【課題】任意の領域のプラズマ密度を自在に可変して、グローバルローディングを低減したエッチング処理ができるドライエッチング装置、ドライエッチング方法、フォトマスク製造装置及びフォトマスク製造方法を提供する。
【解決手段】ドライエッチング装置２０は、被エッチング材料をエッチングするドライエッチング装置である。演算機構３４は、被エッチング材料のパターンデータを記憶してパターン密度を算出する。また、マグネット３０などによって構成されるプラズマ制御機構は、エッチング処理の際に被エッチング材料のプラズマ密度を変更する。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光及び検査光において吸収体層での反射率を低減でき、ＥＵＶ光および検査光の両方において高コントラストな反射型フォトマスクを提供する。
【解決手段】基板１と基板１上に形成された反射体層２と、反射体層２上に形成された吸収体層３を持つＥＵＶマスクブランクにおいて、吸収体層３の表面に所定の大小二つの表面粗さの凹凸４を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明のマスクの製造方法によれば、プロセスマージンの広いばらつきの小さな加工用マスクを提供することが出来る。
【解決手段】
本発明のマスクの製造方法は、基板上に芯材パターンを形成する工程と、前記芯材パターンの上面及び側面を覆うように第１材料を含む第１の膜を形成する工程と、前記第１の膜上に第２の材料を含む第２の膜を形成する工程と、前記芯材パターンの側面に前記第１の膜及び前記第２の膜を含む側壁層が形成され、かつ前記側壁層以外の前記第１の膜及び前記第２の膜が除去されるように、前記第１の膜及び前記第２の膜を異方性エッチングする工程と、前記側壁層の前記第１の膜を等方性エッチングする工程と、前記芯材パターンを除去する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、一つの半透過物質を用いて多重半透過部を形成できるハーフトーンマスクの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るハーフトーンマスクの製造方法は、基板（１０２）上に半透過物質（１１０）を形成する段階と、前記半透過物質をプラズマ表面処理して前記半透過物質の透過率を調節することによって、前記半透過物質と異なる透過率を有する半透過物質が少なくとも１つ形成された半透過領域（S3,S4,S5）を形成する段階と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上へのパーティクルの付着を効果的に防止することが可能なプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】高周波電圧が印加され、その上面に沿って処理対象基板が配置されるものであって、傾斜した側面を有する電極１０と、電極１０の側面に沿って設けられた電極カバー２０とを備える。 （もっと読む）

【解決手段】透明基板上に１又は２以上の層で構成された膜が形成され、該膜の最表層がクロム系材料からなり、更に、該最表層上にドライエッチング用のエッチングマスク膜が設けられたフォトマスクブランクであって、上記エッチングマスク膜が、加水分解性シラン化合物の加水分解・縮合物、架橋促進剤化合物、及び有機溶剤を含む酸化ケイ素系材料膜形成用組成物を用いて成膜した膜厚１〜１０ｎｍの酸化ケイ素系材料膜であるフォトマスクブランク。
【効果】本発明のフォトマスクブランクのエッチングマスク膜は、塩素系ドライエッチングに対して高いエッチング耐性をもち、このエッチングマスク膜を用いてフォトマスクブランクを加工することにより、塩素系ドライエッチングであっても、薄いエッチングマスク膜で高精度の加工が可能である。 （もっと読む）

【課題】極紫外線フォトマスク、フォトマスクの製造方法、及びプラズマエッチングチャンバシステムを提供する。
【解決手段】極紫外線フォトマスク、フォトマスクの製造方法、及びプラズマエッチングチャンバシステム装置が提供される。極紫外線フォトマスクの製造方法は、フォトマスク基板１０上に上部膜を形成した後、上部膜をパターニングして傾いた側壁を有する上部パターン４５を形成する段階を含む。上部膜をパターニングする段階は、上部膜の上部面に傾いた第１方向に平行に運動する荷電された粒子を使用して、上部膜を異方性エッチングする段階を含む。 （もっと読む）

【解決手段】内部にドライエッチング領域が形成されるチャンバーと、チャンバー内部に配設された電極と、チャンバー外部に配設されたコイルとを備えるドライエッチング装置を用いてドライエッチングした後、コイルに印加する電力に対する電極に印加する電力の比を、ドライエッチング時と同じ又は大きくして、電極とコイルとに電力を印加してプラズマを発生させて、チャンバー内をクリーニングし、更に、コイルに印加する電力に対する電極に印加する電力の比を、ドライエッチング時より小さくして、電極とコイルとに電力を印加してプラズマを発生させて、チャンバー内をクリーニングする。
【効果】本発明のクリーニング方法は、膜のドライエッチングによりドライエッチング装置のチャンバー内壁に付着した金属化合物などを簡易な方法によって、効率的、かつ確実に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】多層反射膜上に設けられるバッファ膜へのパターン形成時の環境に対する耐性に優れ、しかも洗浄時等における耐薬品性に優れた保護膜を多層反射膜上に備えた反射型マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】反射型マスク２０の製造方法は、基板１と、該基板上に順次形成された、露光光を反射する多層反射膜２と、多層反射膜２上の保護膜６と、バッファ膜３と、露光光を吸収する吸収体膜４とを有する反射型マスクブランク１０を使用する。保護膜６は、ＲｕとＮｂとを含有するＲｕ化合物からなる。本製造方法は、バッファ膜３を酸素含有エッチングガスによりドライエッチングしてバッファ膜パターンを形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】露光によるフォトマスクの劣化を防ぐ為に、遮光膜の酸化を制御して、フォトマスクを長寿命化することができるフォトマスクの製造方法及びフォトマスクを提供すること。
【解決手段】基板を準備し、基板上に遮光膜を形成し、遮光膜の表面を窒化処理し、窒化処理によって、窒化クロム、窒化チタンクロム、窒化チタンタングステン、窒化ジリコニウム、窒化アルミニウムのいずれかを形成し、窒化処理がプラズマ軟窒化法、ガス酸窒化法、イオンビームスパッタリング法、アークイオンプレーティング法のいずれかを用いることを特徴とするフォトマスクの製造方法。 （もっと読む）

【解決手段】透明基板上に、他の膜を介して又は介さずに１層又は２層以上の遮光膜が形成され、更に反射防止膜が積層されたバイナリーマスクブランクであって、前記遮光膜を構成する層の少なくとも１層が主成分としてケイ素と遷移金属とを含み、かつケイ素と遷移金属とのモル比がケイ素：金属＝４〜１５：１（原子比）であり、露光光に対する光学濃度が、遮光膜と反射防止膜とを合わせて２．５以上であることを特徴とするフォトマスクブランク。
【効果】高い遮光性と化学的安定性が確保された遮光膜を有するものとなり、反射防止膜を更に積層した場合にあっても、エッチング時にレジストに与えるダメージの小さなエッチング条件又はエッチング時間で加工することができることから、レジストを比較的薄く形成でき、これによってレジスト膜のアスペクト比を大きくすることによる諸問題を回避でき、より高精度のフォトマスクパターン形成が可能となる。 （もっと読む）

【課題】２．０μｍ以上のパーティクルが発生した場合に、パーティクル（異物）の発生を停止させることのできるチャンバー（エッチング処理室）のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】チャンバークリーニングの前半はＣｌ₂ を用いたＣｌ₂ クリーニングであり、後半はＯ₂ を用いたＯ₂ クリーニングであり、該Ｃｌ₂ クリーニングと該Ｏ₂ クリーニングとの間に真空引きを行うこと。前記Ｃｌ₂ クリーニングの処理時間内に、複数回の真空引きを行うこと。 （もっと読む）

【課題】吸収層５６のパターンを精度よく加工することが可能な、ＥＵＶＬマスク５０の加工方法を提供する。
【解決手段】ＥＵＶＬマスク５０における吸収層５６に、フッ化キセノンガス７１を供給しつつイオンビーム２０Ａを照射して、吸収層５６の黒欠陥６０をエッチングするエッチング工程を有するＥＵＶＬマスクの加工方法であって、エッチング工程の後に、吸収層５６に酸化剤ガス７２を供給する酸化剤供給工程を有し、エッチング工程と酸化剤供給工程とを交互に複数回実施することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＭＦＣ内に設けられている機器の異常を検出することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ＭＦＣ２４１の上流側には、不活性ガスを供給する不活性ガス供給ライン３０８、不活性ガスの供給を遮断する第１遮断バルブ３００、処理ガスを供給する処理ガス供給ライン３１０及び処理ガスの供給を遮断する第２遮断バルブ３０２が設けられ、ＭＦＣ２４１の下流側には、処理室２０１に接続されるガス供給管２３２、ガス供給管２３２への供給を遮断する第３遮断バルブ３０４、排気可能な排気ベントライン３１８及び排気ベントライン３１８への供給を遮断する第４遮断バルブ３０６が設けられている。主制御部は、これらの遮断バルブが閉じられた状態でＭＦＣ２４１が閉状態から開状態に移行した結果、当該移行時間が予め設定された時間を超えている場合、ＭＦＣ２４１は異常であると判定する。 （もっと読む）

【課題】 反射パターン形成による表面平坦度の劣化や静電チャック時の表面平坦度劣化を抑制することができ、ＥＵＶ露光などの露光精度の向上に寄与する。
【解決手段】 光反射型マスクの作製方法であって、表面側に反射型のマスクパターンが形成され、裏面側に静電チャックのための導電性膜が形成された基板に対し、表面側の平坦度を測定し（Ｓ３）、測定された平坦度に基づき、該平坦度が所望の値となるように、導電性膜を選択的に除去して開口を形成し（Ｓ５）、導電性膜の開口率をマスク面内で変化させる。 （もっと読む）

【課題】微細なフォトマスクパターンを高精度で形成することが可能なフォトマスクの製造方法を提供すること。
【解決手段】遮光層１２とクロム系化合物の反射防止層１３とが順次積層されたフォトマスク基板１１の反射防止層１３上にレジスト膜１７を形成する。レジスト膜１７はアスペクト比が大きくならないように比較的薄膜であることが必要であり３５０ｎｍ以下であることが好ましく、一般的なレジスト材料からなる場合には７５ｎｍ以上であることが好ましい。レジスト膜１７を加工してレジストパターンを得た後、酸素含有塩素系ドライエッチング（（Ｃｌ＋Ｏ）系）でクロム系化合物の反射防止層１３のパターニングを行ない、続いて、酸素含有塩素系ドライエッチング（（Ｃｌ＋Ｏ）系）に対して実質的なエッチングが生じない程度のエッチング耐性を示す遮光層１２を酸素非含有塩素系ドライエッチング（Ｃｌ系）してパターニングする。 （もっと読む）

【課題】インプリントレジスト材料を用いて金属層をエッチングする方法を提供する。
【解決手段】一実施形態において、フォトリソグラフィーレチクルを処理する方法は、光学的に透明な基板上に形成された金属フォトマスク層を有するレチクル及び金属フォトマスク層上に堆積したインプリントレジスト材料を提供する工程と、第１のエッチングステップにおいて、インプリントレジスト材料のリセス領域をエッチングして、金属フォトマスク層の部分を露出する工程と、第２のエッチングステップにおいて、インプリントレジスト材料を通して金属フォトマスク層の露出した部分をエッチングする工程とを含み、第１又は第２のエッチングステップのうち少なくとも１つが、酸素、ハロゲン及び塩素含有ガスを含む処理ガスから形成されたプラズマを利用する。一実施形態において、処理ガスを第１及び第２のエッチングステップの両方で利用する。他の実施形態において、第１及び第２のエッチングステップは、同じ処理チャンバで実施される。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィーレチクル等の基板上に配置された金属層をエッチングする方法及び装置を提供する。
【解決手段】一態様において、処理チャンバにおいて、光学的に透明な材料上に配置された金属フォトマスク層を有する基板を配置する工程と、酸素含有ガスと、塩素含有ガスと、トリフルオロメタン（ＣＨＦ_３）、六フッ化硫黄（ＳＦ_６）、ヘキサフルオロエタン（Ｃ_２Ｆ_６）又はアンモニア（ＮＨ_３）のうち少なくとも１つと、任意で無塩素ハロゲン含有ガス及び／又は不活性ガスとを含む処理ガスを、処理チャンバに導入する工程と、処理チャンバにおいて、処理ガスのプラズマを生成する工程と、基板上に配置された金属層の露出した部分をエッチングする工程と含む基板を処理する方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト露光の正確な制御が可能であり、フィルファクターが１００％に近い、マイクロレンズ製造プロセスで用いられるグレースケールレチクルを低コストで製造する方法を実現する。
【解決手段】グレースケールレチクルの製造方法であり、基板を準備する工程と、上記基板上にＳＲＯ層を堆積させる工程と、上記ＳＲＯ層の上に窒化ケイ素層を堆積させる工程と、フォトレジスト層を堆積させ当該フォトレジスト層にパターン形成する工程と、上記パターンの窒化ケイ素をエッチングする工程と、上記フォトレジスト層を除去する工程と、上記基板と残存している層とをきれいにする工程と、上記基板と当該基板上の層とを酸化して上記ＳＲＯ層を透明な二酸化ケイ素層へと変化させる工程と、残存する上記窒化ケイ素層を除去する工程と、上記基板と当該基板上の二酸化ケイ素とからレチクルを形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】エッチングパラメータの複数の周波数制御を有するプラズマリアクタを提供する。
【解決手段】リアクタは、リアクタチャンバと、チャンバ内のワーク支持部とを備えており、チャンバは、ワーク支持部に面する天井と、誘導結合ソース電力アプリケータ及び容量結合プラズマソース電力アプリケータとを有している。光ファイバのアレイは、その底面を通じてワークを見るために、ワーク支持部の支持面を通じて延びている。光学センサは、光ファイバの出力端に結合されている。リアクタは、誘導結合プラズマソース電力アプリケータ及び容量結合プラズマソース電力アプリケータによってチャンバ内のプラズマに同時に結合される電力の相対量を調整する光学センサに応答するコントローラを更に備えている。 （もっと読む）