵抗である。出力側線路４と抵抗５は、異なるインピーダンスを備えている。 （もっと読む）

【課題】光スイッチのサイズを、光の回折限界を超えて小型化できるようにする。
【解決手段】プラズモンが生成可能な材料から構成されて光の伝播方向に延在する第１伝播部１２１、および誘電体から構成されて第１伝播部１２１と接して光の伝播方向に延在する第２伝播部１２２を有する伝播制御部１０２を備える。第１伝播部１２１は、例えば、ペロブスカイト構造のＢｉＴｉＯ₃などのモット転移する材料から構成され、第２伝播部１２２は、ＳｉＯ₂から構成されている。また、第１伝播部１２１に接して設けられて第１伝播部１２１に電圧を印加する電極１２３，電極１２４を備える。これら電極１２３，１２４に電圧を印加することで、第１伝播部１２１をモット転移させることができる。 （もっと読む）

モノリシックな電子光学的デバイスは導波路に光学的に接続するスポットサイズコンバータを有する。導波路のコア（５４）に延在するオーバークラッド（５８）はスポットサイズコンバータのオーバークラッドに比べ厚みが薄く、より高度にドープされる。この構造は厚みの異なる又はドーピングの程度の異なる選択された領域を備えたオーバークラッド（５８）を形成可能な選択性エッチングと強化型再成長の工程を適用することによって作製される。 （もっと読む）

【課題】近接場光発生素子の動作を安定させて信頼性を高める。
【解決手段】基板１００上に、半導体レーザ素子１０、光吸収導波路２０、近接場光発生部３０、磁界発生素子５０が形成されている。半導体レーザ素子１０は、井戸層が量子井戸面内方向に引っ張り歪を有しており、ＴＭ偏光した光を出射する。半導体レーザ素子１０は、レーザ発振によるＴＭ偏光以外に、自然放出によって生じたＴＥ偏光をも出射する。光吸収導波路２０は、井戸層が無歪又は量子井戸面内方向に圧縮歪を有する量子井戸吸収層を含んでおり、ＴＥ偏光の光を吸収する。したがって、光吸収導波路２０の光出射端からはＴＭ偏光の光のみが出射される。 （もっと読む）

【課題】信号光の強度だけでなく、波長も監視可能な光波長多重信号監視装置および方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態によれば、アレイ導波路回折格子（ＡＷＧ）を備えた光波長多重信号監視装置は、ＡＷＧの入力導波路と入力側のスラブ導波路との間に、光スプリッタと、２つのアーム導波路と、光モード合成カプラと、テーパ導波路と、２つのアーム導波路間の位相差を調整可能としたヒータとを備える。光モード合成カプラは、一方のアーム導波路から入力される基底モード光を１次モードに結合させ、他方のアーム導波路から入力される基底モード光を基底モードに結合させる。テーパ導波路は、２次モード光を励起するように構成される。ヒータに電力を印加して、ＡＷＧの透過率の波長依存性を複数の状態に変化させて、信号光の強度を測定する。これら複数の状態において測定された信号光の強度から各チャネルの信号光の強度だけでなく、波長を算出することができる。 （もっと読む）

【課題】グレーティング導波路での反射波長を変化させる波長可変動作時におけるクロストークの発生を回避する波長可変光フィルタを提供する。
【解決手段】グレーティングが形成された第１および第２の導波路１、２と、第１の導波路１と第２の導波路２との間に配置され、第１の導波路１と第２の導波路２とを直列に接続する第３の導波路３と、各導波路１、２、３に設けられ、各導波路１、２、３の屈折率を変化させる屈折率変化手段４、５、６と、各導波路１、２、３の屈折率変化手段４、５、６を制御して、各導波路１、２、３の屈折率をそれぞれ独立して変化させる屈折率制御手段９とを有している。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体を利用した光変調素子を含む変調器では、適切な結晶成長を確保するため、屈折率変化量が大きい方向、すなわち屈折率変調効率が高い方向にレーザおよび変調素子のメサストライプを形成し、高効率な屈折率変調を実現することができない課題があった。より低バイアス電圧で変調素子の制御駆動が可能であって、光損失変動が小さく、大きな屈折率制御量を得ることができる構造の実現が望まれていた。
【解決手段】電圧制御を用いて屈折率変調を行う半導体光制御装置において、ｐクラッド、ｎクラッド層に挟まれた単層または複数層からなる屈折率制御層の少なくとも一部がドーピング層を持っている。層構造は、バルク層、単層または多重量子井戸層とすることができる。素子ストライプの結晶方位は［１１０］に準ずる方向または［１−１０］に準ずる方向とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、所定の伝送品質をそれぞれ満たすアンドープ層の層厚値の条件を満たす層厚値を有するアンドープ層を積層させた電界吸収型変調器を作製することで、所定の高速動作時において所定の長距離伝送が可能となる電界吸収型変調器集積レーザ素子の製造方法を提供することにある。
【解決手段】アンドープ層の層厚が異なる複数の電界吸収型変調器を作製し、帯域及びチャープ特性を測定し、これら特性とアンドープ層の層厚の相関図を作成することで、これら特性の層厚依存性が求まり、当該層厚値の条件を得る。 （もっと読む）

【課題】位相の変化を正確に検出する。
【解決手段】位相偏移変調された信号光を出射する、少なくとも一つの出射端としての端部１１ａと、端部１１ａから出射された光を回折させる回折格子本体としての格子面１２と、前記回折格子本体から出射された光を入射する、ｍ（ｍ：整数）次回折光が入射される場所以外の場所に設けられた、少なくとも一つの第１の入射端としての端部１１ｂとを備えた、位相偏移変調光受光用回折格子としての透過型回折格子１１。 （もっと読む）