【課題】酸化物半導体層のバックチャネル部を半導体層成膜後の薄膜トランジスタ作製工程によるダメージから保護し、良好なトランジスタ特性を得ると共に、薄膜トランジスタ作製の工程数を削減することである。
【解決手段】基板１と、基板１上に設けられたゲート電極２と、基板１上に設けられ、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３上に設けられ、アモルファス酸化物からなる半導体層４と、半導体層４上に設けられた保護膜５と、ゲート絶縁膜３上に設けられたソース電極６、及びドレイン電極７と、を備え、保護膜５を、金属材料の化成処理、又は陽極酸化によって形成する。 （もっと読む）

【課題】信号線駆動回路が有するスイッチ回路を画素部と同じ基板上に配置する構成において、スイッチ回路を構成するトランジスタサイズを縮小し、データを供給することによる信号線の充放電を行う際の回路内の負荷を削減する
【解決手段】映像信号が入力される画素部と、映像信号の画素部への出力を制御するためのスイッチ回路部を有する信号線駆動回路を有し、スイッチ回路部は、絶縁基板上において、電界効果移動度が少なくとも８０ｃｍ^２／Ｖｓ以上であるトランジスタを有し、トランジスタは、酸化物半導体層を有する。 （もっと読む）

【課題】さらなる低温プロセス（３５０℃以下、好ましくは３００℃以下）を実現し、安価な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、結晶構造を有する半導体層１０３を形成した後、イオンドーピング法を用いて結晶質を有する半導体層１０３の一部にｎ型不純物元素及び水素元素を同時に添加して不純物領域１０７（非晶質構造を有する領域）を形成した後、１００〜３００℃の加熱処理を行うことにより、低抵抗、且つ非晶質な不純物領域１０８を形成し、非晶質な領域のままでＴＦＴのソース領域またはドレイン領域とする。 （もっと読む）

【課題】半導体アイランドとソース・ドレイン電極を１回の露光工程で形成し、かつ画質の劣化につながる光リーク電流を抑制する。
【解決手段】半導体アイランドＩＬは、ゲート線ＧＬ上方の領域からはみ出さないように形成される。半導体アイランドＩＬとソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは１回の露光工程で形成されたものである。ドレイン線ＤＬはドレイン接続線ＤＪを介してゲート線ＧＬ上方の領域に形成されたコンタクトホールＤＣを通してドレイン電極ＤＥと電気的に接続しており、画素電極ＰＥは画素電極接続線ＰＪを介してゲート線ＧＬ上方の領域に形成されたコンタクトホールＳＣを通してソース電極ＳＥに電気的に接続している。ドレイン線ＤＬ及びドレイン接続線ＤＪは透明導電膜９と低抵抗導電膜１０の積層構造からなり、画素電極接続線ＰＪは透明導電膜９からなる。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物からなる半導体層にダメージを与えず、また、オフ電流の小さい薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物からなる半導体層を備え、ゲート電極から見てソース領域又はドレイン領域の手前側にソース電極又はドレイン電極が形成されてなるボトムゲート型薄膜トランジスタを構成する。このような構造を持つ薄膜トランジスタではドレイン電極等の金属層のエッチングによって半導体層がダメージを受けることはない。また、裏面照射によって紫外線の照射された半導体層部分を高導電率化するものであるため、半導体層へのダメージが生じないため信頼性が向上する。また、ソース電極又はドレイン電極によって紫外線が遮光された半導体層の領域は照射前の導電率と同じとなるため、オフ電流の値を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物からなる半導体層の高導電率化工程やソース電極及びドレイン電極のエッチング工程において、半導体層にダメージを与えないような薄膜トランジスタ及びこれを用いた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物からなる半導体層を備え、ゲート電極から見てソース領域又はドレイン領域の向こう側にソース電極又はドレイン電極が形成されてなるトップゲート型薄膜トランジスタを構成する。このような構造を持つ薄膜トランジスタではドレイン電極等の金属層のエッチングによって半導体層がダメージを受けることはない。また、紫外線の表面照射によって照射された半導体層部分を高導電率化するため、半導体層へのダメージが生じない。従って、高導電率化工程及びエッチング工程のいずれにおいても半導体層はダメージを受けることがないため信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の滅点欠陥、輝点欠陥又は配線の断線等による表示欠陥を余分な工程を追加することなくリペアするとともに、リペアによって開口率の低下及び長期的信頼性が失われることのないようなリペア方法を提供する。
【解決手段】走査線又は信号線の上に、あらかじめこれらの配線と導通するリペア電極を形成しておき、欠陥を発見した場合には、これらのリペア電極から画素電極又は他のリペア電極に導電性の接続パターンを形成することにより、表示欠陥をリペアする。リペア電極はＴＦＴの製造工程のなかで形成でき、接続パターンとともにブラックマトリックスの下に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ＲＧＢ方式やＲＧＢＣ方式よりも明るく、ＣＭＹ方式よりも原色に近い表示ができる画像表示装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】１画素が、レッド（Ｒ）、グリーン（Ｇ）、ブルー（Ｂ）のうちの２色と、レッド（Ｒ）、グリーン（Ｇ）、ブルー（Ｂ）のうちの２色の補色との計４色のサブピクセルからなり、基板と、基板上に形成されたカラーフィルタと、カラーフィルタ上に形成された薄膜トランジスタアレイと、薄膜トランジスタアレイ上に形成された表示媒体と、表示媒体上に形成された対向電極と、を備える画像表示装置であって、画像表示装置が反射型表示装置または半透過型表示装置であることを特徴とする画像表示装置。 （もっと読む）

【課題】 液晶表示パネルを製造するときに、走査信号線などのパターンの高精細化を容易にする。
【解決手段】 絶縁基板の表面上に走査信号線、映像信号線、ＴＦＴ素子、および画素電極を形成する過程で、感光性材料膜を露光、現像する露光／現像工程を複数回行う表示装置の製造方法であって、１つの前記感光性材料膜に対する露光は、複数の段階に分けて行い、１つの前記感光性材料膜に対する前記複数の段階の露光は、連続する２つの段階の露光の間に、前記感光性材料膜のうちの前記露光する領域の位置を、露光時に使用するレイアウトデータにおける単位領域の寸法よりも短い距離だけ移動させるステップを挟み、１つの前記感光性材料膜に対するそれぞれの段階での露光は、前記単位領域の前記感光性材料膜全体の感光に要する露光量を前記段階の数で除した値と概ね一致する露光量で行う表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 １つの領域を複数の露光領域に分割して露光するステップを複数回行って製造したＴＦＴ基板を有する液晶表示装置における画質むらの発生を抑制する。
【解決手段】 絶縁基板の表面のうちのあらかじめ定められた１つの領域に対して、成膜された感光性材料の膜を露光するステップおよび露光した前記感光性材料の膜を現像するステップを有する露光／現像工程を複数回行う表示装置の製造方法であって、それぞれの前記露光するステップは、前記１つの領域を、互いに重畳する部分がなく、かつ、他の前記露光するステップのうちの少なくとも１回の前記露光するステップにおける前記露光領域の境界線と一致しない境界線により複数の露光領域に分割し、それぞれの露光領域を個別に露光することで前記１つの領域全体を露光する表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板の作製において、貼り合わせる面に段差がある場合には、貼り合わせた際に、その段差により反対側の基板が撓み、接触面積が小さくなってしまい、所望の形状のＳＯＩ層が得られない場合がある。ＳＯＩ基板の貼り合わせる面に段差がある場合でも所望の形状のＳＯＩ基板を得ることを目的とする。
【解決手段】貼り合わせる面の段差の間に、所定の間隔でダミーパターン３０２を形成することにより、貼り合わせる基板の撓みが少なくなり、基板同士の密着性が確保され、所望のＳＯＩ層が得られるものである。 （もっと読む）

【課題】 レーザリペア装置に代表されるこの種のレーザ転写装置において、転写材料の薄膜と転写対象物との距離を常にミクロンオーダー（例えば、５〜２０μｍ）に維持することが可能なレーザ転写装置の転写ヘッドを提供する。
【解決手段】 下面には転写板が保持され、かつ上面側へと転写板を露出させる転写窓が開口された転写板ホルダと、前記転写板ホルダ収容用の空所を有すると共に、水平方向及び垂直方向における位置基準を与える転写ヘッド機体と、前記転写ヘッド機体の転写板ホルダ収容用の空所内に収容された転写板ホルダを、前記転写ヘッド機体に対して上下動可能かつ水平動不能に支持するホルダ支持機構と、前記転写板ホルダの下方へと圧気を噴射することにより、前記被転写面に対して前記転写板を前記転写板ホルダごと浮上させる転写板浮上手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】導電性に優れるとともに、透明性が良好な導電体を提供する。
【解決手段】Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ａｓ、Ｓｂ、Ａｌ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｗ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｐ及びＢｉからなる群から選ばれる１又は２以上のドーパントが添加された酸化チタンからなる前駆体層１２’を、基板１１上に形成する工程と、前駆体層１２’を還元雰囲気下でアニールして金属酸化物層１２を形成する工程を有することを特徴とする導電体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】光吸収層を形成し、光吸収層上に絶縁層を形成し、光吸収層及び絶縁層に選択的にレーザ光を照射し、光吸収層の照射領域及び絶縁層の照射領域を除去し光吸収層及び絶縁層に開口を形成し、開口に光吸収層と接するように導電膜を形成する。露出した光吸収層と接するように開口に導電膜を形成することによって、光吸収層及び導電膜は絶縁層を介して電気的に接続することができる。 （もっと読む）

【課題】より簡単な構造で、安価でしかも信頼性の高い紫外線硬化型樹脂を硬化させる装置を提供する。
【解決手段】表示パネル１０の端子部１１ａに取り付けられたクリップ型端子２１のクリップ部２３に塗布された紫外線硬化型樹脂１４を硬化させる表示素子の製造装置において、表示パネルを保持する保持手段２と、紫外線を照射する紫外線照射手段３と、紫外線照射手段から照射された紫外線の一部を表示パネルの端子部に向けて反射する反射手段４とを有する。 （もっと読む）

【課題】一枚のフォトマスクによって設計通りの反射電極を形成し得る液晶表示パネルの製造方法、及びそれに用いるフォトマスクを提供する。
【解決手段】感光性樹脂によって形成された樹脂層に、フォトマスク２０を用いて、露光機による露光を行う。フォトマスク２０は、樹脂層にそれを貫通する貫通孔を形成するための第１のパターン２６と、樹脂層に凹部又は凸部を形成するための複数の第２のパターン２３〜２５とを備えている。複数の第２のパターン２３〜２５は、隣接する第２のパターンの一方の中心と他方の中心との距離（パターンピッチ）Ｐｔ₁〜Ｐｔ₆が露光機の解像度Ｒ以下となるように配置される。 （もっと読む）

【課題】白画素を設ける必要がなく、上下左右方向に視野角調整を行うことのできるＦＦＳ方式の液晶表示装置を得る。
【解決手段】画素の集合からなる表示画面を有するＦＦＳ方式の液晶表示装置であって、１つの画素のそれぞれは、液晶分子が傾くように配向制御された表示制御領域１０と、上下方位あるいは左右方位に液晶分子が傾くように配向制御され、表示制御領域１０のコモン線とは独立した視野角制御線３０を介して制御電圧が印加される視野角制御領域２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】レーザＣＶＤを用いた配線修正において、表示欠陥を低減し、信頼性を向上させることができる断線修正方法及びアクティブマトリックス基板の製造方法並びに表示装置の提供。
【解決手段】複数の走査信号配線２と複数のデータ信号配線７とが交差するように設けられ、走査信号配線２とデータ信号配線７との各交点近傍にスイッチング素子が配設されたアクティブマトリックス基板の製造に際して、任意の配線に断線が発生した場合に、断線欠陥部１１にレーザＣＶＤにより選択的に導電膜１３を形成した後、少なくとも導電膜の周辺１４にレーザ光を照射するなどによって導電膜の周辺１４に残存する導電性の微粒子を除去して導電膜１３と他の配線との間のリーク電流や寄生容量の発生を抑制する。またレーザＣＶＤにより導電膜１３を形成する前に少なくとも導電膜形成領域にレーザ光を照射して下地膜との密着性を改善する。 （もっと読む）

【課題】充分な遮光性を有する一方、光を照射することで充分に硬化させることができるため、滴下工法により製造した場合であっても、光の漏れ出しがなく高いコントラストを有し、優れた画像表示品質を有する液晶表示素子を実現することができる液晶滴下工法用遮光シール剤、上下導通材料及び液晶表示素子を提供する。
【解決手段】環状エーテル基を有する硬化性化合物、光カチオン開始剤、及び、遮光性着色剤を含有する液晶滴下工法用遮光シール剤。 （もっと読む）

【課題】本発明は工程を単純化できる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の液晶表示装置は、基板上に形成されたゲートラインと、前記ゲートラインとゲート絶縁膜を挟んで交差されて画素領域を定義するデータラインと、前記ゲートライン及びデータラインと接続した薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのチャネルを形成し、前記データラインに沿って重畳された半導体パターンと、前記データライン及び薄膜トランジスタを覆うエッチング率が互いに異なる二重層構造の復層保護膜と、前記画素領域で前記復層保護膜の中、上部保護膜を貫通する画素ホール内に形成され、ドレインコンタクトホールを通じて露出した前記薄膜トランジスタのドレイン電極と接続した画素電極を備え、前記画素電極は前記画素ホールを覆う上部保護膜の側面と境界をなして形成されることを特徴とする。 （もっと読む）