【課題】光変調器の信号線間クロストークを抑制し、これに伴い小型化が実現可能な光変調器およびその作製方法を提供する。
【解決手段】基板１上に形成された複数の光導波路３と、光導波路３内を通過する光を変調するために設けられる信号線電極４と、光導波路３上に信号線電極４を配してなる光変調部１２とを備える光変調器において、信号線電極４がその周囲を誘電体絶縁膜５によって覆われ、誘電体絶縁膜５がその外側をグラウンド電極６によって覆われるようにした。 （もっと読む）

【課題】精度の高い複屈折率調整が可能な半導体基板上の位相シフタを提供すること。
【解決手段】ＰＢＳ１００は、第１の光カプラ１１０と、第１の複屈折率調整部１２０と、第２の複屈折率調整部１３０と、第２の光カプラ１４０とを閃亜鉛鉱型構造を有する半導体基板１０１上に備える。第１の複屈折率調整部１２０及び第２の複屈折率調整部１３０が位相シフタとして機能する。第１の複屈折率調整部１２０は、第１の幅の第１の導波路部１０２Ａと、第２の幅の第２の導波路部１０３Ａと、第１の電極１０２Ｂと、第２の電極１０３Ｂとで構成され、ここで、第１の幅は第２の幅よりも大きい。第２の複屈折率調整部１３０は、第１の導波路部１０２Ａから傾斜して配置された第３の導波路部１０２Ｃと、第２の導波路部１０３Ｂから傾斜して第３の導波路部１０２Ｃと平行に配置された第４の導波路部１０３Ｃと、第３の電極１０２Ｄと、第４の電極１０３Ｄとで構成される。 （もっと読む）

【課題】システム全体の簡素化が可能で、高速の乱数生成要求にも対応できる乱雑性の高い乱数を生成する。
【解決手段】高速カオス光信号生成光回路は、マッハツェンダー干渉型光強度変調部ＭＺ−１の光出力ポートＰ−ＭＺ−１−ｃｒｏｓｓから出力されるＲＺ型クロック信号光を光分波部ＳＰ−１により２系統に分波し、光遅延部Ｄ−Ｔ−１により２系統のＲＺ型クロック信号光に所定の遅延を付与し、遅延が付与された２系統のＲＺ型クロック信号光を位相変調駆動用のクロック信号光として、マッハツェンダー干渉型光強度変調部ＭＺ−１内の２つの干渉アームに１つずつ設けられた位相変調部Ｒ１，Ｌ１に入力することにより、光入力ポートＰ−ＭＺ−１−１から入力され２つの干渉アーム中を伝搬しているＲＺ型クロック信号光に位相差を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】システム全体の集積化を可能とし、且つ超高速の光乱数生成要求にも対応可能とする。
【解決手段】高速カオス光信号生成光回路は、マッハツェンダー干渉型光強度変調手段ａ１の光出力ポートａ９から出力されるＲＺ型クロック信号光を位相変調駆動用のクロック信号光として、マッハツェンダー干渉型光強度変調手段ａ１内の２つの干渉アームに１つずつ設けられた光−光相互位相変調手段ａ２，ａ３に入力することにより、光入力ポートａ０から入力され２つの干渉アーム中を伝搬しているＲＺ型クロック信号光に位相差を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】小規模な構成で光信号に所定の遅延時間を与えること。
【解決手段】光経路ｒ１においては、入力された光信号が同一の経路を繰り返し通過する。光スイッチ１５０は、光経路ｒ１へ入力された光信号を出力しない非出力状態と、光経路ｒ１へ入力された光信号を出力する出力状態と、に切り替え可能である。制御部１６０は、光スイッチ１５０を、光信号が光経路ｒ１へ入力されてから所定の遅延時間が経過する時点までは非出力状態にし、光信号が光経路ｒ１へ入力されてから所定の遅延時間が経過する時点で出力状態に切り替える。 （もっと読む）

【課題】システム全体の簡素化が可能で、高速の乱数生成要求にも対応できる乱雑性の高い乱数を生成する。
【解決手段】高速カオス光信号生成光回路は、マッハツェンダー干渉型光強度変調部ＭＺ−１の光出力ポートＰ−ＭＺ−１−ｃｒｏｓｓから出力される信号光を位相変調駆動用信号光として、変調部ＭＺ−１の２つの干渉アーム中を伝搬している信号光に位相差を生じさせ、マッハツェンダー干渉型光強度変調部ＭＺ−２の光出力ポートＰ−ＭＺ−２−ｃｒｏｓｓから出力される信号光を位相変調駆動用信号光として、変調部ＭＺ−２の２つの干渉アーム中を伝搬している信号光に位相差を生じさせ、さらに、変調部ＭＺ−２の光出力ポートＰ−ＭＺ−２−ｃｒｏｓｓから出力される信号光を位相変調駆動用信号光として、変調部ＭＺ−１の２つの干渉アーム中を伝搬しているクロック信号光に位相差を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】入力された光信号を、強度変動が抑制されて光強度安定性が向上した光信号に変調する光信号の安定化装置および安定化方法。
【解決手段】光信号安定化装置１００は、入力光パルス列を光分岐回路１０１で光受信器１０２と遅延線１０３とに分岐する。光受信器１０２は、入力光パルス列を光電変換して包絡線信号を生成する。ドライバ１０４は、光受信器１０２から出力された包絡線信号を正負反転したものに、予め推定された入力光パルス列の光強度の下限値以下のオフセットをかけて、光パルス列の光強度からオフセット量を引いた量を消光させる制御信号を生成する。消光型光強度変調器１０５は、ドライバ１０４が生成した制御信号に基づき、遅延線１０３を介して入力された光パルス列の光強度を変調することにより、全光パルスの光強度がオフセット量に等化された光パルス列を出力する。 （もっと読む）

【課題】できる限り費用対効果が高く製造される、テラヘルツシステム用のビート信号生成装置を提供する。
【解決手段】第１の波長λ₁の光を発生する第１の単一モードレーザ２と、第１の波長λ₁とは異なる第２の波長λ₂の光を発生する第２の単一モードレーザ３と、第１の出力ポート１１および第２の出力ポート１２と、第１のレーザ２の光の位相、および、第２のレーザ３の光の位相を変調する位相変調部４とを備え、第１のレーザ２の光は、第２のレーザ３を介して伝送され、第２の出力ポート１２において第２のレーザ２の光が重畳され、第２のレーザ３の光は、第１の単一モードレーザ２を介して伝送され、第１の出力ポート１１において第１のレーザ２の光が重畳され、これにより、第１の出力ポート１１からの第１のビート信号Ａと、第２の出力ポート１２からの第２のビート信号Ｂの間の位相が位相変調部４によって調整される。 （もっと読む）

【課題】データ処理装置において、チップ間やボード間で送受信される高速光信号を伝送する際に、光インターコネクトモジュールおよび、それを用いてボード上にて光及び電気の信号処理を、低損失且つ高速に行う光電気ハイブリッド混載ボードを提供すること。
【解決手段】レーザ光源素子１０１から発光された後、変調器素子部１０２内を伝播し光路変換構造によって基板垂直方向に折り曲げられた光信号と、半導体基板外部から入射され、半導体同一基板上に設けられた受光素子部１０３との間でやりとりされる光信号が、それぞれ半導体基板１００内を介して、半導体基板外部との間で基板垂直方向に光学接続される構造の光インターコネクトモジュールとする。 （もっと読む）

【目的】より小さな変調電圧振幅で高速変調可能なリング光変調器を提供することを目的とする。
【構成】実施形態のリング光変調器は、リング共振器１２０と入出力光導波路１１０とを備えている。そして、前記リング共振器を構成する閉ループ光導波路１２１の共振波長λ_ｒにおける群屈折率をｎ_ｇ、閉ループ光導波路１２１の周長をｌ［μｍ］、閉ループ光導波路１２１のうち光カプラ１３０として機能するリング共振器１２０の一部を除く残りの部分の導波路長をｌ’［μｍ］とするとき、光カプラ１３０の出力から入力までリング共振器１２０を周回する共振波長λ_ｒの光に対して、電流ＯＦＦ時の共振器一周回あたりの損失ｘ［％］と光カプラのパワー結合比ｙ［％］が、所定の式（２）から式（８）までの関係を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
共振周波数の異なる複数の共振型電極を用いながら、変調効率が高く低コスト化することが可能な光制御素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成された光導波路２と、該基板に設けられ、該光導波路を伝搬する光の位相を制御するための制御電極３とを有する光制御素子において、該制御電極３は、該光導波路２に沿って配置される、共振周波数（ｆ１，ｆ２）の異なる複数の共振型電極３１，３２を有し、制御信号を入力する１つの入力配線３０と、該入力配線から分岐する分岐信号線が各共振型電極に接続され、かつ、該分岐信号線は、各共振型電極において該制御信号が該共振型電極に供給されるタイミングと、該光導波路を伝搬する光が当該共振型電極の近傍を通過するタイミングとを一致させるように構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光吸収層の層厚を増加させることなく、消光比の偏波依存性の低減と、光閉じ込め係数の向上とを同時に図ることが可能な光ゲート素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１１上に、第１のクラッド層１２、バルク材料からなる光吸収層１３、および、第２のクラッド層１４が順次積層された導波路構造を備え、前記導波路構造は、光吸収層１３と第１のクラッド層１２との間、および、光吸収層１３と第２のクラッド層１４との間に光閉じ込め層１５、１６をさらに有し、光閉じ込め層１５、１６の屈折率が、第１および第２のクラッド層１２、１４の屈折率よりも大であるとともに、光吸収層１３の屈折率よりも小であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体光スイッチモジュールの組立コストを低減させる。
【解決手段】 ＩｎＰ基板１上にＩｎＧａＡｓＰ系材料によって形成された光導波路２、３、４、５、６が形成され、光導波路２、３、４上に電極７、８、９をそれぞれ設けている。電極７、８、９に流す電流を制御することによって光スイッチ動作及び光増幅動作を実現している。直線状の光導波路２、３と曲線状の光導波路５はＵ字型の光導波路をなしており、また、直線状の光導波路３、４と曲線上の光導波路６は別のＵ字型の光導波路をなしている。ふたつのＵ字型光導波路の組み合わせによりＷ字型の光導波路ネットワークが形成されている。 （もっと読む）

【課題】放熱性を確保し、コストを抑えつつ、全チャネルで良好な高周波特性を得ることができる多チャネル光送信モジュール及びその作製方法を提供する。
【解決手段】多チャネル光送信モジュールにおいて、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂと配線板支持板１２の厚さの差を１５μｍ以下とし、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂと配線板支持板１２をサブキャリア４Ａの同一の上面に設け、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂと配線板支持板１２の上面にフリップチップ配線板１５を配置し、フリップチップ配線板１５を配線板支持板１２の電極にバンプ１６で固定すると共に、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂの電極とフリップチップ配線板１５の電極とを各々金バンプ１４で結線した。 （もっと読む）

【課題】ＦＰＣ基板とTO-CANパッケージの接続部における特性インピーダンスを整合させて、40Gb/sのRF信号を低伝送損失・低反射損失でFPC基板からTO-CANパッケージ内部まで伝送することなどが可能な構成の光送信モジュールを提供する安。
【解決手段】TO-CANパッケージ１３と、FPC基板１２とを有し、FPC基板１２の表面に高周波信号線２６と接地電極２８が配され、TO-CANパッケージ１３に配された同軸ピン２２が記高周波信号線２６に接続され、高周波信号線２６から、同軸ピン２２を介して、TO-CANパッケージ１３の内部に配された光半導体素子に高周波電気信号を導通し、高周波信号線２６と接地電極２８との間の距離が0.1mm以上0.3mm以下である構成の光送信モジュールとする。 （もっと読む）

【課題】 発振スペクトル線幅の狭小化と、波長掃引範囲の広帯域化と、を同時に達成し得る光源装置を提供する。
【解決手段】 光を増幅させる光利得媒体と屈折率の波長分散を有する光導波路とを含んで構成される光共振器と、該光共振器内における光の強度を変調する光変調器と、を備え、該光変調器の変調周波数に応じて光パルスの発振波長が変化する光源装置であって、
前記光変調器が、前記光変調器を透過する光の透過率を調整可能であり、かつ、前記光変調器を透過する光の透過時間のデューティー比が５０％未満であることを特徴とする光源装置。 （もっと読む）

【課題】デバイスサイズの縮小、シリーズ抵抗の低減、及びリーク電流の抑制を可能とする半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、デバイス動作にとって、本来は不要な電位段差を発生させる層をデバイスの構造内にあえて挿入したものである。この電位段差は、バンドギャップの小さな半導体がメサ側面に露出しても、その部分の電位降下量を抑制し、デバイス動作に不都合なリーク電流を低減できる、という機能をもたらす。この効果は、ヘテロ構造バイポーラトランジスタ、フォトダイオード、及び電界吸収形光変調器などに共通して得られる。また、フォトダイオードにおいては、リーク電流が緩和されるのでデバイスのサイズを縮小することが可能となり、シリーズ抵抗の低減による動作速度の改善のみならず、デバイスを高密度にアレイ状に配置できるという利点も生まれる。 （もっと読む）

【課題】 小型化、動作速度の高速化、低電圧化を同時に図ることができる光変調器を、フォトニック結晶共振器にＰＩＮ構造を作製してキャリアを高速に共振器の外に引き出す。
【解決手段】本発明は、フォトニック結晶基板中に、光を閉じ込める共振器と、共振器部位を挟んで対向する２つの領域に電極領域を設け、共振器に発生させた二光子吸収キャリアを、電極領域に電界を印加して引き抜くことにより、該共振器のキャリアを、拡散によって散逸するよりも早く除去する。また、フォトニック結晶基板中で、導波路を挟んだ所定の領域に対向する２つの電極領域を設け、電極領域に挟まれた導波路中に発生させた二光子吸収キャリアを、電界印加によって拡散より早く導波路から引き抜き、除去する。 （もっと読む）

【課題】 分散チューニングによる波長掃引では共振器内の分散が必須なため、光の周回時間と変調周波数のＦＭ変調を同期させた高速波長掃引の達成が難しかった。
【解決手段】 光を増幅させる光利得媒体と屈折率の波長分散を有する光導波路とを含んで構成される光共振器と、該光共振器内における光の強度を変調する変調手段と、を備え、該変調手段の変調周波数に応じて光パルスの発振波長を掃引変化させる光源装置であって、
前記光共振器内を周回する光の前記波長分散に起因する遅延を含んだ光パルス列の時間的推移に呼応して、前記変調周波数の変化割合を推移させ、前記発振波長を掃引変化させることを特徴とする光源装置。 （もっと読む）

【課題】複数の波長変換処理を組み合わせて行う際、また波長変換処理と光変調処理とを組み合わせて行う際に、これらの組み合わせ処理を安定的に、かつ高い効率で行うことができる優れた光学性能を有する光学デバイス、当該光学デバイスを用いて所望波長のレーザ光を安定して発生するレーザ装置、および当該光学デバイスを用いて所望波長の光を被露光面に照射して露光する露光装置を提供する。
【解決手段】強誘電体基板３１では、波長変換部３１５と出射面３１１ｂとの間に空間光変調部３５が設けられ、波長変換部３１５から出力されるレーザ光を変調するとともに特定波長の０次光のみが基板に導光されてＬＳＩデータに対応するパターンが描画される。また、単一の強誘電体基板３１内で波長変換部３１４、３１５とともに空間光変調部３５が設けられている。 （もっと読む）