【課題】スポットサイズを変換する光導波路を用い、より効率的に光結合ができるようにする。
【解決手段】この光導波路は、第２コア１０３を、スポットサイズ変換領域１１２の開始端（導波領域１１１の側）にかけて先細りに形成したところに特徴がある。このように、第２コア１０３が、スポットサイズ変換領域１１２の開始端にかけて先細りに形成されているので、導波領域１１１かとスポットサイズ変換領域１１２との界面で生じる、導波光の反射および損失をより小さくすることができるようになる。この結果、より効率的に光結合ができるようになる。 （もっと読む）

本発明は、２種類のＩＩＩ族元素の窒化物材料間の量子閉じ込めによる、典型的には、ＧａＮ／ＡｌＮによる、サブバンド間遷移を備えた電気光学素子に関する。本発明は、前記素子を包含するデバイス又はシステム、並びに前記素子の製造方法にも関する。本発明によれば、前記素子（２）は１つ以上のＮドープされた量子井戸構造（ＱＷ１，ＱＷ２，ＱＷ３）を囲む少なくとも２つのいわゆる外側障壁層（ＢＬ０，ＢＬ３）を包含する少なくとも１つの活性領域（２３）を含み、前記量子井戸（１つ以上）は、各々が、少なくとも５単原子層の厚さの非意図的にドープされた２つの障壁領域（ＢＬ０，ＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３）によって囲まれていることを特徴とする。
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【課題】高速且つ高分解能な光周波数測定を行う。
【解決手段】光周波数コム発生器４３により、レーザ光を変調して、レーザ光の周波数を中心周波数とし、変調周波数ｆ_ｍ＋Δｆ間隔毎に側帯波を有する第１の光周波数コムと変調周波数ｆ_ｍ間隔毎に側帯波を有する第２の光周波数コムとを所定時間τ毎に交互に生成し、遅延ファイバ４５により所定時間τの時間遅延を与え、＋ｆ_Ｓの周波数シフトが与えられた光周波数コムと被測定レーザ光との干渉による光強度の変化を検出する検出器４８Ａからの第１の周波数信号と、光周波数コムと被測定レーザ光との干渉による光強度の変化を第２の検出器４８Ｂからの第２の周波数信号と、−ｆ_Ｓの周波数シフトが与えられた光周波数コムと被測定レーザ光との干渉による光強度の変化を検出する第３の検出器４８Ｃからの第３の周波数信号との間の差周波数又は和周波数を周波数カウンタ４９により測定する。 （もっと読む）

【課題】スペックルを低減するコンパクトな光学装置を提供することを課題とする。
【解決手段】コヒーレントな光を射出する光源（２）と光が照射される被照射面（７）との間の光路中に、光に大きな群遅延を発生させる群遅延発生手段（４）を配置して光学装置（１）を構成する。群遅延発生手段（４）は、物理的に過度に大きくなく、入射する光に含まれる波長に対して高いＱ値を示すように作製される。これにより、群遅延発生手段（４）を透過することでコヒーレンスを低減し、それによって、スペックルを低減する、コンパクトな光学装置（１）を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ＥＡＤＦＢレーザにおいて、モニタ用ＥＡ変調器の吸収電流をもとに、モジュール温度を検出する。
【解決手段】分布帰還型レーザ１０１と、分布帰還型レーザ１０１の一方の端面１０１ａから出射された光が入射されてこの光を変調して光信号Ｓを出力する光変調用の電界吸収型変調器１０２と、分布帰還型レーザ１０１の他方の端面１０１ｂから出射された光が入射されるモニタ用の電界吸収型変調器１０３と、電気的分離部１０４，０１５とが、同一の半導体基板上にモノリシック集積して光送信モジュール１００が形成されている。モニタ用のＥＡ変調器１０３に吸収される吸収電流を検出することにより、モジュール温度を検出でき、光信号Ｓを予め決めた規定パワーとするのに必要な制御をすることができる。 （もっと読む）

【課題】活性層を半絶縁半導体で埋め込む、埋め込みヘテロ型半導体光素子において、高速変調動作に対応するべく、活性層以外の寄生容量を低減する。
【解決手段】活性層を含むメサストライプ部１８の両側に成長させる半絶縁半導体の埋め込み層１０を、メサストライプ部１８と同じ高さまでの第１の層と、第１の層の表面にメサストライプ部１８上に沿って形成した、メサストライプより幅広のマスクの両側に成長させる第２の層とで構成する。第２の層を成長させない溝２８の底面２６は平坦で幅広に形成される。コンタクト用電極３０は底面２６内に配置可能となり、その狭幅化により面積が縮小され、当該電極３０の寄生容量が低減される。また、第２の埋め込み層の膜厚を厚くすることにより、パッド電極３４とｎ型基板２との間の寄生容量が低減される。 （もっと読む）

【課題】高速レベル等価動作を実現し、集積性および生産性を向上させる。
【解決手段】光レベル等価器は、入力光を任意の強度に減衰させて出力する可変光減衰器１−２と、入力光を分岐させる光タップ１−６と、光タップ１−６によって分岐された光の強度を検出する光検出器１−３と、光検出器１−３で検出された光強度に応じて可変光減衰器１−２の光減衰率を制御する制御用電子回路１−４とを、ワンチップに集積した構造を有する。可変光減衰器１−２は、シリコン光導波路を用いた導波路型可変光減衰器である。 （もっと読む）

【課題】光変調器へ入力される光の波長や光強度によって変調特性が変動してしまう問題点を改善し、変調器の安定動作を実現すること。
【解決手段】一実施形態による、光変調器に用いられる光変調導波路は、半導体クラッド層（バリア層）としての半絶縁型クラッド層に接する第２のｎ型半導体クラッド層の一部、または第２のｎ型半導体クラッド層と半絶縁型クラッド層（半導体クラッド層）の一部を、ｐ型の導電性を持つｐ型半導体領域とする。このｐ型半導体領域は、光変調導波路の光進行方向に繰り返し複数配置される。入力光が半導体光導波層において光吸収されて発生したホールは、このｐ型半導体領域を介して、第２のｎ型半導体クラッド層と共通の電極から引き抜かれる。これにより、バリア層である半絶縁型クラッド層に、ホールが蓄積することを防止ないしは軽減することができる。 （もっと読む）

【課題】リブ型シリコン細線導波路型の可変光減衰器において、不要な電流の流れを防止し低消費電力で高速動作できるようにする可変光減衰器の作製方法を提供する。
【解決手段】シリコン基部１０１，埋め込み酸化層からなる下部クラッド層１０２，および表面シリコン層（ＳＯＩ層）２０１を備えるＳＯＩ基板を用意する。次に、ＳＯＩ層２０１を酸化処理して層厚５ｎｍ程度の酸化層２０２を形成する。例えば、酸素ガスの電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマを、ＳＯＩ層２０１の表面に４分程度照射することで、酸化層２０２を形成することができる。この酸化処理で形成した酸化層２０２が、コア上部の酸化シリコン層となる。 （もっと読む）

【課題】リブ型シリコン細線導波路を利用した可変光減衰器において、無駄な電力を必要とせずに低消費電力で高速動作ができるようにする。
【解決手段】電極１４１および電極１５１に挟まれた領域のコア１０３の上面に、この領域のコア１０３を酸化することで形成した酸化シリコン層１０７を備える。例えば、よく知られた熱酸化法、もしくはプラズマ酸化法により、酸化シリコン層１０７が形成できる。酸化シリコン層１０７は、層厚５ｎｍ程度であればよい。酸化シリコン層１０７を備えることで、電圧印加において、不要な電流の流れが防止でき、低消費電力化を図ることができるようになる。 （もっと読む）

【課題】波長分散補償の際に生じる光損失を補償することができ、効率的な省スペース化が可能な波長分散補償器を提供する。
【解決手段】波長分散補償器は、入力ポートＩＮおよび出力ポートＯＵＴの間に光サーキュレータ１を介して波長分散補償部２が接続されており、該波長分散補償部２は、希土類イオンをドープした光路２１と、該光路２１に沿って形成されたグレーティング部２２とを有し、上記光路２１には、励起部３から出力される励起光が供給される。光サーキュレータ１を通って光路２１の一端に入力された信号光は、光路２１内を増幅されながら伝搬し、グレーティング部２２で反射されて光路２１の一端に戻されることにより、波長分散補償と光損失の補償とが同時に行われる。 （もっと読む）

【課題】加熱素子または冷却素子とコアとの間の熱伝導を効率させつつ、光吸収や光損失を抑制する。
【解決手段】熱光学効果によって光導波路を伝搬する光の位相を変化させる光回路素子であって、クラッド１１ａと、クラッド１１ａによって覆われたコア１１ｂとからなる光位相シフト導波路１１と、ヒーター１２と、クラッド１１ａ内に埋設され、ヒーター１２とコア１１ｂとを熱的に接続する伝熱部材としてのカーボンナノチューブ１３とを有する。 （もっと読む）

【課題】波長変換素子として使用する非線形光学結晶の種類によっては、基本波や発生した高調波自体を吸収し、素子そのものの温度が上昇することにより、高調波出力に応じて位相整合温度（波長）が変化し、効率のよい波長変換が不可能になっていた。
【解決手段】本願の波長変換レーザ光源では、波長変換素子は光吸収特性を有し、基本波レーザ光源から出力される基本波レーザ光の光量に応じて前記波長変換素子の保持温度をシフトさせる。 （もっと読む）

【課題】ハイメサ光導波路によって形成され、しかも製造上の歩留まりが高い光半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体光変調器２４は光導波層４を内部に有し、半導体によって形成された帯状のメサ２６を具備している。また光導波路の両脇に配置された一対の半導体層２８、３０と、この一対の半導体層の夫々と光導波路の間に形成された溝３２、３４を埋め込む樹脂層３６、３８とを具備する。さらにメサの頂上に形成された上部電極１２、および基板４２の裏面に形成された下部電極１４を備える。 （もっと読む）

【課題】波長分割多重光通信システムにおける受信側の処理や回路規模を削減する。
【解決手段】波長変換器１００の第１の変換部１２０は、信号列｛ｂ_ｋ｝の差動位相変調（ＤＰＳＫ）光信号である第１のＤＰＳＫ光信号Ｄ１を信号列｛ｂ_ｋ｝の強度変調光信号に変換する。第２の変換部１５０は、該第１の変換部１２０により得られた強度変調光信号を、第１のＤＰＳＫ光信号Ｄ１と波長が異なった、信号列｛ｂ_ｋ｝のＤＰＳＫ光信号である第２のＤＰＳＫ光信号Ｄ２に変換する。 （もっと読む）

【課題】ＰＬＣを用いた光制御システムにおいて、ＴＯ位相シフタの電力効率を向上させる。
【解決手段】光モジュールは、平面光導波回路と、その平面光導波回路を所定位置において加熱する熱光学位相シフタと、平面光導波回路を通過した光信号の光出力を検出する光検出器と、その光検出器が検出した光出力が設定値に近づくように熱光学位相シフタをパルス幅変調制御する制御部とを備える。 （もっと読む）

本発明は、１０Ｇｂ／ｓより速いデータレートの優れた性能を有するように改良された電気光学変調素子、とりわけ、ＳＯＩ型の基板（５０，５１）上の電気光学変調素子に関する。この改良は、構造及びその環境の容量性効果の影響を低減することにより得られ、
そしてより詳細には：
ドープ領域内のアクセス抵抗の低減によって構造それ自体の容量の影響が抑制されること；又は、
活性領域（５２０）に垂直に位置する基板（５０，５１）の構造の改変によって、例えば、シリコン基板（５０）又は絶縁体（５１）の薄化によって環境の容量性効果の影響が低減されること；又は、
これらの特徴の組み合わせ；
により得られる。本発明は、更に、前記素子の製造方法に、及び前記素子を含む装置又はシステムに関する。この改良は、３Ｄ集積化によるアセンブリ方法に、並びに、オプティクス及びエレクトロニクスのハイブリッド回路に適用することができる。
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【課題】小型で安価なレーザを使って、二光子吸収を利用した実用用途を実現するために、高効率の二光子吸収材料を提供する。また、イオン化ポテンシャルが高い電子吸引性化合物と、電子供与性基を有することにより前記電子吸引性化合物で化学増感され得るパイ電子共役系の二光子吸収化合物とを含有する二光子吸収材料の二光子吸収を利用して書き換えできない方式で記録を行った後、光を記録材料に照射してその発光強度の違いを検出することにより再生することを特徴とする二光子吸収光記録再生方法及びそのような記録再生が可能な二光子吸収光記録材料を提供する。さらに、それらを用いた二光子吸収三次元光記録材料及び二光子吸収三次元光記録方法及び再生方法を提供する。
【解決手段】非環状で、末端の少なくとも一つが電子供与基で修飾されたパイ電子共役系からなる二光子吸収化合物と電子吸引性化合物を含有する二光子吸収材料。 （もっと読む）

【課題】
小型で高速、かつ信頼性について改善された吸収型半導体光変調器を提供する。
【解決手段】
半導体基板上に、少なくとも光を吸収する機能を有するコア層と該コア層の上方に形成された上部クラッド層とを含む光導波路を形成し、該光導波路は光入射端面を有しており、前記光入射端面から入射した光が前記光導波路を伝搬する過程で前記コア層に吸収されることにより光電流が生成される吸収型半導体光変調器において、前記光導波路は、ストリップ装荷構造でなり、前記上部クラッド層は、前記生成された光電流に起因するジュール熱による熱破壊を避けるために、前記ジュール熱を前記コア層を経由して前記半導体基板に逃がすように、前記光入射端面側の幅が広く形成されているとともに前記光の伝搬方向に向かって狭くなって形成され、また、前記光入射端面側の前記光導波路がマルチモード光導波路を構成している。 （もっと読む）

【課題】
小型で高速、かつ信頼性について改善された吸収型半導体光変調器を提供する。
【解決手段】
半導体基板上に、少なくとも光を吸収する機能を有するコア層を含む光導波路を形成し、該光導波路は光入射端面を有しており、前記光入射端面から入射した光が前記光導波路を伝搬する過程で前記コア層に吸収されることにより光電流が生成される吸収型半導体光変調器において、前記コア層は、前記生成された光電流に起因するジュール熱による熱破壊を避けるために、前記ジュール熱を前記半導体基板に逃がすように、前記光入射端面側の幅が広く形成されているとともに前記光の伝搬方向に向かって狭くなって形成され、また、前記光入射端面側の前記光導波路がマルチモード光導波路を構成していることを特徴とする吸収型半導体光変調器。 （もっと読む）