【課題】配線抵抗の増加やスイッチング素子の駆動能力の低下を伴うことなく、走査配線と信号配線との交差部に形成される容量を低減することが可能なアクティブマトリクス基板およびそれを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】本発明によるアクティブマトリクス基板は、基板１０と、基板１０上に形成された信号配線１１と、信号配線１１に交差する走査配線１３と、走査配線１３に印加される信号に応答して動作するボトムゲート型の薄膜トランジスタ１４と、薄膜トランジスタ１４を介して信号配線１１に電気的に接続され得る画素電極１５とを備えている。信号配線１１は、第１の層間絶縁膜１２を介して走査配線１３の下層に形成されており、第１の層間絶縁膜１２に形成されたコンタクトホール１２’を介して薄膜トランジスタ１４のソース電極１４Ｓに電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】側壁保護膜を利用したリフトオフ法を利用してソース・ドレイン電極およびそれを分離するチャネル開口部を形成することで、狭いゲート長を形成することを可能とする。
【解決手段】基板１１上に形成されたゲート電極１２と、ゲート電極１２を被覆するように基板１１上に形成されたゲート絶縁膜１３と、ゲート絶縁膜１３上に形成されたもので、線状のチャネル開口部２７により分割されたソース・ドレイン電極１４、１５と、チャネル開口部２３を埋め込むようにソース・ドレイン電極１４、１５上に形成されたチャネル層１７とを備えた薄膜型電界効果トランジスタ１である。
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【課題】
開口率が高いアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】
本発明に係るアクティブマトリクス基板１は、容量形成用のトレンチ６４を有する容量形成部ａ表面に形成された基板６０と、基板６０の容量形成部ａ以外の部分の上に設けられ、ゲート絶縁層４１を有するＴＦＴ４０と、基板６０の容量形成部ａの上に設けられ、誘電層５１を有する補助容量素子５０と、を有し、誘電層５１とゲート絶縁層４１とは、同一膜で形成されており、誘電層５１の層厚はゲート絶縁層５１の層厚よりも薄いものである。 （もっと読む）

【課題】 配線パターンを形成する際のプロセスタイムを短縮する。
【解決手段】 撥液性を有する基板Ｐ上に配線パターンを形成する配線パターン形成方法であって、液滴吐出法によって親液性材料Ｘ２を上記基板上に吐出配置することによって親液領域Ｈ１を形成する工程と、上記親液領域上に導電性微粒子を含む機能液を配置し乾燥、焼成させることによって上記配線パターンを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 長時間の駆動に対しても信頼性の高い表示装置用駆動回路を提供する。
【解決手段】 互いに接続され、順次に出力信号をそれぞれ生成する複数のステージを有する表示装置用駆動回路であって、前記各ステージは、複数のトランジスタを有し、前記各トランジスタは、制御電極と、前記制御電極上に形成される第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に形成される半導体層と、前記半導体層上に少なくとも一部分が形成される入力電極と、前記半導体層上に少なくとも一部分が形成される出力電極と、前記入力電極及び出力電極上に形成される第２絶縁膜とを備え、前記半導体層と前記第１絶縁膜の厚さとの比が、０．３〜１．５である。 （もっと読む）

【課題】 柱状スペーサの滑りによる光漏れ現象を防止することができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 第１部分及びこれより低い第２部分を有する薄膜トランジスタ表示板１００と、対向表示板２００と、柱状スペーサ３２０と液晶層３と、からなる。柱状スペーサ３２０は、薄膜トランジスタ表示板１００上において、他に比べて比較的に低く且つ平坦な部分（第２部分）に位置する。柱状スペーサ３２０の接触部は、表示板１００、２００に加えられた圧力または衝撃によって滑って、再び元の位置に容易に戻り、復元される。 （もっと読む）

【課題】 ピクセル口径比（開口率）を増大し、静電容量性クロストークを減少させたＴＦＴアレイ、およびそのＴＦＴアレイを有するアクティブ・マトリックス方式の液晶ディスプレイ、および製造方法を提供すること。
【解決手段】 複数のコンタクト・バイアス３５あるいは開口部を有するフォトイメージ形成型絶縁層をアドレス線５、７とピクセル電極３間に設け、両者を重複可能とする。この絶縁層により静電容量性クロストークを減少し、かつピクセル開口率を増加させる。望ましい一実施例では、クロストークを減少するために絶縁層の誘電率は約３．０未満である。 （もっと読む）

【課題】正面と側面との色感差がほとんどなく、高い透過率を実現する。
【解決手段】各画素は、ゲート線及びデータ線１７１に接続されている複数の薄膜トランジスタ（ソース電極１７３、ドレイン電極１７５）、並びに該薄膜トランジスタと接続されている第１副画素電極１９０ａ及び該第１副画素電極と容量性結合されている第２副画素電極１９０ｂを有する。画素は赤色画素Ｒ、緑色画素Ｇ、青色画素Ｂを有し、正面から見た場合の赤色、緑色、青色成分の階調に対する輝度の比率と側面から見た場合の赤色、緑色、青色成分の階調に対する輝度の比率が同一になるように、第１副画素電極に印加される電圧に対する第２副画素電極に印加される電圧の比率または面積の比率を赤色画素、緑色画素、青色画素で互いに異ならせる。 （もっと読む）

トランジスタ構造の少なくとも一部分が実質的に透明であるエンハンスメント・モード電界効果トランジスタである。該トランジスタの一変形形態は、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２及びＩｎ_２Ｏ_３から選択された実質的に絶縁性で実質的に透明な材料から構成されるチャネル層を含む。実質的に透明な材料から構成されるゲート絶縁体層は、チャネル層／ゲート絶縁体層境界面を形成するようにチャネル層に隣接して配置される。該トランジスタの第２の変形形態は、アニーリングにより生成される実質的に絶縁性のＺｎＯ、ＳｎＯ_２及びＩｎ_２Ｏ_３から選択される実質的に透明な材料から構成されるチャネル層を含む。該トランジスタを含む装置、及び該トランジスタを作る方法も開示されている。
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【課題】薄膜トランジスタ表示板の製造工程を単純化する。また、薄膜トランジスタ表示板の生産費用及び生産時間を節減する薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１配線を形成する段階と、前記第１配線上に第１絶縁膜及び半導体層を順次積層する段階と、一回のフォトリソグラフィ工程で前記半導体層及び前記第１絶縁膜を異なる形状にパターニングする段階と、第２配線を形成する段階とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、視野角及び画質を向上させることができる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は液晶表示装置に係り特に、ＣＯＴ（ｃｏｌｏｒｆｉｌｔｅｒ ｏｎ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）構造の液晶表示装置及びその製造方法に関する。
本発明は、基板上に相互に交差して画素領域を定義するゲート配線及びデータ配線と；ゲート配線及びデータ配線に連結される薄膜トランジスタと；画素領域に位置するカラーフィルターパターンと；画素領域に位置してカラーフィルターパターン上部に位置して、透明層と不透明層と低反射層を含む第１積層構造を有する画素電極を含む液晶表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタ特性を安定的に確保できる有機半導体薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の一特徴による薄膜トランジスタ表示板の製造方法は、基板上にゲート線を形成する段階、前記ゲート線上にゲート絶縁膜を形成する段階、前記ゲート絶縁膜上にデータ線及びドレイン電極を形成する段階、有機半導体を形成する段階、前記有機半導体を完全に覆う保護部材を形成する段階、前記保護部材、前記データ線、及び前記ドレイン電極の上に、前記ドレイン電極を少なくとも一部露出する接触孔を有する保護膜を形成する段階、並びに前記接触孔を通じて前記ドレイン電極と接続される画素電極を前記保護膜上に形成する段階を含む。 （もっと読む）

本発明は、単結晶シリコン半導体を回路駆動部及び画素アレイの製造に用いる可撓性を有する高解像度液晶表示装置などの可撓性電気光学装置及びその製造方法に関する。本発明による可撓性電気光学装置は、可撓性単結晶層の上に電子素子が形成される素子層を備える可撓性下部基板部と、前記下部基板部に組み付けられた可撓性上部基板部と、前記下部基板部と前記上部基板部との間に配設された電気光学的物質層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧の絶対値を低く抑えながら、オフリーク電流を低下させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎチャネル型ＴＦＴ形成予定領域内のｐｏｌｙ−Ｓｉ層４にリンを注入することにより、ｎ^＋領域８を形成した後、Ｐチャネル型ＴＦＴ形成予定領域にのみ開口部が存在するレジストマスク９を用いて、ボロンのイオン注入を行うことにより、Ｐチャネル型ＴＦＴのソース・ドレイン領域となるｐ^＋領域１０を形成する。次に、レジストマスク９を残存させたまま、水素注入を行うことにより、Ｐチャネル型ＴＦＴ形成予定領域内において、チャネル領域（ｐｏｌｙ−Ｓｉ層４）及びソース・ドレイン領域（ｐ^＋領域１０）の水素化処理を行う。このような方法によれば、Ｎチャネル型ＴＦＴに対する水素化処理が行われないため、Ｎチャネル型ＴＦＴにおける不要な閾値電圧の遷移が防止され、オフリーク電流の上昇を回避することができる。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタアレイだけに突出部とスリットとを形成されたマルチドメイン垂直配向型液晶ディスプレイを提供することである。
【解決手段】 複数の薄膜トランジスタと複数の突出部と複数の画素電極とを有する第１の基板と、第２の基板と、第１の基板と第２の基板との間に配設された液晶層とを少なくとも備え、前記突出部上に形成された画素電極は複数のスリットを有し、第１の基板は突出部及びスリット上に平坦化された誘電体層を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法と液晶表示装置及びその製造方法とエレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法に関するものであり、均一性と性能に優れた薄膜トランジスタ及びその製造方法を生産性が高く低コストで提供することを目的とする。
【解決手段】 ゲート電極側面に側壁を形成することによって、自己整合的にＬＤＤまたはオフセット領域を形成し、また、層間絶縁膜を複数の層で形成し、これら複数の層間絶縁膜上にソース・ドレイン電極とソースバス配線と画素電極を一括して形成する。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタの製造方法に関し、ＬＤＤ領域の抵抗を許容レベルにまで下げるとともにＴＦＴしきい値電圧のシフトを防ぐことを目的とする。
【解決手段】 絶縁性基板上に多結晶Ｓｉを形成する工程と、該多結晶Ｓｉ上にゲート絶縁膜を形成する工程と、該ゲート絶縁膜上に下層ゲート電極と該下層ゲート電極より幅の狭い上層ゲート電極から成る２層ゲート電極を形成する工程と、該２層ゲート電極をマスクにして３属あるいは５属元素から成る不純物をイオン注入する工程と、熱処理する工程と、該２層ゲート電極をマスクにして水素をイオン注入する工程を含むように構成する。 （もっと読む）

【課題】斜めからの入射光１１０、及び入射光１１０が乱反射を起こすことにより間接的に入射する光についても、遮光可能な薄膜トランジスタの構造及びその構造を工程数を増やすことなく簡易なプロセスで製造可能な製造方法を提供する。
【解決手段】 活性層となるｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１０４の両側のそれぞれにおいて、ゲート絶縁ＳｉＯ２膜１０５及び下地ＳｉＯ２膜１０３を遮光ＷＳｉ２膜１０２が露出するまで選択的異方性エッチングし、コンタクト開口部１０６を形成する。その後、ゲートＷＳｉ２層１０７をスパッタ成膜し、さらに、フォトレジスト１０８をマスクとしてドライエッチングを実施し、ゲートＷＳｉ２電極１１１とＷＳｉ２からなるサイドウォール１０９を同時に形成する。これにより、サイドウォール１０９の下端を遮光ＷＳｉ２膜１０２に接触させ上端をゲート絶縁ＳｉＯ２膜１０５上面とほぼ同一高さに位置させる。 （もっと読む）

【課題】 付加容量の容量値のバラツキが小さく、表示品位の優れた液晶表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の液晶表示装置の付加容量１０は、絶縁性基板１１上に形成された第１導電層１２と、第１導電層１２上に形成され、第１導電層１２の一部を露出する開口部１４を有する第１絶縁層１３と、少なくとも開口部１４内に位置する第１導電層１２上に形成された第２導電層１７ａと、第２導電層１７ａを覆う第２絶縁層１８と、少なくとも開口部１４内に位置する第２絶縁層１８を覆う、第３導電層１９ａとから形成されている。 （もっと読む）