【課題】解像限界を超えるパターン形成を可能にする半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の微細パターンの形成方法において、シリコンが含まれた感光膜を形成した後、酸素プラズマ工程を行なうことにより感光膜を除いたコーティング及び食刻工程を１回のみ行なうようにして工程を単純化させ、時間及び費用を低減させる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させるとともに、エッチング工程を短縮化することが可能な、多層レジスト膜のパターニング方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る多層レジスト膜のパターニング方法は、半導体基板上に下層レジスト膜１０４を形成する工程と、下層レジスト膜１０４の上に、シリコン含有上層レジスト膜を形成する工程と、該シリコン含有上層レジスト膜を所定の形状にパターニングする工程と、０．０７５ｍＴｏｒｒ以上、５０ｍＴｏｒｒ以下の圧力下において、Ｏ_２ガスとＡｒガスとを含むエッチングガスを用い、パターニングされたシリコン含有上層レジスト膜１０６をマスクとして下層レジスト膜１０４をドライエッチングする工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板と有機膜とを備えた積層体の前記有機膜上に形成されたパターン上に、低温で、高い耐エッチング性を有する膜を、有機膜に対して高い被覆選択性で形成できるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】加水分解により水酸基を生成し得る金属化合物（Ｗ）が溶剤（Ｓ）に溶解しており、前記溶剤（Ｓ）が、前記金属化合物（Ｗ）と反応する官能基を有さない溶剤（Ｓ１）を含有する膜形成用材料を用いてパターンを形成する方法であって、基板と有機膜とを備えた積層体の前記有機膜上に形成されたパターン上に、前記金属化合物（Ｗ）と反応する官能基を有さない溶剤（Ｓ１’）を塗布し、該溶剤（Ｓ１’）が完全に揮発する前に、前記パターンを前記膜形成用材料を用いて被覆し、前記膜形成用材料を用いて被覆されたパターンをマスクとして前記有機膜のエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウム合金層と透明電極層とがコンタクトホールを介して直接接合された構造を有する表示デバイスにおいて、そのコンタクト抵抗値の増加や接合不良を生じさせることのない、表示デバイスの製造技術を提案する。
【解決手段】 基板上に形成されたアルミニウム合金層上に、絶縁層を形成し、該絶縁層にレジストを被覆してドライエッチングにてコンタクトホールを形成し、該コンタクトホールを介して透明電極層と前記アルミニウム合金層とを直接接合させる工程を備える表示デバイスの製造方法において、前記レジストを剥離する剥離液は、非水系溶液を用いるものとし、この非水系溶液は、極性溶剤および／または有機アミンを含有する。 （もっと読む）

【課題】基板の上に形成されたパターンをマスクとしてエッチングをするプロセスにおいて、パターンのエッチング耐性を向上させるパターン被覆材料の提供。
【解決手段】基板１の上に形成されたパターン３Ｂをマスク４としてエッチングをするプロセスに用いられるパターン被覆材料５であって、加水分解により水酸基を生成し得る金属化合物を含有することを特徴とするパターン被覆材料を用いてパターンを被覆する。 （もっと読む）

【解決手段】 一般式（１）で示されるフェノール性水酸基を有していてもよい炭素数６〜１６のアリール基を有するフラーレン類を含有するフォトレジスト下層膜形成材料。
【化１】


（Ｒ¹は水素原子又はアルキル基、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶はアリール基で、エーテル基を有してもよく、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅは０〜２の整数で、０≦ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ≦１０の整数である。）
【効果】 本発明のフォトレジスト下層膜形成材料は、必要により反射防止効果のある中間層と組み合わせることによって、２００ｎｍ以上の膜厚で十分な反射防止効果を発揮できるだけの吸光係数を有し、基板加工に用いられるＣＦ₄／ＣＨＦ₃ガス及びＣｌ₂／ＢＣｌ₃系ガスエッチングの速度も通常のｍ−クレゾールノボラック樹脂よりも強固であり、高いエッチング耐性を有し、しかもパターニング後のレジスト形状も良好である。 （もっと読む）

【課題】 耐エッチング特性や、短波長光に対する反射防止能（短波長光の吸収能）を改善した中間層形成用組成物を提供する。
【解決手段】 中間層形成用組成物を、
下記一般式（1）
【化１】


（式中、Ｒ₁、Ｒ₂は、それぞれ独立して水素または炭素数１〜２０のアルキル基であり、ｍおよびｎは繰り返し単位数を表す整数である。）
で表される繰り返し単位を有するシリルフェニレン系ポリマー（Ａ）と、
溶剤（Ｂ）と、
を少なくとも含有させて構成する。 （もっと読む）

酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含み、前記（Ａ）成分が、（ａ１）下記一般式（Ｉ）で表される構成単位、（ａ２）下記一般式（ＩＩ）で表される構成単位、および（ａ３）下記一般式（ＩＩＩ）で表される構成単位を有するシルセスキオキサン樹脂（Ａ１）、又は（ａ１）下記一般式（Ｉ）で表される構成単位、および（ａ２’）下記一般式（ＩＩ’）で表される構成単位を有するシルセスキオキサン樹脂（Ａ２）を含有してなるポジ型レジスト組成物。下記一般式において、Ｒ^１は炭素数１〜５の直鎖状または分岐状のアルキレン基を表し、Ｒ^２は炭素数１〜５の直鎖状または分岐状のアルキレン基を表し、Ｒ^３は酸解離性溶解抑制基を表し、Ｒ^６は炭素数１〜５のアルキル基を表し、Ｒ^７は炭素数１〜５のアルキル基または水素原子を表し、Ｒ^８は炭素数５〜１５の脂環式炭化水素基を表す。

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【解決手段】 式（１）、（２）及び（３）の加水分解性シランモノマー混合物の共加水分解・縮合により得たシリコーン樹脂、酸発生剤、含窒素有機化合物、溶剤を含有してなるレジスト組成物。
Ｒ¹Ｒ²_pＳｉＸ_3-p （１）
Ｒ³Ｒ⁴_qＳｉＸ_3-q （２）
Ｒ⁵Ｒ⁶_rＳｉＸ_3-r （３）
（Ｒ¹はヒドロキシ基を持ち、かつ、該ヒドロキシ基が結合する炭素原子に更に結合する炭素原子上に合計３つ以上のフッ素原子が結合されている有機基、Ｒ³は酸分解性保護基で保護されたカルボキシル基を持つ有機基、Ｒ⁵はラクトン環を有する有機基、Ｒ²、Ｒ⁴、Ｒ⁶は炭化水素基、Ｘは加水分解性基、ｐは０又は１、ｑは０又は１、ｒは０又は１。）
【効果】 本発明のレジスト組成物は、良好な解像性を示し、酸素反応性エッチングにおいて有機材料である下層膜との間でエッチング選択比がとれないという問題を解決でき、ＡｒＦ露光における２層レジスト法に好適である。 （もっと読む）

【課題】 ｄｅｅｐＵＶ光のような短波長の光を露光源とし、比較的厚さが厚く、かつ高解像度のレジストパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 被エッチング基板に水酸基を持つポリマーおよび光酸発生剤を含むポジ型の化学増幅型レジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜をシリコン元素を含む化合物と気相中または液相中で反応させて前記レジスト膜表面において前記ポリマーをシリル化する工程と、シリル化された前記レジスト膜にディープ紫外光、電離放射線または近接場光を選択的に照射して露光する工程と、前記露光後の前記レジスト膜を水蒸気雰囲気中で加熱して前記レジスト膜表面の露光部においてシリル化されたポリマーを脱シリル化する工程と、現像して前記露光部を所望深さ選択的に除去する工程と、未露光部をマスクとして前記露光部に位置するレジスト膜部分をさらに酸素含有ガスを用いたドライエッチングにより除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 表面変質層が形成されたレジストパターンを容易に除去する。
【解決手段】 例えば、まず、窒化シリコンからなるオーバーコート膜１３をその上に形成されたコンタクトホール１５形成用のレジストパターン２４をマスクとしてドライエッチングしてコンタクトホール１５を形成すると、レジストパターン２４の表面に表面変質層２４ａが形成される。次に、表面変質層２４ａを含むレジストパターン２４をモノエタノールアミンを主成分とするレジスト剥離液を用いて剥離する。この場合、表面変質層２４ａは上記レジスト剥離液に溶解しないため、表面変質層２４ａが残渣としてある程度残る。そこで、次に、この表面変質層残渣を水素水中でメガソニック洗浄を行なって除去する。 （もっと読む）

【課題】 表面変質層が形成されたレジストパターンを容易に除去する。
【解決手段】 例えば、まず、窒化シリコンからなるオーバーコート膜１３をその上に形成されたコンタクトホール１５形成用のレジストパターン２４をマスクとしてドライエッチングしてコンタクトホール１５を形成すると、レジストパターン２４の表面に表面変質層２４ａが形成される。次に、表面変質層２４ａをオゾン水中でメガソニック洗浄を行なって除去する。次に、レジストパターン２４をモノエタノールアミンを主成分とするレジスト剥離液を用いて剥離する。 （もっと読む）

【課題】レイヤにおいて微小形状をエッチングする方法が提供される。
【解決手段】レイヤ上にポリマー材料のアンダーレイヤが形成される。アンダーレイヤ上にトップイメージレイヤが形成される。トップイメージレイヤがパターン付けされた照射に曝露される。トップイメージレイヤにおいてパターンが現像される。パターンがトップイメージレイヤからアンダーレイヤへ還元性ドライエッチングで転写される。レイヤがアンダーレイヤを通してエッチングされ、トップイメージレイヤは完全に除去され、アンダーレイヤは、レイヤをエッチングするあいだ、パターンをアンダーレイヤからレイヤへ転写するためのパターンマスクとして用いられる。 （もっと読む）