【課題】ナノインプリント用テンプレートの欠陥部を荷電ビームにより修正する欠陥修正方法であって、荷電ビームによる電荷の滞留を低減し、電荷滞留による修正箇所の位置ずれがなく所望の欠陥修正をすることが可能な欠陥修正方法を提供する。
【解決手段】テンプレートの欠陥部を含む一主面上に導電性高分子を塗布して導電膜を形成する工程と、前記導電膜を形成したテンプレートを走査型電子顕微鏡を有する装置内に設置し、欠陥検査装置の検査データをもとにして前記欠陥部を検出し、欠陥部の修正すべき領域を決定する工程と、修正すべき領域に荷電ビームを照射し、修正すべき領域の導電膜部分を除去し、欠陥部を露出させる工程と、露出させた欠陥部にアシストガスを吹き付けながら荷電ビームを照射し、欠陥部をエッチングして修正する工程と、導電膜を除去する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、反射型マスクブランクスの基板に形成したアライメントマークが発塵源となることを防止し、前記アライメントマークを用いた欠陥検査およびアライメント描画により、位相欠陥によるパターン転写への影響を回避することが可能な、反射型マスクブランクス、反射型マスク、および、それらの製造方法、並びに、反射型マスクブランクスの検査方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 前記アライメントマークの底部に丸みをつけて、垂直な側壁部分と、丸みを有する底部とを有する凹型のアライメントマークとするにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】欠陥の無いＥＵＶマスクを歩留り良く、簡便に作製する技術を提供する。
【解決手段】本発明によるＥＵＶマスクの製造方法は、基板上に多層膜を被着した後、欠陥検査を行う工程と、この欠陥検査で欠陥が見出された場合は、欠陥が凹状欠陥であるか、凸状欠陥であるか、またはそれらの双方が混在する欠陥であるかを判定し、欠陥が凹状欠陥と凸状欠陥との混在欠陥である場合は、それらの欠陥の大小関係を判定する工程と、その後、これらの判定結果に応じて成膜方法を変えながら上記多層膜の上部に追加の多層膜を被着する工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】吸収体パターンを局所的にレイアウト変更することにより、実質的に位相欠陥の無いＥＵＶＬ用マスクを製造することのできる技術を提供する。
【解決手段】マスクパターンをウェハの主面上にパターン転写した際に、許容値より大きな転写誤差を与える位相欠陥ＰＤを検出し、この位相欠陥ＰＤの周囲の吸収体パターンＡＢＳ−３，ＡＢＳ−４の局所的なレイアウト変更が可能であるか否かを判断する。レイアウト変更が可能であると判断した場合は、位相欠陥ＰＤに近接する吸収体パターンＡＢＳ−３の形状を局所的に修正し、さらに、修正された吸収体パターンＡＢＳ−３の形状に合わせて、これに隣接する他の吸収体パターンＡＢＳ−４のレイアウトを局所的に変更する。 （もっと読む）

【課題】ＥＢ欠陥修正を好適に適用でき、なお且つ遮光膜の薄膜化を可能とするマスクブランクを提供する。
【解決手段】ＡｒＦ露光光が適用される転写用マスクを作成するために用いられ、透光性基板１上に遮光膜２を有するマスクブランク１０であって、遮光膜２は、遷移金属及びケイ素に更に酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１つ以上の元素を含む材料を主成分とする。この遮光膜は、フッ素を含有する物質に対する荷電粒子の照射を受けない状態におけるエッチングレートが０．３ｎｍ／ｓｅｃ以下である。 （もっと読む）

【課題】より低い透過率のフォトマスクのハーフトーンパターンの修正を可能にする。
【解決手段】Ｑスイッチ周波数が１Ｈｚから１ｋＨｚの範囲内に設定されたＣＶＤ加工用レーザ発振器１１から出射される、１パルス当りの照射エネルギ密度が４０ｍＪ／ｃｍ^２以上、もしくは、照射パワー密度が１ＭＷ／ｃｍ^２以上の紫外レーザ光、および、クロムカルボニルガスからなる原料ガスを用いてフォトマスク２のハーフトーンパターンの修正部分にＣＶＤ膜を成膜する。本発明は、例えば、フォトマスクの修正を行うレーザ加工装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、吸収層の側面において下部が上部よりも欠落している場合に、その欠陥を補修し、信頼性の高い反射型マスクを得ることが可能であり、さらには歩留まりの向上を図ることが可能な反射型マスクの製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成された多層膜と、上記多層膜上にパターン状に形成された吸収層積層体とを有し、上記吸収層積層体が上記多層膜上に形成された第１吸収層と上記第１吸収層上に形成された第２吸収層とを有し、上記吸収層積層体の側面にて上記第１吸収層が上記第２吸収層よりも欠落している側面欠陥部を有する反射型マスクの、上記側面欠陥部に位置する上記第２吸収層上に堆積膜を形成する補修工程を有することを特徴とする反射型マスクの製造方法を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、吸収層の側面において下部が上部よりも欠落している場合に、その欠陥を補修し、信頼性の高い反射型マスクを得ることが可能であり、さらには歩留まりの向上を図ることが可能な反射型マスクの製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成された多層膜と、上記多層膜上にパターン状に形成された吸収層積層体とを有し、上記吸収層積層体が上記多層膜上に形成された第１吸収層と上記第１吸収層上に形成された第２吸収層とを有し、上記吸収層積層体の側面にて上記第１吸収層が上記第２吸収層よりも欠落している側面欠陥部を有する反射型マスクの、上記側面欠陥部に位置する上記吸収層積層体を除去する側面欠陥部除去工程と、上記吸収層積層体が除去された側面欠陥部除去部に堆積膜を形成する堆積膜形成工程とを有する補修工程を備えることを特徴とする反射型マスクの製造方法を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レーザを用いてハーフトーンマスクの欠陥を除去し、欠陥部領域に遮断膜を効率良く形成でき、遮断膜の膜厚を調節し、ペリクル膜が形成された後も欠陥の除去が可能な機能とともに、リアルタイムで透過率を調節してリペア工程を行うことができるようにし、リペア部位の透過率の均一性を保障できるリペア方法及びそのシステムに関する。
【解決手段】本発明のハーフトーンマスクリペア方法は、原料物質にレーザを照射して半透過層の欠陥部位に蒸着することにより、ハーフトーンマスクの半透過領域の欠陥部位をリペアする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＥＵＶ光を用いてマスクパターンをウェハ上に転写するためのＥＵＶ露光用の反射型マスクに関し、使用により汚染した反射型マスクを、洗浄することにより生じるＥＵＶ光反射率の低下に対し、ＥＵＶ光反射率を元の反射率に復元することが可能な反射型マスクおよびその修復方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 酸によるマスク洗浄を複数回繰り返すことによって削られたキャッピング層の上にＥＵＶ光の反射率を調整するための堆積膜を所定量形成することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】高速でガスウィンドウを移動させながら原料を堆積させる場合、上下左右方向でのＣＶＤ薄膜の堆積厚さを可及的に均一化することができるレーザＣＶＤによる薄膜形成方法及び同方法に好適なガスウィンドウを提供する。
【解決手段】薄膜形成対象物の表面とガスウィンドウとの間におけるＣＶＤガス雰囲気の形成は、照射スポット１１６予定位置を取り巻くようにその周囲に配置された３個以上の複数個のガス吹出し口１１０ａ，１１１ａ，１１２ａ，１１３ａから、照射スポット予定位置に向けて集中するように、薄膜形成対象物の表面と平行に、ＣＶＤ原料ガスを吹き出すことにより行われる。 （もっと読む）

【課題】半透光膜によりなる半透光部に発生した欠陥が好適に修正された多階調フォトマスクを提供する。
【解決手段】透明基板上に遮光部、透光部及び半透光部が形成された転写パターンを有し、被転写体上のレジスト膜に２つ以上の異なるレジスト残膜値を有するレジストパターンを形成する多階調フォトマスクであって、遮光部は透明基板上に遮光膜が形成されてなり、透光部は透明基板が露出して形成され、半透光部は透明基板上に形成された半透光膜によりなる正常部と、透明基板上に形成された修正膜によりなる修正部とを有し、透光部と修正部のｉ線〜ｇ線の波長光に対する位相差が８０度以下である。 （もっと読む）

【課題】
本発明は投影露光用フォトマスクやナノインプリントモールドの欠陥修正方法、特に白欠陥、欠落欠陥の修正方法に関するもので、危険を伴わず、汎用的な部材の構成でフォトマスクの製造工程として実用出来るフォトマスク等の欠陥修正方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
走査プローブ顕微鏡のプローブ先端に蒸着法により前駆体Ａの薄膜を形成する工程、前駆体Ａの薄膜を形成したプローブ先端を修正するフォトマスク等の欠陥部に接触させ前駆体Ａを転移させる工程、欠陥部に転移した前駆体Ａを、前駆体Ｂを含む雰囲気中で加熱し修正膜Ｃに転換する工程、で構成される。 （もっと読む）

【課題】多階調フォトマスクの修正工程において、修正半透光膜の形成時に生じる膜厚の異常、従って透過率の異常の発生を必要な範囲で防止し正常な転写が可能な多階調フォトマスクを作製する。
【解決手段】多階調フォトマスクは、透明基板上に透光部と、遮光部と半透光部とが設けられているものであり、このうち、パターンは遮光部においては遮光膜のパターン２ａにより形成され、半透光部においては半透光膜のパターン４ａにより形成されるものである。半透光膜のパターン４ａは、透光部との境界領域の少なくとも一部において、透光部との境界に近くなるほど透過率が高くなるように構成されたグラデーション部Ｇを有するもので修正工程において異常を生じさせない。 （もっと読む）

【課題】多階調フォトマスクの修正工程において、修正半透光膜の形成時に生じ
うる透過率の異常部の発生を必要な範囲で防止する。
【課題を解決するための手段】
本発明に係る多階調フォトマスク１０は、透明基板上に透光部と、遮光部と半透光
部とが設けられている。このうち、半透光部は半透光膜のパターン４ａにより形成され
る。この半透光膜は、相対的にエネルギー密度の異なる少なくとも２以上の条件でレ
ーザーザッピングが行われており、低エネルギー照射部を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多階調フォトマスクの修正工程において、修正半透光膜の形成時に生じる膜厚の異常すなわち透過率の異常の発生を必要な範囲で防止し正常な転写が可能な多階調フォトマスクを作製する。
【解決手段】多階調フォトマスクは、透明基板上に透光部と、遮光部と半透光部とによって構成されるものであり、このうちパターンは、遮光部においては遮光膜パターン２ａにより形成され、半透光部においては半透光膜パターン４ａにより形成される。半透光膜パターン４ａは、透光部との境界領域の少なくとも一部に、スリット部Ｓを有する。 （もっと読む）

【課題】半透光部の白欠陥を抑制できるフォトマスクの欠陥修正方法を提供する。
【解決手段】透明基板上に遮光部と透光部と半透光部とからなるマスクパターンを有するフォトマスクの欠陥修正方法であって、該フォトマスクは、透明基板上に順に成膜した半透光膜と遮光膜上に第１レジストパターンを形成する工程と、該第１レジストパターンをマスクとして透光部領域の遮光膜をエッチングして遮光膜パターンを形成する工程と、該遮光膜パターンをマスクとして半透光膜をエッチングする工程と、第２レジストパターンを形成する工程と、該第２レジストパターンをマスクとして半透光部領域の遮光膜をエッチングする工程により製造され、上記第１レジストパターンをマスクとして遮光膜パターンを形成する工程終了後に、欠陥検査を行い、少なくとも最終的に半透光部となる領域に生じた白欠陥部分に、半透光膜のエッチング環境に対しては耐性があり、かつ遮光膜のエッチング環境ではエッチング可能な素材の修正膜を形成する。 （もっと読む）

試料を分析及び／又は加工するための装置及び方法が開示される。装置は、荷電粒子源、及び前記荷電粒子源が放射する荷電粒子の荷電粒子ビームを形成する、少なくとも一つの粒子光要素を備える。装置は、前記荷電粒子ビームから荷電粒子プローブを発生させる対物レンズを更に備える。対物レンズは、粒子光軸を画定する。第１静電偏向要素が、対物レンズの、前記荷電粒子源が放射する荷電粒子の伝播の方向における下流に配置される。静電偏向要素は、前記荷電粒子光軸に垂直な方向に荷電粒子ビームを偏向させ、且つ少なくとも１０ＭＨｚの偏向帯域幅を有する。
（もっと読む）

【課題】修正半透過膜の波長依存性を考慮した最適な透過率を設定する具体的な方法を提供する。
【課題を解決するための手段】多階調フォトマスクに使用される複数の露光波長を含む露光光源に対し、未修正半透過膜と修正半透過膜のそれぞれについて各波長のスペクトル強度比で加重平均した透過率の値が等しくなるように、修正半透過膜の膜厚を制御する。修正半透過膜の堆積には、光ＣＶＤ法などの膜厚を制御しながら局所的に堆積できる気相堆積法を用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】半透光部に発生した欠陥を好適に修正できるグレートーンマスクの欠陥修正方法を提供する。
【解決手段】遮光部２１と、透光部２２と、マスク使用時に用いられる露光光の透過量を所定量低減する半透光部２３とを有するグレートーンマスク２０の欠陥修正方法であって、半透光部２３が半透光膜２６により形成され、半透光部２３において欠陥領域を特定する工程と、欠陥領域に半透光膜と異なる組成の修正膜２７を形成する工程とを有する。この修正膜形成工程においては、所定波長の露光光に対する修正膜の光透過率特性を予め把握し、把握した修正膜の光透過率特性に基づき、所定波長の露光光に対する修正膜２７の光透過率が半透光膜２６と略等しいものとなる条件を適用する。 （もっと読む）