【課題】位相の変化を正確に検出する。
【解決手段】位相偏移変調された信号光を出射する、少なくとも一つの出射端としての端部１１ａと、端部１１ａから出射された光を回折させる回折格子本体としての格子面１２と、前記回折格子本体から出射された光を入射する、ｍ（ｍ：整数）次回折光が入射される場所以外の場所に設けられた、少なくとも一つの第１の入射端としての端部１１ｂとを備えた、位相偏移変調光受光用回折格子としての透過型回折格子１１。 （もっと読む）

【課題】時間ジッタが小さいパルスレーザ光を出力できるモード同期半導体レーザを提供すること。
【解決手段】化合物半導体からなる基板上に、ささやき回廊モード共振器が外周部を有し、該外周部の内側を光が周回するように構成した化合物半導体製のささやき回廊モード共振器と、前記ささやき回廊モード共振器に直接、もしくは間接的に接続し、光増幅利得を有する化合物半導体製の光増幅部と、前記ささやき回廊モード共振器に直接、もしくは間接的に接続し、該ささやき回廊モード共振器に光を入出力する化合物半導体製の光導波路とを有し、前記ささやき回廊モード共振器と前記光増幅部と光導波路がモノリシックに集積され、モード同期によりパルスレーザ光を発振するモード同期の手段を有する。 （もっと読む）

【課題】
バッファ層を利用することなく、瞬間的なＤＣドリフトによって発生するサージ現象を低減し、薄板化された基板の破損を防止することが可能な光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１と、該基板上に形成された光導波路４と、該光導波路に電界を印加するための制御電極２，３とを有する光導波路素子において、該基板の厚さが３０μｍ以下であり、該制御電極は信号電極２と接地電極３とを有し、少なくとも該信号電極における該基板と接触する表面部には、低誘電率層５，６が形成されていることを特徴とする。
好ましくは、該低誘電率層の厚みは、１０Å以上１０００Å以下であることを特徴とする。
さらに好ましくは、該低誘電率層は、アニール処理によって形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、光導波路の終端部での端面残留反射に起因した内部反射を低減可能な光機能デバイスを提供することにある。
【解決手段】本発明に係る半導体光機能デバイスは、基板端面を有する半導体基板と；前記半導体基板上に形成された光導波路と；前記半導体基板上において、少なくとも前記光導波路と前記基板端面との間に形成された非導波領域と；前記光導波路の周囲に形成され、前記基板端面側に前記非導波領域と接する半導体界面を有する絶縁領域とを備える。そして、前記半導体界面が前記基板端面に対して平行ではなく、所定の角度をもって形成する。 （もっと読む）

【課題】パターン依存性ジッタが少なく、波形劣化の少ない高速な光パターン信号を発生できるようにする。
【解決手段】クロック信号Ｃに同期したＮＲＺ形式の光パターン信号Ｐａを発生する光パターン信号発生器２１と、その光パターン信号Ｐａをクロック信号Ｃに同期したクロックパルスによって打ち抜いてＲＺ形式の光パターン信号Ｐｂに変換することで、パターン依存性ジッタを低減するデータ形式変換部３０とを有する光信号発生装置２０において、データ形式変換部３０を、クロック信号Ｃに同期し光パターン信号Ｐａの１ビット幅より狭い幅の光クロックパルスＰｃを発生する光クロックパルス発生器３１と、光パターン信号Ｐａと光クロックパルスＰｃとを受け、光クロックパルスＰｃが入射している間だけ光パターン信号Ｐａを通過させるＥＡ変調器３２とにより構成した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、導波路の狭メサ化及び側壁円滑化が図れる導波路の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】スラブ導波路層を有する第１の基板を用意する工程と、該第１の基板の上にシリコン酸化膜を堆積する工程と、その上に所定のパターン開口を有するマスク層を形成する工程と、該マスク層をマスクとして開口部のシリコン酸化膜及びこれに隣接するマスク層下のシリコン酸化膜の一部を除去する工程と、マスク層及びスラブ導波路層上に第１の金属及びスラブ導波路層よりエッチング選択性の小さい第２の金属との積層構造を形成する工程と、該マスク層及びシリコン酸化膜を除去する工程と、第２の金属をマスクにスラブ導波路層をパターニングしてメサ導波路とする工程と、第１の金属とともに第２の金属をリフトオフする工程とを含む導波路の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】温度調節手段を用いることなく比較的長波長帯でも長距離伝送が可能な半導体レーザモジュールを提供すること。
【解決手段】半導体レーザ部と、該半導体レーザ部の出力側に配置される電界吸収型変調部と、が形成されるレーザ素子と、該レーザ素子を内部に収容する筒状の筐体と、を含む半導体光モジュールであって、前記電界吸収型変調部は、光導波路層を含むとともに上下に電極が配置されるメサ構造と、該光導波路の両側部に隣接して配置される半絶縁半導体からなる埋め込み層と、を含み、前記埋め込み層は、鉄が不純物として添加されたインジウム燐により構成され、リン酸トリブチルを燐の原料とした埋め込み成長法により形成されたり、不純物としてルテニウムが添加されたりする。或いは、前記メサ構造の最上層は、炭素が不純物として添加された半導体により構成され、上側の前記電極に接触する。 （もっと読む）

【課題】小型で、且つ、安価に作製することができる光導波路型ＲＦ光変換器および光変調素子を提供する。
【解決手段】光導波路型ＲＦ光変換器１は、リング共振器１０および強誘電体層１３を備える。リング共振器１０は、前記光導波路に光結合するように設けられたリング状光導波路１１を含む。強誘電体層１３は、リング状光導波路１１のクラッドの一部をなすように設けられる。強誘電体層１３に外部から電界を印加すると、電界の強度に応じて強誘電体層１３の屈折率が変化するのに伴って、リング状光導波路１１の有効屈折率も変化する。有効屈折率の変化によって、リング共振器１０のフィルタ特性が短波長側または長波長側にシフトするので、光導波路型ＲＦ光変換器１を伝播する光の波長がフィルタ特性の遷移域にあれば、光の強度が変化する。このようにして、ＲＦ信号を光強度信号に変換する。 （もっと読む）

【課題】電子放射部から放射され真空中を走行する電子ビームと、３層構造の誘電体光導波路から真空中にしみ出した光およびマイクロ波との相互作用を利用して、原理的にＴＨｚ領域を含む電磁波領域において光をマイクロ波で変調し得る光変調器を提供する。
【解決手段】電子放射部１１から放射される電子ビームの走行方向に形成された誘電体導波路１２は、電子ビーム走行路側から順次積層された、第１層１２ａ、第２層１２ｂ、第３層１２ｃを含む３層以上の誘電体層および金属層１２ｄから成り、第１層１２ａの光入力端１２ｅから入力された光の一部および第３層１２ｃのマイクロ波入力端１２ｆから入力されたマイクロ波の一部と電子ビームとが交差することで光およびマイクロ波の電界成分を生じさせ、電子ビームの走行速度と、電子ビーム走行方向における光およびマイクロ波の走行速度とを一致させるように、第１層、第２層、第３層の厚さが設定されている。 （もっと読む）

【課題】光信号の増幅処理を制御光を用いて直接行うことができる光信号増幅３端子装置を提供する。
【解決手段】光信号増幅３端子装置１０においては、第１波長λ_１の第１入力光Ｌ_１と第２波長λ_２の第２入力光Ｌ_２とが入力された第１光増幅素子２６からの光から選択された第２波長λ_２の光と、第３波長λ_３の第３入力光（制御光）Ｌ_３とが第２光増幅素子３４へ入力させられるとき、その第２光増幅素子３４から出された光から選択された第３波長λ_３の出力光Ｌ_４は、前記第１波長λ_１の第１入力光Ｌ_１および／または第３波長λ_３の第３入力光Ｌ_３の強度変化に応答して変調された光であって、前記第３波長λ_３の第３入力光（制御光）Ｌ_３に対する信号増幅率が２以上の大きさの増幅信号となるので、光信号の増幅処理を制御入力光を用いて直接行うことができる光信号増幅３端子装置１０を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】アサーマル化されたアレイ導波路回折格子（ＡＷＧ）において残留する透過中心波長の温度依存性を補償した光波長合分波回路を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるＡＷＧは、その透過中心波長の主要な温度依存性が補償されている。このＡＷＧは、入出力導波路とスラブ導波路との間に、光スプリッタと、第１および第２のアーム導波路と、光モード合成カプラと、マルチモード導波路とを備える。光モード合成カプラは、第１のアーム導波路からの基本モード光を基本モードに結合させ、第２のアーム導波路からの基本モード光を１次モードに結合させる。マルチモード導波路は、基本および１次モード光が伝播可能である。このようなＡＷＧにおいて、第１および第２のアーム導波路間の光路長差を温度によって変化させることにより、アレイ導波路回折格子の残留する温度依存性を補償するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】平面導波技術を利用した波長選択スイッチを提供する。
【解決手段】本発明による波長選択スイッチは、Ｍ個の波長チャンネルの光信号の入力を受けて各波長チャンネル別に分離して光伝送線路に出力する第１波長分割多重化器と、前記第１波長分割多重化器から前記Ｍ個の波長チャンネル別に出力された光信号の経路をＮ個の出力ポートのうち何れか一つの出力ポートに変更する前記Ｍ個の光スイッチと、前記光スイッチの前記Ｎ個の出力ポートのうち一つずつ連結され、前記Ｎ個の入力された光信号を結合して出力する（Ｍ＋Ｎ−１）個の光結合器と、前記（Ｍ＋Ｎ−１）個の入力ポート及び前記Ｎ個の出力ポートを有し、前記（Ｍ＋Ｎ−１）個の前記光結合器の出力信号が各々前記入力ポートに連結され、前記入力された信号を多重化させて前記Ｎ個の出力ポートに出力する第２波長分割多重化器とを含む。 （もっと読む）

混成導波モード共鳴（ＧＭＲ）格子、光フィルタ及び光フィルタリングの方法が、分布ブラッグ反射を使用する。混成ＧＭＲ格子は、ＧＭＲ共鳴周波数を有するＧＭＲをサポートする導波路層を含む。混成ＧＭＲ格子は、混成ＧＭＲ格子の上に入射する信号の一部分を導波路層の中に結合する回折格子と、入射信号の他の部分を反射する分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）とを更に含む。入射信号の結合された部分は、ＧＭＲ共鳴周波数に相当する周波数を有する。反射された部分は、ＧＭＲ共鳴周波数から離れた周波数を有する。光フィルタは、混成ＧＭＲ格子及びカプラを含む。方法は、光信号を混成ＧＭＲ格子の中に結合し、混成ＧＭＲ格子からの反射信号を更に結合することを含む。 （もっと読む）

【課題】素子抵抗を小さくすることができ、低反射率を得ることが可能な半導体光機能素子とその製造方法および電界吸収型光変調器集積半導体レーザを提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体光機能素子１０では、所定波長の光を射出する半導体レーザ部１１と、半導体レーザ部と同一基板上に形成され、側面が所定の曲率で湾曲した逆メサ形状の光導波路１７を有する電界吸収型変調部１３と、を設けた。本発明によれば、逆メサ形状を有する導波路を形成することにより素子抵抗を小さくすることができ、かつ、逆メサ形状を有する導波路の側面が湾曲しているため、端面での反射戻り光が導波路に再入射しなくなり、反射率の低減が可能となる。 （もっと読む）

【課題】高精度な制御が可能で、テラヘルツ波を容易に変調することができるテラヘルツ波の強度変調方法およびテラヘルツ波の強度変調装置を提供する。
【解決手段】管状の導波路１３が、半導体で形成され、入射用光源１１からのテラヘルツ波を内部に伝播可能に設けられている。変調用光源１４が、導波路１３を形成する半導体のバンドギャップに相当する波長を含む光を、導波路１３の外側面に照射可能に設けられている。調整部１５が、変調用光源１４から照射される光の強度を変化可能に設けられている。導波路１３の内部にテラヘルツ波を伝播させ、変調用光源１４により、半導体のバンドギャップに相当する波長を含む光を導波路１３の外側面に照射する。調整部１５により、変調用光源１４から照射される光の強度を変化させる。 （もっと読む）

【課題】 光強度変調器や光スイッチ等を構成する屈折率制御可能なシリコン導波路において、従来技術に於いて困難であった、高速性、低電圧動作（高効率）、作製容易性を同時に満たす構造および作成方法を提供すること。
【解決手段】 基板表面（延在方向）の法線方向に接合界面を有するpn接合を複数個、導波路中に形成する。これにより、ドーピング濃度の変化が、基板に水平方向のみとなり、シリコン電子デバイスと同様の工程で作製が可能となり低コストの素子作製が可能となる。また、導波路内に二つ以上の接合界面を設け、屈折率変調領域の導波路に占める面積を増大させることにより、屈折率変調効率を増大させ、低電圧動作が可能となる。 （もっと読む）

【課題】光変調素子において、光ファイバー伝搬光と光導波路の伝搬光との間のモードフィールドの不整合による光挿入損失を低減すると共に、素子に対して温度サイクルが加わった場合にも挿入損失の増大と消光比の悪化を防止することである。
【解決手段】光変調器２４は、支持基板５、電気光学材料からなる変調用基板１１、変調用基板の一方の主面３０側に設けられている光導波路１２、および基板１１の他方の主面３１を支持基板５に接着する接着層６を備えている。基板１１が、光導波路１２に対して電圧を印加し、伝搬光を変調する高周波相互作用部１１ｃ、光導波路に対して光を入射する入射部１１ａおよび光導波路からの光を出射する出射部１１ｂを備えている。変調用基板１１の主面３０側において相互作用部１１ｃが入射部１１ａおよび出射部１１ｂから凹んでおり、相互作用部１１ｃの厚さが入射部１１ａの厚さおよび出射部１１ｂの厚さよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ系半導体材料を用いて同一の基板上に集積した半導体レーザ及び半導体光変調器であって、Ａｌ系半導体材料の酸化とサイドエッチの影響を抑制し、ＢＪ結合面の反射や散乱を抑えた半導体光集積素子を提供する。
【解決手段】同一の基板上に、Ａｌ系半導体材料からなる活性層１３を備えるレーザ部の光導波路とＡｌ系半導体材料からなる変調器層１８を備える変調器部の光導波路とをモノリシック集積した半導体光集積素子において、非Ａｌ系半導体材料からなる共通導波路層を設け、非Ａｌ系半導体材料からなる結合部を設けると共に、結合部の光導波路のリッジ幅を、レーザ部及び変調器部の光導波路のリッジ幅より大きくし、更に、活性層１３と結合部の半導体層２３及び変調器層１８と結合部の半導体層２３の結合面を、導波路方向に直交する方向に対して傾斜させる。 （もっと読む）

【課題】反射率ピークの波長依存性が小さい回折格子デバイスを提供する。
【解決手段】回折格子デバイス１ａでは、回折格子構造９は、光導波路コア７と基板３との間に設けられている。第１のクラッド領域１７ａ及び領域１５は、回折格子のための接合１０ａを形成する。積層構造５は第３の層１１ａを含み、第３の層１１ａは、光導波路コア７と回折格子構造９との間に位置する。また、第３の層１１ａは第２のエリア３ｃ上において回折格子構造９上に設けられている。第３の層１１ａは、領域１５の屈折率と異なる第３の屈折率ｎ３を有する。第２の部分５ｃでは第３の層１１ａが光導波路コア７と第１のクラッド領域１７ａの間にあり、第１の部分５ｂでは光導波路コア７は回折格子構造９の領域１５に隣接している。このため、第３の層１１ａの屈折率及び光導波路コア７の屈折率からなる周期的な屈折率変化が光導波路コア７に沿って形成される。 （もっと読む）

【課題】立ち上り時のリンギングを抑圧し且つ光スイッチングの高速化を図った光スイッチ駆動回路を実現する。
【解決手段】制御信号(CONT)に応答して半導体光増幅型ゲートスイッチ(GSW)を高速駆動するためのON/OFF信号を発生する高速駆動部(11)と、該ON/OFF信号の出力端子と該半導体光増幅型ゲートスイッチ(GSW)との間に接続された高入力インピーダンスの高速バッファ部(12)と、を備える。上記の高速バッファ部(12)は、該出力端子に接続された高抵抗の分圧回路と、該分圧回路の分圧電圧をバッファリングして該半導体光増幅型ゲートスイッチに与える高速オペアンプ(OP4)とで構成でき、上記の高速駆動部(11)は、直流電圧を出力する高速オペアンプ(OP1)と、該制御信号(CONT)を受けて該高速オペアンプ(OP1)の出力をON/OFF制御して該出力端子に与えるスイッチング回路とで構成できる。 （もっと読む）